Siebensegmentanzeige
Abstract: cqy 17 CQY91A CQY 84 common kathode 7-segment CQY 65 CQY91K siebensegment cqy91 cqy92A
Contextual Info: « H CQY 91 A • CQY 91 K CQY 92 A • CQY 92 K CQY 93 A • CQY 93 K » 'W Rot-, grün- und gelbleuchtende Sieben-Segment-Anzeigen GaAsP und GaP Red, green and yellow Light Emitting Seven Segment Displays (GaAsP and GaP) Anwendung: Allgemeine Anzeigezwecke
|
OCR Scan
|
|
PDF
|
CQY86
Abstract: cqy 77 CQY 65 CQY87 V178P V179P V180P 2094V
Contextual Info: A CQY 85 • CQY 86 • CQY 87 V 1 7 8 P - V 1 7 9 P - V180P « n » 'W Rot-, grün- und gelbleuchtende Lumineszenzdioden GaAsP und GaP Red, green and yellow Light Emitting Diodes (GaAsP and GaP) Anwendung: Allgem eine Anzeigezwecke Application: General indicating purposes
|
OCR Scan
|
V178P
-V179P
-V180P
CQY86
cqy 77
CQY 65
CQY87
V179P
V180P
2094V
|
PDF
|
cqy 17
Abstract: CQY 65 7718 cqy 89 cqy 89 a CQY75 CQY 40
Contextual Info: CQY 41 • CQY 73 • CQY 75 Rot-, grün- und gelbleuchtende Lumineszenzdioden GaAsP und GaP Red, green and yellow Light Emitting Diodes (GaAsP and GaP) Anwendung: A llgem eine Anzeigezwecke Application: General indicating purposes Besondere Merkmale: • M iniatur-Kunststoffgehäuse
|
OCR Scan
|
|
PDF
|
CQY74
Abstract: CQY40L CQY 40 CQY74L cqy 81 CQY 65 CQY 84 cqy 77 cqy40 Anzeige
Contextual Info: « "w CQY 4 0 L • CQY 72 L • CQY 74 L V 168 P • V 169 P V170P I 1 Rot-, grün- und gelbleuchtende Lumineszenzdioden GaAsP und GaP Red, green and yellow Light Emitting Diodes (GaAsP and GaP) Anwendung: Allgem eine Anzeigezwecke A p p lic a tio n : General indicating purposes
|
OCR Scan
|
V168P
V169P
V170P
CQY74L
CQY74
CQY40L
CQY 40
cqy 81
CQY 65
CQY 84
cqy 77
cqy40
Anzeige
|
PDF
|
IR diodes TFK 4 245
Abstract: TFK 751 IR diodes TFK 4 940 TFK 940 IR diodes TFK 4 7313 28 pin TFK 925 TFK diodes CQY 65 TFK diodes application
Contextual Info: CQY 36 • CQY 37 Galiliumarsenid-Lumineszenzdioden Ga>4s Infrared Emitting Diodes Anw endung: Strahlungsquelle im nahen Infrarot-Bereich Application: Radiation source in near infrared range Besondere M erkm ale: Features: • Kunststoff-M iniaturgehäuse
|
OCR Scan
|
|
PDF
|
TFK 940
Abstract: TFK BPW 75 IR diodes TFK 4 245 TFK 925 cqy 17 IR diodes TFK 4 BPW 64 TFK BPW 14 C TFK BPW 20 diode tfk
Contextual Info: CQY 3 6 /9 • CQY 37/9 Neunteilige Galliumarsenid-Lumineszenzdiodenzeilen 9 Element GaAs Infrared Emitting Diodes Arrays Anwendung: Strahlungsquelle im nahen Infrarot-Bereich für Lochstreifenleser Application: Radiation source in near infrared range for tape readers
|
OCR Scan
|
|
PDF
|
DIN 50014
Abstract: tfk 248 CQY 248 CQY42 CQY 65
Contextual Info: . « I l » CQY 42 Optoelektronisches Koppelelement Optically Coupled Isolator Aufbau C o n stru ctio n Emitter: Detektor : GaAs-Lumineszenzdiode Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Fototransistor Anwendungen: Galvanische Trennung von Stromkreisen, Rückwirkungsfreier Schalter
|
OCR Scan
|
|
PDF
|
TFK BPW 75
Abstract: TFK 940 TFK 19 001 tfk bpw 77 tfk BPX 28 diode s .* tfk cqy 35 n TFK bpw BPW19 MB28C
Contextual Info: CQY 39 Zehnteilige Galliumarsenid-Lumineszenzdiodenzeile 10 Element GaAs Infrared Emitting Diodes Array Anwendung: Strahlungsquelle im nahen Infrarot-B ereich für Lochstreifenleser Application: Radiation source in near infrared range for tape readers Besondere Merkmale:
|
OCR Scan
|
mb-28
TFK BPW 75
TFK 940
TFK 19 001
tfk bpw 77
tfk BPX 28
diode s .* tfk
cqy 35 n
TFK bpw
BPW19
MB28C
|
PDF
|
LP 8029
Abstract: DIN 7990 CQY 26 7922 diode cqy 35 n BPW17N CQY37N cqy 17
Contextual Info: CQY 37 N TELEFUNKEN Semiconductors GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature T–¾ Package Description CQY37N is a standard GaAs infrared emitting diode in a miniature top view plastic package. Its clear lens provides a high radiant intensity without external optics.
