FWDI IGBT Search Results

MINI DIP-IPM

Abstract: POWEREX DIP-IPM simple conection igbt 1200V 20A igbt 20A 1200v tpm 02 DIP-IPM igbt 600v, dual CS 20A RoHS
Contextual Info: Latest Advances in Transfer Molded Package Technology J. F. Donlon, E. R. Motto Powerex Incorporated, Youngwood, Pennsylvania, USA www.pwrx.com IAS 2006 Transfer Molded Package Technology Past Present Future IAS 2006 Al wire FWDi, IGBT 2nd Mold resin IC Au wire

CM3600HC-34N

Abstract: CM1200DC-34N CM2400HC-34H 600A 500v igbt CM1600HC-34H CM1200E4C-34N CM1800HC-34H CM1800HC-34N CM2400HC-34N CM600DY-34H
Contextual Info: New 1700V IGBT Modules with CSTBT and Improved FWDi 1 1 2 2 3 3 John Donlon , Eric Motto , Shinichi Iura , Eisuke Suekawa , Kazuhiro Morishita , Masuo Koga 1 Powerex Inc., Youngwood, PA, USA 2) Power Device Works, Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, Japan

Contextual Info: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1000DUC-34NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - I C ….………………….…. 1000 A V CES …………….….…. 1700 V Flat base Type Copper non-plating base plate

cm500ha-34a

Abstract: vmos CM100DY-34A CM400DY-34A series connection igbt cm200dy-34a IGBT cross CM100DU-34KA CM200DU-34KA CM300DY-34A
Contextual Info: NEW 1700V A-SERIES IGBT MODULES WITHS CSTBT AND IMPROVED FWDi By Nicholas Clark1, John Donlon1, Shinichi Iura2 1 Powerex Inc., Youngwood, PA, USA 2) Power Device Works, Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, Japan Abstract: This paper presents a new series of 1700V IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor) modules using

Contextual Info: MITSUBISHI IGBT MODULES CM900DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM900DUC-24NF ●IC ….………………….…. 900 A ●V CES …………….….…. 1200 V ●Flat base Type Copper non-plating base plate

Contextual Info: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - I C ….………………….…. 1400 A V CES …………….….…. 1200 V Flat base Type Copper non-plating base plate

Contextual Info: MITSUBISHI IGBT MODULES CM900DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - IC ….………………….…. 900 A V CES …………….….…. 1200 V Flat base Type Copper non-plating base plate

CM1400DUC-24NF

Contextual Info: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM1400DUC-24NF ●I C ….………………….…. 1400 A ●V CES …………….….…. 1200 V ●Flat base Type ●Copper non-plating base plate

JC201

Abstract: IC1400 VCC-600 0di2
Contextual Info: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1400DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM1400DUC-24NF ●I C ….………………….…. 1400 A ●V CES …………….….…. 1200 V ●Flat base Type Copper non-plating base plate

CM900duc-24nf

Contextual Info: MITSUBISHI IGBT MODULES CM900DUC-24NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM900DUC-24NF ●IC ….………………….…. 900 A ●V CES …………….….…. 1200 V ●Flat base Type ●Copper non-plating base plate

Contextual Info: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1000DUC-34NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM1000DUC-34NF ●I C ….………………….…. 1000 A ●V CES …………….….…. 1700 V ●Flat base Type Copper non-plating base plate

Contextual Info: MITSUBISHI IGBT MODULES CM1000DUC-34NF HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE - MPD series using 5th Generation IGBT and FWDi - CM1000DUC-34NF ●I C ….………………….…. 1000 A ●V CES …………….….…. 1700 V ●Flat base Type ●Copper non-plating base plate

600V200A

Abstract: E80276 PM200RSD060
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200RSD060 フラットベース形 絶縁形 PM200RSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

E80276

Abstract: PM100RSD060 pm100R
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100RSD060 フラットベース形 絶縁形 PM100RSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

E80276

Abstract: PM150RSE060
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM150RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM150RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

E80276

Abstract: PM100CSD060 60N40 IC 7405 PM100*060
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100CSD060 フラットベース形 絶縁形 PM100CSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

E80276

Abstract: PM200CSD060
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200CSD060 フラットベース形 絶縁形 PM200CSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

E80276

Abstract: PM200CSE060
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM200CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

PM150RSD060

Abstract: E80276
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM150RSD060 フラットベース形 絶縁形 PM150RSD060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

PM200RSE060

Abstract: E80276
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM200RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

PM100*060

Abstract: E80276 PM100RSE060 pm100R
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM100RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

E80276

Abstract: PM50CSE060
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM50CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

E80276

Abstract: PM100CSE060
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM100CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

E80276

Abstract: PM50RSE060
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM50RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用