DIODA S 14 Search Results

BYP660-100R

Abstract: BYP660-700R BYP660-300R BYP660 BYP660-50R BYP660-500 BYP660 dioda BYP660-300 BYP660-500R BYP660-700
Contextual Info: DIODA PROSTOWNICZA BYP660 R 23'74/2 SWW 1156-112 D ioda krzem ow a dyfu zyjn a je st przeznaczona g!6w n ie do stosow ania w ukladach prostow niczych m alej i Sredniej m ocy. A noda diody jest pol^czona galw aniczn ie z obudow g, co zakodow ane jest lite r s ,R” na koncu oznaczenia typu diody np.: BYP660— 7O0R.

C250

Abstract: R3-2013-23-1024-WT
Contextual Info: R3 przekaŸniki przemys³owe - miniaturowe 10 A / 250 V AC 145 • Miniaturowe wymiary • Styki bez kadmu • Cewki AC i DC • Do gniazd wtykowych, montaż na szynie 35 mm wg EN 50022 lub na płycie • Przekaźniki ogólnego zastosowania • WT wskaźnik zadziałania, mechaniczny + przycisk testujący,

str wg 252

Abstract: WG 253 WG 253 STR dioda R4 dioda R4P-0001-A STR WG 253
Contextual Info: R4 przekaŸniki przemys³owe - miniaturowe 6 A / 250 V AC Dane styków 149 • Miniaturowe wymiary • Styki bez kadmu • Cewki AC i DC • Do gniazd wtykowych, montaż na szynie 35 mm wg EN 50022 lub na płycie • Do obwodów drukowanych i do połączeń lutowanych - opcja • Przekaźniki ogólnego zastosowania • WT wskaźnik

STR WG 253

Abstract: WG 253 STR 2003 dioda C250 dioda R2-2012-23-1024-WT
Contextual Info: R2 przekaŸniki przemys³owe - miniaturowe 140 12 A / 250 V AC • Miniaturowe wymiary • Styki bez kadmu • Cewki AC i DC • Do gniazd wtykowych, montaż na szynie 35 mm wg EN 50022 lub na płycie • Do obwodów drukowanych i do połączeń lutowanych - opcja • Przekaźniki ogólnego zastosowania • WT wskaźnik

STR WG 253

Abstract: WG 253 STR dioda LED C250 GZ11 PS11 R159 dioda led 15 v str 2652 dioda
Contextual Info: R15 przekaŸniki przemys³owe - ma³ogabarytowe 162 R15 2P R15 3P • Przekaźniki ogólnego zastosowania • Do gniazd wtykowych, montaż na szynie 35 mm wg EN 50022 lub na płycie • Styki bez kadmu - R15 2P, R15 3P • WT wskaźnik zadziałania, mechaniczny + przycisk testujący, czołowy z funkcją

dwa 108 a

Abstract: E3NT-L37 dioda impulsowa semiconductors dwa 108 E3NT-L17 dioda LED e3nt dioda Silikon
Contextual Info: Czujnik fotoelektryczny z ustawianym zasięgiem 17/ Technologia “uczenia i działania” w połączeniu z łatwym w obsłudze wyświetlaczem i dużym zasięgiem wykrywania Przyk³ady aplikacji Czujnik E3NT-L może sprawdzić, czy w regale jest wolne miejsce na paletę.

BAYP

Abstract: BAYP95 BAYP94 BAYP95A dioda BAYP94A BAYP-95
Contextual Info: 12- 74/2 DIODY IMPULSOWE * BAYP94, BAYP94A, BAYP95, BAYP95A SWW 1156-131 Diody krzem ow e epiplanarne przeznaczone do stosow ania w ukladach im pulsow ych i przelqczajqcych o b ardzo duzej szybkosci oraz innych zastosow aniach profesjonalnych. P aram etry dynam iczne; t amb = 298 K 25°C

dioda 1n4007

Abstract: trafo 1a dioda Silikon TSE6-1A1113100 TSE6-1A1213100 TSE6-1A2113100 TSE6-1A2213100 TSE6-1A3113100 TSE6-1A3213100 TSE6-1A4113100
Contextual Info: Urz¹dzenie do ³agodnego za³¹czania transformatorów 71 TSE - urz¹dzenie do ³agodnego za³¹czania transformatora Zalety stosowania TSE - ³agodnego za³¹czania transformatorów TSE jest przekaŸnikiem elektronicznym z mikroprocesorem kontroluj¹cym warunki