|
Original
|
CQY37N
BPW17N
D-74025
LP 8029
DIN 7990
CQY 26
7922 diode
cqy 35 n
BPW17N
cqy 17
|
PDF
|
LP 8029
Abstract: CQY 24 DIN 7990 diode 8638 cqy 17 BPW16N CQY36N
Contextual Info: CQY 36 N TELEFUNKEN Semiconductors GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature T–¾ Package Description CQY36N is a standard GaAs infrared emitting diode in a miniature top view plastic package. Its flat window provides a wide aperture making it ideal for use with external optics.
|
Original
|
CQY36N
BPW16N
D-74025
LP 8029
CQY 24
DIN 7990
diode 8638
cqy 17
BPW16N
|
PDF
|
BPW17
Abstract: tfk Phototransistor CQY 99
Contextual Info: S< BPW 16/9 • BPW 17/9 'V Neunteilige 9-Element Silicon NPN Epitaxial Planar Phototransistor Arrays Anwendungen: Lochstreifenabtastung A pplications: Punched card and tape readers Features: Besondere Merkmale:
|
OCR Scan
|
|
PDF
|
bpx28
Abstract: Germanium diode OA 182 TAA920 fy sot 143 BSV57B AC187K BPW14 BF194 AD 161 BPX34
Contextual Info: Halbleiter TELE FUN KEN Übersicht Sem iconductor survey 1972/1973 B2/V.3.20/0872 D ie s e Liste soll die W ahl g ee ig n e te r H albleiter-Typen fü r die verschiedenen A n w en du ng szw ecke e rleich te rn . Z ur besseren Ü b e rs ic h t sind nur die w e se ntlich en D aten
|
OCR Scan
|
|
PDF
|
RPY 86
Abstract: valvo halbleiter RPY94 CQY 24 BV EI 30-20 3001 LDR 03 diode byx 64 600 valvo transistoren KP101A BAV99-1
Contextual Info: Elektronik. Wir bauen die Elemente. v a i v D Halbleiterbauelemente Produktprogramm DH, April 1984 Elektronik. Wir bauen die Elemente Unser Arbeitsgebiet - besonders die Mikroelektronik - entwickelt sich immer rascher zum Motor für eine Vielzahl von Innovationen. Mit gründ
|
OCR Scan
|
|
PDF
|
BPW16N
Abstract: CQY 24
Contextual Info: TELEFUNKEN Semiconductors BPW 16 N Silicon NPN Phototransistor Description BPW16N is a silicon NPN epitaxial planar phototransistor in a miniature plastic case with flat window. With a lead center to center spacing of 2.54mm and a package width of 2.4mm the devices are
|
Original
|
BPW16N
D-74025
CQY 24
|
PDF
|
|
|
LDR 03
Abstract: valvo halbleiter LDR -03 cny63 CNY62 BYX 71 800 CXY19 VALVO ldr 07 BZW10-12
Contextual Info: Halbleiter bauelemente • 1981/82 N, Bauelemente l m für die gesamte i f Elektronik V A L V O Valvo bietet das breiteste Produktprogram m an Bauelementen für die gesamte Elektronik in Deutschland: Bildröhren A blenkteile Tuner Lautsprecher Transform atoren
|
OCR Scan
|
|
PDF
|
CQY80
Abstract: VR BH RC CQY 95 CQY80NG
Contextual Info: Temic CQY80N G S e m i c o n d u c t o r s Optocoupler with Phototransistor Output Order Nos. and Classification table is on sheet 2. Description The CQY80N(G) series consist of a phototransistor optically coupled to a gallium arsenide infrared-emitting diode in a 6-lead plastic dual inline package.
