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    BPX 88 Search Results

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    BPX 88 Price and Stock

    ams OSRAM Group BPX 88

    SENSOR PHOTO 850NM TOP VIEW 6DIP
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    Pulse Electronics Corporation BPXX00040418820T00

    Power Inductors - SMD Chilisin Power - Inductor (IND) Ferrite SMD Shielded Type
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    BPX 88 Datasheets (5)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Type PDF
    BPX88 Infineon Technologies Phototransistor Array, 0.000000025 Dark Current, Multiple-digit array Original PDF
    BPX88 OSRAM Optical Sensors - Phototransistors, Sensors, Transducers, PHOTOTRANSISTOR NPN 850NM ARRAY Original PDF
    BPX 88 OSRAM Opto Semiconductors Sensors, Transducers - Optical Sensors - Phototransistors - PHOTOTRANSISTOR NPN 850NM ARRAY Original PDF
    BPX88 Siemens NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Original PDF
    BPX88 Siemens Silicon NPN Phototransistor Scan PDF

    BPX 88 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    Q62702-P21

    Abstract: Q62702-P22 Q62702-P25 Q62702-P26 Q62702-P28 Q62702-P30 Q62702-P31 Q62702-P32 Q62702-P33 Anders Electronics
    Text: BPX 80 BPX 82 . 89 BPX 80 BPX 82 . 89 feo06367 fez06365 NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im


    Original     		PDF feo06367 fez06365 IPCE/IPCE25o Q62702-P21 Q62702-P22 Q62702-P25 Q62702-P26 Q62702-P28 Q62702-P30 Q62702-P31 Q62702-P32 Q62702-P33 Anders Electronics

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2011-05-27 Silicon NPN Phototransistor Arrays NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Version 1.0 BPX 80, BPX 82 . BPX 89 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • • • • • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:


    Original     		PDF D-93055

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor Arrays NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Version 1.1 BPX 80, BPX 82 . BPX 89 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Miniature Array, Epoxy • Special: Multiple-digit array package


    Original     		PDF D-93055

    RADIALL CONTACT 620 600 257

    Abstract: Radiall arinc 620 600 Radiall arinc 620 800 066 Radiall 620 600 238 311601 coax FILOTEX METAL BRAID radiall 617 610 connector ABS1503KD24 Adams-Russell FC cable awg Radiall arinc 600 NSX
    Text: NSX ARINC 600 INTRODUCTION MULTICONTACT CONNECTORS NSX- ARINC 600 / BPX NSX series defined by ARINC 600 specification and BPX series (defined by Bœing S280W551 specification) are multipin rack and panel connectors used to connect high performance aeronautical equipments.


    Original     		PDF S280W551 RADIALL CONTACT 620 600 257 Radiall arinc 620 600 Radiall arinc 620 800 066 Radiall 620 600 238 311601 coax FILOTEX METAL BRAID radiall 617 610 connector ABS1503KD24 Adams-Russell FC cable awg Radiall arinc 600 NSX

    phototransistor 650 nm

    Abstract: foto transistor Q62702-P15 Q62702-P15-S2 Q62702-P15-S3 Q62702-P15-S4 BPX 38
    Text: BPX 38 BPX 38 fmo06018 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm


    Original     		PDF fmo06018 IPCE/IPCE25o ICEO/ICEO25o phototransistor 650 nm foto transistor Q62702-P15 Q62702-P15-S2 Q62702-P15-S3 Q62702-P15-S4 BPX 38

    foto transistor

    Abstract: BPX 43-3/4 BPX43 Q62702-P16 Q62702-P16-S2 Q62702-P16-S3 Q62702-P16-S4 Bpx 95 bis125
    Text: BPX 43 BPX 43 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from


    Original     		PDF fmof6019 IPCE/IPCE25o ICEO/ICEO25o foto transistor BPX 43-3/4 BPX43 Q62702-P16 Q62702-P16-S2 Q62702-P16-S3 Q62702-P16-S4 Bpx 95 bis125

    Bpx 95

    Abstract: foto transistor BPX43 Q62702-P16 Q62702-P16-S2 Q62702-P16-S3 Q62702-P16-S4 F912 bpx 43-4
    Text: BPX 43 BPX 43 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from


    Original     		PDF fmof6019 IPCE/IPCE25o ICEO/ICEO25o Bpx 95 foto transistor BPX43 Q62702-P16 Q62702-P16-S2 Q62702-P16-S3 Q62702-P16-S4 F912 bpx 43-4

    foto transistor

    Abstract: Q62702-P21 GEO06367 Q62702-P22 Q62702-P25 Q62702-P26 Q62702-P28 Q62702-P30 Q62702-P31 Q62702-P32
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy • Gruppiert lieferbar