CNV17F-4

Abstract: CNV17 CNY 42 optocoupler dioda CNV17F
Contextual Info: SIEMENS FEATURES • H igh C urrent T ran sfer R atio C N Y 1 7F -1,40-80% C N Y 1 7F -2,63-125% C N Y 1 7 F -3 ,100-200% C N Y 1 7 F -4 ,160-320% 17 CNY F S E R IE S PHOTOTRAÑSÍSTOR NO BASE CONNECTION OPTOCOUPLER Package Dimensions in Inches mm t fa i fg] f t l

TRW OPB125A

Abstract: OPB125A 4G dioda opb 125a 2SC121 0PB125A OP123 OP300 2SC 1508 trw 810
Contextual Info: OPTEK TECHNOLOGY INC ObE D | bTTflSÖO 00D030Ö Ô | O p to e le c tro n ic s * D iv is io n T R W Electronic Components Group T Product Bulletin 5279 i l Y w ~ P // / '7 3 January 1965 Reflective Object Sensor Type OPB125A F e a tu re s A b s o lu te M a x im u m R a tin g s IT a - 25°C unless otherwise noted

BYP680-300R

Abstract: byp680100r BYP680-100R byp 680 100r BYP680-50 BYP680-500R byp 680 500r BYP680-50R BYP680-100 BYP680-300
Contextual Info: DIODY PROSTOWNICZE BYP680 i BYP680 R 24 74/2 - SWW 1156-112 Dioda krzemowa dyfuzyjna Iredniej mocy jest przeznaczona do pracy w ukladach prostowniczych. Dioda jest wykonywana w dwoch wersjach: BYP680-50 (100, 300, 500 600) — katoda diody jest pol^czona galwanicznie z obudow^.

opto coupler siemens

Abstract: IC AL 6001
Contextual Info: C A P I T A L / OP TO 'D~"| ñ 2 3 b 3 a b G O G B B B S 7 j SIEM ENS D>Cy/-/3 SFH600 SERIES PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLER Package Dimensions in Inches mm 1 ? 3 4 5 6 ANODE CATHODE NOT CONNECTED EMITTER COLLECTOR B A SE M a x im u m R a tin g s FEATURES •

Contextual Info: SIEMENS C M P N T S i OPTO SIEM ENS • 44E D ^ u, • ñ23b35b GGQM'lfll T M S I E X CNY17F SERIES VDE LEAD BEND CNY17G F SERIES SINGLE CHANNEL PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLER NO BASE CONNECTION P a c k a g e D im e n sio n s in In c h e s m m CNY17F .907 (7

UN DIODA

Contextual Info: T-R4 przekaŸniki czasowe 259 • Jednofunkcyjne, jednonapięciowe przekaźniki czasowe, oferowane w wersjach: T-R4E - przekaźnik z funkcją czasową E, T-R4Wu - przekaźnik z funkcją czasową Wu, T-R4Bi - przekaźnik z funkcją czasową Bi, T-R4Bp - przekaźnik z funkcją czasową Bp

PDC4310

Contextual Info: T & D TECHNOLOGIE S USE D • 1105003 QQG007M 7 Œ B T D T PDT1412/1411 PIGTAILED PIN PHOTODIODE Features Applications I Hermetic construction ■ Instrumentation ■ Low dark current ■ O -E convertors ■ High reliability planar InGaAs PIN photodiode ■

