2012 - BYT52J
Abstract: BYT52M byt52g BYT52D
Text: BYT52A, BYT52B, BYT52D, BYT52G, BYT52J , BYT52K, BYT52M Vishay Semiconductors Fast Avalanche , diode PARTS TABLE PART BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M TYPE DIFFERENTIATION VR = 50 , electrical characteristics BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M Peak forward surge current Average forward current Non , board l = 10mm BYT52J I(BR)R = 0.4 A BYT52K BYT52M SYMBOL VR = VRRM VR = VRRM VR = VRRM VR = VRRM VR = , , BYT52G, BYT52J , BYT52K, BYT52M Vishay Semiconductors Fast Avalanche Sinterglass Diode MAXIMUM
|
Original
|
PDF
|
BYT52A,
BYT52B,
BYT52D,
BYT52G,
BYT52J,
BYT52K,
BYT52M
2002/95/EC
2002/96/EC
OD-57
BYT52J
BYT52M
byt52g
BYT52D
|
2012 - BYT52D
Abstract: BYT52J BYT52A
Text: BYT52A, BYT52B, BYT52D, BYT52G, BYT52J , BYT52K, BYT52M Vishay Semiconductors Fast Avalanche , diode PARTS TABLE PART BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M TYPE DIFFERENTIATION VR = 50 , electrical characteristics BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M Peak forward surge current Average forward current Non , board l = 10mm BYT52J I(BR)R = 0.4 A BYT52K BYT52M SYMBOL VR = VRRM VR = VRRM VR = VRRM VR = VRRM VR = , , BYT52G, BYT52J , BYT52K, BYT52M Vishay Semiconductors Fast Avalanche Sinterglass Diode MAXIMUM
|
Original
|
PDF
|
BYT52A,
BYT52B,
BYT52D,
BYT52G,
BYT52J,
BYT52K,
BYT52M
2002/95/EC
2002/96/EC
OD-57
BYT52D
BYT52J
BYT52A
|
2003 - BYT52 diode
Abstract: BYT52 BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M
Text: 400 V; IFAV = 1.4 A SOD57 BYT52J VR = 600 V; IFAV = 1.4 A SOD57 BYT52K VR = 800 V , BYT52G VR = VRRM 400 V see electrical characteristics BYT52J VR = VRRM 600 V , °C BYT52J ER 10 mJ I(BR)R = 0.4 A BYT52K ER 10 mJ I(BR)R = 0.4 A
|
Original
|
PDF
|
BYT52.
MILSTD-750,
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
D-74025
07-Jan-03
BYT52 diode
BYT52
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52J
BYT52K
BYT52M
|
Not Available
Abstract: No abstract text available
Text: BYT52A, BYT52B, BYT52D, BYT52G, BYT52J , BYT52K, BYT52M www.vishay.com Vishay Semiconductors , SOD-57 BYT52J VR = 600 V; IF(AV) = 1.4 A SOD-57 BYT52K VR = 800 V; IF(AV) = 1.4 A , See electrical characteristics BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M VR = VRRM , 0.4 A BYT52J BYT52K BYT52M Document Number: 86029 1 For technical questions within your , DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000 BYT52A, BYT52B, BYT52D, BYT52G, BYT52J , BYT52K, BYT52M
|
Original
|
PDF
|
BYT52A,
BYT52B,
BYT52D,
BYT52G,
BYT52J,
BYT52K,
BYT52M
OD-57
MIL-STD-750,
|
1996 - VARISTOR k275
Abstract: 07 k275 varistor k275 varistor U2008B equivalent 05 k275 capacitor k275 zener k275 07 K275 k275 T2D19
Text: 100 nF 250 V BYT52J 300 k L 1N4148 100 1, 0.5 W 0.68 BYT52J 230 Vac 0.6 mH , 20 mH BUF654 100 nF 250 V BYT52J 56 k BC547 10 nF 100 V 22 100 1N4148 0.68 , 0.6 mH 220 nF 250 V BZX55 22 k 2W BYT52J 120 k Toroidal core 20 mH BUF644 1 , 0.5 W 4 x BYT51K 120 k BYT52J max. 100 W 12 Vac 100 nF 250 V 100 nF 250 V , 1N4148 100 22 BYT52J Toroidal core 0.68 20 mH 120 k max. 100 W 12 VAC 120
|
Original
|
PDF
|
ANT011
U2008B
VARISTOR k275
07 k275 varistor
k275 varistor
U2008B equivalent
05 k275
capacitor k275
zener k275
07 K275
k275
T2D19
|
2010 - BYT52A
Abstract: No abstract text available
Text: BYT52A, BYT52B, BYT52D, BYT52G, BYT52J , BYT52K, BYT52M Vishay Semiconductors Fast Avalanche , diode PARTS TABLE PART BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M TYPE DIFFERENTIATION VR = 50 , electrical characteristics BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M Peak forward surge current Average forward current Non , board l = 10mm BYT52J I(BR)R = 0.4 A BYT52K BYT52M SYMBOL VR = VRRM VR = VRRM VR = VRRM VR = VRRM VR = , , BYT52G, BYT52J , BYT52K, BYT52M Vishay Semiconductors Fast Avalanche Sinterglass Diode MAXIMUM
|
Original
|
PDF
|
BYT52A,
BYT52B,
BYT52D,
BYT52G,
BYT52J,
BYT52K,
BYT52M
2002/95/EC
2002/96/EC
OD-57
BYT52A
|
2004 - BYT52
Abstract: BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M DIODE WITH SOD CASE
Text: 1.4 A SOD-57 BYT52J VR = 600 V; IFAV = 1.4 A SOD-57 BYT52K VR = 800 V; IFAV = 1.4 A , 400 V BYT52J Document Number 86029 Rev. 1.6, 12-Aug-04 tp = 10 ms, half sinewave 600 , 1.4 A Tj = Tstg - 55 to + 175 °C BYT52J ER 10 mJ BYT52K ER 10 mJ
|
Original
|
PDF
|
BYT52.