|
OCR Scan
|
CQY80N
D-74025
12-Dec-97
CQY80
VR BH RC
CQY 95
CQY80NG
|
PDF
|
TCHT1130
Abstract: Ex-90C
Contextual Info: J TELEFUNKEN ELECTRONIC 4ME D HH fi^GO^ti 001117= T E i ALG6 Optocouplers ' T ' H I - $ "J? Standard Opto Isolators w ith Transistor Output Package Type C haracteristics UL-recognized: CTR File No. E 76414 Dimensions see page 56 - _ i j bW 1T T m N ; liJ
|
OCR Scan
|
TCHT1130
0806/IE
601-0860/IEC
TCHT1130
Ex-90C
|
PDF
|
Photo diode TFK S 186 P
Abstract: TFMS 4300 IR diodes TFK S 186 P TFK BPW 41 N diode TFMt 4300 tfmt 4300 ir detector IR diode TFK 186 tfms 4300 n mobile receptor tfm 5380 TFK S 186 P
Contextual Info: Infrared Emitters and Detectors Data Book 1994 TELEFUNKEN Semiconductors TELEFUNKEN Semiconductors Table of Contents General Information 1. Selector guide 11 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 Alpha-numeric index IR emitters Detectors Photomodules IrDA-infrared data transmission
|
Original
|
|
PDF
|
gruner 281
Abstract: gruner 281 A 17 200 D gruner 275 A 17 200 gruner 275 c 17 gruner 283 gruner* 281 B 17 200 D gruner 275 A 17 200 D NRED gruner 275 A A63-120X
Contextual Info: Netzröhre fur GW-Heizung indirekt geheizt TELEFUNKEN DA-AC-Heating indirectly heated A 63-120 X FarbFernsehbiidröhre Colour TV picture tube Vorläufige technische Daten - Tentative data Rechteckige Farb-Fernsehbildröhre. Farbmischung mittels 3 Elektronenstrahlen durch eine Lochmaske
|
OCR Scan
|
|
PDF
|
BD512 mosfet
Abstract: itt transistoren Relais ITT halbleiterwerk transistor 2N 3055 ITT Intermetall Leuchtdiode CQY 40 transistor BD 522 schaltregler BD512
Contextual Info: VMOS Transistoren Eigenschaften und Schaltungsbeispiele 6240-09-2 D INTERMETALL Halbleiterwerk der Deutsche ITT Industries GmbH VMOS-Transistoren Eigenschaften und Schaltungsbeispiele Zusammengestellt von folgenden Mitarbeitern der ITT Semiconductors Gruppe
|
OCR Scan
|
|
PDF
|
RTM 866 - 480
Abstract: SAK 110 TAA775G ITT TCA 700 Y SAJ 220 SG 2368 ITT 90 38 TCA 700 Y SAJ110 TCA 430 taa790
Contextual Info: Halbleiter bauelemente 1972/73 INTERMETALL H albleiterwerk der Deutsche ITT Industries GmbH ITT Alphabetisches Typenverzeichnis Typ S eite Typ S eite Typ Seite 1 N 914 42 2 N 3055 38 BB 121 1 N914A 1 N914B 1 N 3604 42 42 42 2 N 3962 33 BB 122 2 N 3963 2 N 3964
|
OCR Scan
|
N914A
N914B
RTM 866 - 480
SAK 110
TAA775G
ITT TCA 700 Y
SAJ 220
SG 2368
ITT 90 38 TCA 700 Y
SAJ110
TCA 430
taa790
|
PDF
|