B616

Abstract: ALP13 b711 B6644 AU120 AI242 AGB232 B6544 AGB240 B634
Contextual Info: 4 8 LP2T seria plastikowa Ø 22 mm Przyciski sterownicze Przyk³ad zamówienia: Przycisk wypuk³y kolor czerwony ze stykiem NO: 8 LP2T B104 + 8 LM2T C10 Uwaga: sposób monta¿u styków - str. 7. PRZYCISKI D£ONIOWE PRZYCISKI wyposa¿one w adapter mocuj¹cy,

RTC 40 HD-12-5 RTC

Abstract: UP62-70 up62 rse 4012-b RSC-HD0M60 2212B RR2I4030HDP RSE 40 1103km 2225B
Contextual Info: Urz¹dzenia do sterowania silników - Softstarty Uk³ady do ³agodnego rozruchu i zatrzymywania silników indukcyjnych Jest to najlepsza ochrona przed przedwczesnym zu¿ywaniem siê silników. Rozruch bezpoœredni lub rozruch typu gwiazda / trójk¹t s¹ nadal

tyrystory

Abstract: transoptor SMD dioda ADNA triak prze31cza DO40A N.A ZE
Contextual Info: 13 PrzekaŸniki pó³przewodnikowe PrzekaŸnik pó³przewodnikowy ang. Solid State Relay jest urz¹dzeniem za³¹czaj¹cym mocy, sk³adaj¹cym siê z komponentów elektronicznych. Termin "przekaŸnik" (ang. Relay) wskazuje, ¿e urz¹dzenie jest porównywalne do przekaŸnika

triac 1A60

Abstract: 1A60 2A23A30 1A48A 4-20ma ssr dioda 26 PR 84 RN1A60 2F48V30 1F23V30
Contextual Info: PRZEKANIKI PÓ£PRZEWODNIKOWE SOLITRON MINI ZINTEGROWANY Z RADIATOREM • • • • • • • • • stycznik pó³przewodnikowy AC 22,5mm szerokoœci za³¹czanie w zerze dla aplikacji silnikowych i ogrzewania pr¹d znamionowy 10 i 20A znamionowe napiêcie obci¹¿enia:

Contextual Info: OPTEK TECHNOLOGY INC QhE D ] b7TflSÔD DD0QSS5 7 | Optoelectronics Division 1987 C ost S a v e r Product! TRW Electronic Components Group C a |, T R W for more -information! § M \ W W Product Bulletin 5226 _ T - H - <S>£ _ January 1985 Optically Coupled Isolators

MW131

Abstract: OPI2100 QPI2100 VDC111 LP323
Contextual Info: OPTEK TECHNOLOGY INC QfaE D Optoelectronics Division TRW Electronic Components Group Product Bulletin 5198. January 1985 7 I b ^öSöQ oooosaa | 1987 Cost Saver Product! Call TRW for more information! TRYw -T ' V /- 8 3 Optically Coupled Isolators Type QPI21Q0

4804C

Abstract: NA-06 SFH480403
Contextual Info: SIEM EN S G a A I A s - L a s e r D io d e 1 0 0 0 m W S F H 4 Ö0 4 0 2 SFH 480403 Features * Monochromatic coherent radiafcon source for pulse and cw-Qpeiation • M Q CV D querifurii-well structure * Dieleotrc asymmetric coated laser mirrors * Emissionwi-dth: 20C u.m

dioda by 238

Abstract: 1xys 1XFM67N10 HiperFET IXFN50N25 IXFM50N20 IXFM6N90 IXFH40N30 IXFH10N100 IXFH11N100
Contextual Info: I X Y S CORP IñE D • 4bflb22b 0000573 1 ■ HiPerFETs_ The HiPerFET family of Power MOSFETs is designed to provide superior dv/dt performance while eliminating the need for discrete, fast recovery "free wheeling" rectifiers in a broad range of power switching

VM-50V

Contextual Info: SSS6N80A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDS8 = 800 V • ■ Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology ^DS on = lD = 3.5 A ■ Lower Input Capacitance ■ Improved Gate Charge ■ Extended Safe Operating Area ■ ■ Lower Leakage Current : 25 M A(M ax) @ VM = 800V