OD-57
MIL-STD-750,
BYT52A
OD-57
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52J
BYT52K
BYT52M
DIODE WITH SOD CASE
|
2015 - Not Available
Abstract: No abstract text available
Text: BYT52A, BYT52B, BYT52D, BYT52G, BYT52J , BYT52K, BYT52M www.vishay.com Vishay Semiconductors , SOD-57 BYT52J VR = 600 V; IF(AV) = 1.4 A SOD-57 BYT52K VR = 800 V; IF(AV) = 1.4 A , See electrical characteristics BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M VR = VRRM , 0.4 A BYT52J BYT52K BYT52M Document Number: 86029 1 For technical questions within your , DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000 BYT52A, BYT52B, BYT52D, BYT52G, BYT52J , BYT52K, BYT52M
|
Original
|
PDF
|
BYT52A,
BYT52B,
BYT52D,
BYT52G,
BYT52J,
BYT52K,
BYT52M
OD-57
MIL-STD-750,
|
2012 - BYT52M
Abstract: No abstract text available
Text: BYT52A, BYT52B, BYT52D, BYT52G, BYT52J , BYT52K, BYT52M www.vishay.com Vishay Semiconductors , BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M TYPE DIFFERENTIATION VR = 50 V; IF(AV) = 1.4 A VR = 100 , CONDITION PART BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M SYMBOL VR = VRRM VR = VRRM VR = VRRM VR = , forward current tp = 10 ms, half sine wave On PC board l = 10 mm I(BR)R = 0.4 A BYT52J BYT52K BYT52M , ?91000 BYT52A, BYT52B, BYT52D, BYT52G, BYT52J , BYT52K, BYT52M www.vishay.com Vishay Semiconductors
|
Original
|
PDF
|
BYT52A,
BYT52B,
BYT52D,
BYT52G,
BYT52J,
BYT52K,
BYT52M
OD-57
MIL-STD-750,
BYT52M
|
SOD57 Package
Abstract: BYT52 diode byt52m
Text: : Any Weight: 370 mg, (max. 500 mg) Parts Table Part BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K , type BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M Symbol VR = VRRM VR = VRRM VR = VRRM VR = VRRM VR , (BR)R = 0.4 A BYT52J BYT52K BYT52M on PC board l = 10 mm Test condition tp = 10 ms, half sinewave Sub
|
Original
|
PDF
|
BYT52
MILSTD-750,
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52J
BYT52K
BYT52M
SOD57 Package
BYT52 diode
|
2005 - BYT52J
Abstract: No abstract text available
Text: Mounting Position: Any Weight: approx. 369 mg Parts Table Part BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J , condition see electrical characteristics Part BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M Peak forward , Junction and storage temperature range Non repetitive reverse avalanche energy I(BR)R = 0.4 A BYT52J BYT52K
|
Original
|
PDF
|
BYT52.
2002/95/EC
2002/96/EC
OD-57
MIL-STD-750,
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52J
|
2009 - BYT52M
Abstract: BYT52 diode BYT52G BYT52 BYT52A BYT52B BYT52D BYT52J BYT52K
Text: -57 BYT52D VR = 200 V; IFAV = 1.4 A SOD-57 BYT52G VR = 400 V; IFAV = 1.4 A SOD-57 BYT52J , BYT52J Document Number 86029 Symbol VR = VRRM BYT52G tp = 10 ms, half sinewave Part , BYT52J ER 10 mJ BYT52K ER 10 mJ BYT52M Average forward current Part ER
|
Original
|
PDF
|
BYT52.
