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Contextual Info: Power TOPLED Hyper-Bright LED LW E673 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch einen geringen thermischen Widerstand • Farbort: x = 0,32, y = 0,31 nach CIE 1931 weiß

Contextual Info: Power TOPLED Hyper-Bright LED LW E673 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch einen geringen thermischen Widerstand • Farbort: x = 0,32, y = 0,31 nach CIE 1931 weiß

Contextual Info: Power TOPLED Hyper-Bright LED LB E673, LV E673, LT E673 Nicht für Neuentwicklungen - werden durch LB_LT_LV E67C ersetzt werden Not for new designs - will be replaced by LB_LT_LV E67C Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch

Contextual Info: MOS FET Relay G3VM-6 F New Model with Dielectric Strength of 400 V and 5,000 V between Input and Output Terminals UL1577 (File No. E67349) pending approval. EN60065 (Recognition No. 8318) pending approval. EN60950 (Recognition No. 8319) pending approval.

Contextual Info: Power TOPLED Hyper-Bright LED LW E673 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch einen geringen thermischen Widerstand • Farbort: x = 0,32, y = 0,31 nach CIE 1931 weiß

Contextual Info: Power TOPLED Hyper-Bright LED LB E673, LV E673, LT E673 Nicht für Neuentwicklungen - werden durch LB_LT_LV E67C ersetzt werden Not for new designs - will be replaced by LB_LT_LV E67C Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch

LT 497

Contextual Info: Power TOPLED Hyper-Bright LED LB E673, LV E673, LT E673 Nicht für Neuentwicklungen - werden durch LB_LT_LV E67C ersetzt werden Not for new designs - will be replaced by LB_LT_LV E67C Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch

Contextual Info: MOS FET Relay G3VM-6 F New Model with Dielectric Strength of 400 V and 5,000 V between Input and Output Terminals UL1577 (File No. E67349) pending approval. EN60065 (Recognition No. 8318) pending approval. EN60950 (Recognition No. 8319) pending approval.

Contextual Info: Power TOPLED Hyper-Bright LED LB E673, LV E673, LT E673 Nicht für Neuentwicklungen / Not for New Designs Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch einen geringen thermischen Widerstand • Wellenlänge: 469 nm blau , 503 nm (verde),

Contextual Info: Power TOPLED Hyper-Bright LED LB E673, LV E673, LT E673 Abgekündigt nach PD_078_02 - werden durch LB_LT_LV E67C ersetzt werden Obsolete acc. to PD_078_02 - will be replaced by LB_LT_LV E67C Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse, farbloser klarer Verguss

Q62703-Q4890

Contextual Info: Power TOPLED Hyper-Bright LED LB E673, LV E673, LT E673 Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch einen geringen thermischen Widerstand • Wellenlänge: 469 nm blau , 503 nm (verde), 525 nm (true green)

G3VM-6

Contextual Info: Back MOS FET Relay G3VM-6 F New Model with Dielectric Strength of 400 V and 5,000 V between Input and Output Terminals UL1577 (File No. E67349) pending approval. EN60065 (Recognition No. 8318) pending approval. EN60950 (Recognition No. 8319) pending approval.

Contextual Info: Power TOPLED Hyper-Bright LED LB E673, LV E673, LT E673 Nicht für Neuentwicklungen - werden durch LB_LT_LV E67C ersetzt werden Not for new designs - will be replaced by LB_LT_LV E67C Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch

E67C

Contextual Info: Power TOPLED Hyper-Bright LED LB E673, LV E673, LT E673 Abgekündigt nach PD_078_02 - werden durch LB_LT_LV E67C ersetzt werden Obsolete acc. to PD_078_02 - will be replaced by LB_LT_LV E67C Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch

E67C

Abstract: E673-S2U1-3C5D
Contextual Info: Power TOPLED Hyper-Bright LED LW E673 Abgekündigt nach PD_078_02 - wird durch LW E67C ersetzt werden Obsolete acc. to PD_078_02 - will be replaced by LW E67C Besondere Merkmale • Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch

Contextual Info: GaAs IRED S PHOTO-TRANSISTOR TLP126 T IP I2 6 P R O G R A M M A B L E C O N TR O LLERS A C /D C -IN P U T M O D U L E T E L E C O M M U N IC A T IO N The TOSHIBA MINI FLAT COUPLER TLP126 is a small outline coupler, suitable for surface mount assembly.

Contextual Info: TOSHIBA PHOTO RELAY TLP595A Unit in mm Telecommunication Data Acquisition Measurement Instrumentation The Toshiba TLP595A consists of an aluminum gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a photo-MOSFET in a six lead plastic DIP package. The

dg1u

Abstract: TLP624
Contextual Info: TLP624,-2,-4 GaAs IRED a PHOTO-TRANSISTOR TLP6 24 PRO G RAM M ABLE CONTROLLERS AC /DC-INPUT M ODULE TELECOM M UNICATIO N The TOSHIBA TLP624, -2 and -4 consist of a gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a photo-transistor. The TLP624-2 offers two isolated channels in an eight lead plastic

TLP338

Contextual Info: TLP337,338 GaAs IRED a PHOTO-TRANSISTOR TENTATIVE DATA TELECOMMUNICATION. OFFICE MACHINE. TELEPHONE USE EQUIPMENT. The TOSHIBA TLP337 and TLP338 consist of a photo-transistor optically coupled to a gallium arsenide infrared emitting diode in a six lead plastic DIP package.

Contextual Info: GaAÄAs IRED & PHOTO-DIODE ARRAY TLP590B ¡TLP590B TELECOMMUNICATION PROGRAMMABLE CONTROLLERS MOS GATE DRIVER MOS FET GATE DRIVER U n it in mm The T O S H IB A TLP590B consists of an aluminum galium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a series connected photo­

Contextual Info: GaAs IRED a PHOTO-TRANSISTOR TLP130 TLP130 U nit in mm P R O G R A M M A B L E CO NTRO LLER S A C /D C - IN P U T M O D U L E T E L E C O M M U N I C A T IO N The TOSHIBA MINI FLAT COUPLER TLP130 is a small outline coupler, suitable for surface m ount assembly.

Contextual Info: TLP572 GaAs IRED S PHOTO-TRANSISTOR TLP572 P R O G R A M M A B L E C ONTRO LLERS A C /DC - IN P U T M O D U L E SO LID STATE RELAY The TOSHIBA TLP572 consists of a darlington connected photo­ transistor optically coupled to a gallium arsenide infrared em itting

2500VRM

Contextual Info: GaAs IRED S PHOTO-TRANSISTOR 2 6 , 2 7 , 2 8 S H O rt { ¿ IN 2 5 (S h o r t > ) AC LINE/DIGITAL LOGIC ISOLATOR. DIGITAL LOGIC /DIGITAL LOGIC ISOLATOR. TELEPHONE LINE RECEIVER. TWISTED PAIR LINE RECEIVER. HIGH FREQUENCY POWER SUPPLY FEEDBACK CONTROL. RELAY CONTACT MONITOR.

RJ635

Contextual Info: TOSHIBA GaAs IRED & PHOTO-THYRISTOR TLP741J Office Machine Household Use Equipment Solid State Relay Switching Power Supply The Toshiba TLP741J consists of a photo-thyristor optically coupled to a gallium arsenide infrared emitting diode in a six lead plastic DIP package.