CD010x-VA0330-x |
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Hua Jung Components
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Leaded Inductor |
Original |
PDF
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62.51KB |
1 |
CD0140 |
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Unknown
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Shortform Data and Cross References (Misc Datasheets) |
Short Form |
PDF
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29.89KB |
1 |
CD0140 |
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Unknown
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Shortform IC and Component Datasheets (Plus Cross Reference Data) |
Short Form |
PDF
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69.43KB |
1 |
CD0140 |
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Unknown
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Cross Reference Datasheet |
Scan |
PDF
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33.35KB |
1 |
CD01CFW |
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Teledyne Relays
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SSR, DC Input Type, 2A Max Output Current, 1000V I/O Isolation |
Original |
PDF
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83.73KB |
4 |
CD01CFY |
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Teledyne Relays
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SSR, DC Input Type, 2A Max Output Current, 1000V I/O Isolation |
Original |
PDF
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83.73KB |
4 |
M88MR5RCD01 |
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Montage Technology
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M88MR5RCD01 是第一代 DDR5 多路复用寄存时钟驱动器 (MRCD) 芯片,支持高达 8800MT/s 的数据速率。该芯片精确缓冲并重新驱动来自内存控制器的地址、命令、时钟及控制信号。相较于传统的 DDR5 RCD 芯片,MRCD 在标准速率下能够生成四个独立的芯片选择信号,实现更灵活、更高效的内存管理操作。MRCD 芯片与多路复用数据缓冲器 (MDB) 芯片协同工作,应用于新一代 DDR5 MRDIMM / MCRDIMM 内存模组中,可将内存系统带宽提高一倍,有效满足当前 AI 训练、推理和大规模数据分析等高性能计算场景对内存吞吐量的迫切需求。传输速率高达 8800MT/s具有两个子通道,每个子通道又分为两个伪通道,以增加主机系统的总带宽两个伪通道分别接收 CA (命令/地址) 信号输入并生成独立的 CA 输出信号内部集成PLL时钟驱动器,将每个通道的单路输入差分时钟对,扩展成五路输出差分时钟对两个子通道分别执行 CA 和 DPAR 输入信号的奇偶校验检查配备 BCOM 总线,用以控制多路复用数据缓冲器 (MDB)输出特性可通过控制字寄存器进行配置支持 I²C 和 I3C 基本模式的侧边总线接口支持 CA、CS、DFE 和 BCOM 训练模式支持三种节能模式1.1V VDD 和 1.0V VDDIO 电压绿色封装:240 球 FBGADDR5 MRDIMM / MCRDIMM |
Original |
PDF
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M88DR5RCD01 |
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Montage Technology
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M88DR5RCD01是符合JEDEC标准的第一代DDR5寄存时钟驱动器(RCD)芯片,最高支持4800MT/s速率。该芯片采用双通道内存架构,支持1.1V VDD电压。M88DR5RCD01除了可作为中央缓冲器单独用于寄存双列直插内存模组(RDIMM)之外,还可以与第一代DDR5数据缓冲器(DB)芯片组成套片,用于减载双列直插内存模组(LRDIMM),以提供更高容量、更低功耗的内存解决方案。注:此处以 DDR5 RDIMM 为例,展示了 RCD 芯片在内存模组上的应用示意图。符合JEDEC DDR5RCD01标准最高支持4800MT/s速率支持双通道1:2命令/地址/控制信号输入的寄存缓冲内部集成PLL时钟驱动模块,每通道输出5对差分时钟信号支持 1.1V VDD 和1.0V VDDIO电压每通道支持2位片选信号支持命令和地址输入信号的奇偶校验,通道之间独立运行支持片选、命令/地址和DFE校准训练模式输出信号特性可通过寄存器控制字进行配置提供Sideband接口,支持I²C和I3C Basic模式支持多种节电模式超低功耗绿色封装: 240 球 FCBGADDR5 RDIMMDDR5 LRDIMM |
Original |
PDF
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