2002/95/EC
2002/96/EC
OD-57
MIL-STD-750,
BYT52A
OD-57
BYT52B
BYT52D
BYT52M
BYT52 diode
BYT52G
BYT52
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52J
BYT52K
|
2006 - diode sod57
Abstract: BYT52J SOD-57 BYT52 BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52K BYT52M
Text: -57 BYT52D VR = 200 V; IFAV = 1.4 A SOD-57 BYT52G VR = 400 V; IFAV = 1.4 A SOD-57 BYT52J , BYT52J Document Number 86029 Symbol VR = VRRM BYT52G tp = 10 ms, half sinewave Part , BYT52J ER 10 mJ BYT52K ER 10 mJ BYT52M Average forward current Part ER
|
Original
|
PDF
|
BYT52.
2002/95/EC
2002/96/EC
OD-57
MIL-STD-750,
BYT52A
OD-57
BYT52B
BYT52D
diode sod57
BYT52J
SOD-57
BYT52
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52K
BYT52M
|
2001 - Not Available
Abstract: No abstract text available
Text: Tj=Tstg A A °C mJ I(BR)R=0.4A BYT52J. BYT52M ER Maximum Thermal Resistance Tj = 25 , BYT52. Vishay Semiconductors Fast Silicon Mesa Rectifiers Features D D D D Glass passivated junction Hermetically sealed package Low reverse current Soft recovery characteristics Applications Fast rectifiers and switches 94 9539 Absolute Maximum Ratings Tj = 25_C Parameter Test Conditions Type BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M Symbol Value 50 100 200 400 600 800 1000 50
|
Original
|
PDF
|
BYT52.
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52J
BYT52K
BYT52M
D-74025
27-Sep-00
|
|
BYT52
Abstract: BYT52M BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52A D25M TELEFUNKEN BYT52J
Text: IFSM IFAV BYT52J. BYT52M V A A Maximum Thermal Resistance Tj = 25_C Parameter , = Re etitive eak Repetitive peak reverse voltage Type BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J
|
Original
|
PDF
|
BYT52.
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52J
BYT52K
BYT52M
D-74025
27-Sep-00
BYT52
BYT52M
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52J
BYT52K
BYT52A
D25M
TELEFUNKEN BYT52J
|
2000 - Not Available
Abstract: No abstract text available
Text: BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M Peak Fwd. Surge Peak Inverse Current @ 8.3 ms Voltage
|
Original
|
PDF
|
5000Ammo
5000/Reel
5000/Ammo
BYV12
BYV13
|
9448 diode
Abstract: w 9446 BYT52 diode 9446 diode R/gi 9448 diode 9447 diode byt52 diode byt52 m 1/gi 9448 diode
Text: BYT52. Fast Silicon Mesa Rectifiers Temic S e m i c o n d u c t o r s Features · · · · Glass passivated junction Hermetically sealed package Low reverse current Soft recovery characteristics Applications Fast rectifiers and switches Absolute Maximum Ratings Tj = 25°C Parameter Reverse voltage, peak reverse voltage Test Conditions Type BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M Peak forward surge current Average forward current Junction temperature Storage temperature range tp= 10ms Fig. 1 1=1
|
OCR Scan
|
PDF
|
BYT52.
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52J
BYT52K
BYT52M
100KAV
12-Dec-94
9448 diode
w 9446
BYT52 diode
9446 diode
R/gi 9448 diode
9447 diode
byt52
diode byt52 m
1/gi 9448 diode
|
byt52
Abstract: byt520
Text: Te m ic TELEFUNKEN Semiconductors BYT52. Fast Silicon Mesa Rectifiers Features · · · · G lass passivated junction H erm etically sealed package L ow reverse current Soft recovery characteristics Applications Fast rectifiers and sw itches Absolute Maximum Ratings T; = 2 5 °C Param eter Reverse voltage, peak reverse voltage Test C onditions Type BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M Peak forward surge current Average forward current Junction tem perature Storage tem perature
|
OCR Scan
|
PDF
|
BYT52.
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52J
BYT52K
BYT52M
byt52
byt520
|
1995 - BYT52
Abstract: BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M TELEFUNKEN BYT52J 9448 diode
Text: BYT52. TELEFUNKEN Semiconductors Fast Silicon Mesa Rectifiers Features D Glass passivated junction D Hermetically sealed package D Low reverse current D Soft recovery characteristics Applications Fast rectifiers and switches 94 9539 Absolute Maximum Ratings Tj = 25_C Parameter Reverse voltage, p g , peak reverse voltage Peak forward surge current Average forward current g Test Conditions Type BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M tp=10ms Fig. 1 l=10mm, TL
|
Original
|
PDF
|
BYT52.
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52J
BYT52K
BYT52M
D-74025
BYT52
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52J
BYT52K
BYT52M
TELEFUNKEN BYT52J
9448 diode
|
9448 diode
Abstract: No abstract text available
Text: BYT52. Vishay Telefunken Fast Silicon Mesa Rectifiers Features · · · · G lass passivated junction H erm etically sealed package Low reverse current Soft recovery characteristics Applications Fast rectifiers and sw itches Absolute Maximum Ratings Tj = 2 5 °C P aram eter R everse voltage =R epetitive peak reverse voltage Test C onditions Type BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M Peak forw ard surge current A verage forw ard current A verage forw ard current Junction and storage tem
|
OCR Scan
|
PDF
|
BYT52.
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52J
BYT52K
BYT52M
D-74025
24-Jun-98
9448 diode
|
1999 - 9448 diode
Abstract: BYT52 diode BYT52 BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M
Text: BYT52. Vishay Telefunken Fast Silicon Mesa Rectifiers Features D D D D Glass passivated junction Hermetically sealed package Low reverse current Soft recovery characteristics Applications 94 9539 Fast rectifiers and switches Absolute Maximum Ratings Tj = 25_C Parameter Reverse voltage g =Repetitive peak reverse voltage Test Conditions Peak forward surge current Type BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M Average forward current Average forward
|
Original
|
PDF
|
BYT52.
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52J
BYT52K
BYT52M
D-74025
24-Jun-98
9448 diode
BYT52 diode
BYT52
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52J
BYT52K
BYT52M
|
1996 - BYT52J
Abstract: BYT52 BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52K BYT52M 9446 diode
Text: BYT52. Fast Silicon Mesa Rectifiers Features D D D D Glass passivated junction Hermetically sealed package Low reverse current Soft recovery characteristics Applications Fast rectifiers and switches 94 9539 Absolute Maximum Ratings Tj = 25_C Parameter Reverse voltage, p g , peak reverse voltage g Peak forward surge current Average forward current g Test Conditions Type BYT52A BYT52B BYT52D BYT52G BYT52J BYT52K BYT52M tp=10ms Fig. 1 l=10mm, TL
|
Original
|
PDF
|
BYT52.
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52J
BYT52K
BYT52M
D-74025
12-Dec-94
BYT52J
BYT52
BYT52A
BYT52B
BYT52D
BYT52G
BYT52K
BYT52M
9446 diode
|
rgp10j diode
Abstract: FR207 diode diode rgp10g by399 diode RGP15G diode diode fr302 diode RGP30G RGP30B SDO-15 FR104 diode
Text: DO-15 BYT52J 600 1.0 75 40 5.0 1.0 1.3 200 DO-15 BYT52K 800
|
Original
|
PDF
|
1N4933
DO-41
1N4934
1N4935
1N4936
DO-15
RGP15M
rgp10j diode
FR207 diode
diode rgp10g
by399 diode
RGP15G diode
diode fr302
diode RGP30G
RGP30B
SDO-15
FR104 diode
|
bvy27-200
Abstract: BY228 equivalent ERD29-08 ERC06-15s ERC05-10b BYD14J RGP15J equivalent BYD14G ERD28-06S BVY28-200
Text: BYT52K 2 BY527 BY527 1 BYV95E BYT52J 2 BY584 BY203-20S 2, 3 BYV96D , RGP15G BYW34 2, 3 MUR430 SF5403 2, 3 RGP15J BYT52J 3 MUR440 SF5404 2, 3
|
Original
|
PDF
|
1N5190GP
BYW76
BYT51D
1N5212
UTR2320
BYW32
UTR2340
BYW34
UTR3305
BYW72
bvy27-200
BY228 equivalent
ERD29-08
ERC06-15s
ERC05-10b
BYD14J
RGP15J equivalent
BYD14G
ERD28-06S
BVY28-200
|
2CZRU2
Abstract: 2AP10 IS1835 2ap9 2cz1834 is2473 is1885 2CZRG2 2Cz32 is2471
Text: 5 0.2 DO-15 BYT52J 600 1.0 40 1.3 1.0 5 0.2 DO-15 BYT52K 800
|
Original
|
PDF
|
IS1553
IS1554
IS1555
IS1834
DO-35
IS1835
IS1885
DO-41
2CZRU2
2AP10
IS1835
2ap9
2cz1834
is2473
is1885
2CZRG2
2Cz32
is2471
|