    Original     		PDF IPCE/IPCE25o GEO06367 foto transistor Q62702-P21 GEO06367 Q62702-P22 Q62702-P25 Q62702-P26 Q62702-P28 Q62702-P30 Q62702-P31 Q62702-P32

    Q62702P0022

    Abstract: BPX osram
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy


    Original     		PDF

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    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy


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    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX 82 … 89 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy


    Original     		PDF

    Q62702P0022

    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 …89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy


    Original     		PDF

    13C2 insert

    Abstract: 282549001 120T2 S280W551 617 610 417 radiall S280W552
    Text: 4 NSX - BPX series Arinc 600 Page Page NSX - ARINC Introduction . 4-4 to 4-5 Application . 4-6


    Original     		PDF D7P001CE 13C2 insert 282549001 120T2 S280W551 617 610 417 radiall S280W552

    GEO06021

    Abstract: OHRD1938 Q62703-Q395 Q62703-Q67
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 261 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit BPX 81 • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode • High reliability


    Original     		PDF OHR01878 GEO06021 GEO06021 OHRD1938 Q62703-Q395 Q62703-Q67

    Bpx 95

    Abstract: Q62702-P16 Q62702-P16-S3 Q62702-P16-S4 Q62702-P3580 Q62702-P3581 Q62702-P3582 BPX 43-3/4
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 43 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C


    Original     		PDF IPCE/IPCE25o ICEO/ICEO25o Bpx 95 Q62702-P16 Q62702-P16-S3 Q62702-P16-S4 Q62702-P3580 Q62702-P3581 Q62702-P3582 BPX 43-3/4

    Q65110A3337

    Abstract: BPX osram GEOY6021 OHRD1938 Q62703-Q395
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 261 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit BPX 81 Miniatur-Gehäuse GaAs infrared emitting diode


    Original     		PDF

    BPX osram

    Abstract: GEOY6021 OHLY0598 OHRD1938 Q65110A3337
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 261 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit BPX 81


    Original     		PDF

    3LD261

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 261 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit BPX 81 • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode • High reliability


    Original     		PDF Q62703-Q395 Q62703-Q67 GEOY6021 3LD261

    bpx 43-4

    Abstract: BPX 43-3/4
    Text: 2007-04-02 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPX 43 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 450 . 1100 nm • Gehäuse: Metall Gehäuse TO-18 , hermetisch


    Original     		PDF D-93055 bpx 43-4 BPX 43-3/4

    bpy 79

    Abstract: irl 3034 bestellnummern-verzeichnis Q62702-P1187 bf 478 Q62702-P935 Q62607-S61 sfh siemens SFH415-T siemens Bestellnummern-Verzeichnis
    Text: SIEMENS Typ ‘ vorher Type ('formerly) BP 103 BP 103-2 BP 103-3 BP 103-4 BP 103-5 BP 104 F (*BP 104) BP 104 FS BP 104 S BPW21 BPW 33 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPX 38 B F FA FAS FS S BPX 38-2 BPX 38-3 BPX 38-4 BPX 38-5 BPX 43 BPX 43-2


    OCR Scan     		PDF BPW21 Q62702-P75 Q62702-P79-S1 Q62702-P79-S2 Q62702-P79-S4 62702-P781 Q62702-P84 Q62702-P1605 Q62702-P885 bpy 79 irl 3034 bestellnummern-verzeichnis Q62702-P1187 bf 478 Q62702-P935 Q62607-S61 sfh siemens SFH415-T siemens Bestellnummern-Verzeichnis

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    Abstract: No abstract text available
    Text: BPX81 2-10 TRANSISTOR ARRAYS BPX82— 89, 80 SIEMENS SINGLE TRANSISTOR Silicon NPN Phototransistor Dimensions in inches mm BPX81 Dimension “A*. Part No. Min. Max. BPX82 .177 (4.5) .193 (4.9) BPX 83 .275 (7.0) .291 (7.4) BPX 84 .377 (9.6) .393 (10) BPX 85


    OCR Scan     		PDF BPX81 BPX82â BPX82 GE006367 1000lx, 950nm BPX81-3 BPX81-4 BPX81-2

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    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS BPX80 BPX 82. 89 NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays -C ollector BPX 83 Cathode (LD 263) 2.54mm spacing M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale


    OCR Scan     		PDF BPX80 235hOS

    BPX81-4

    Abstract: BPX81-3 BPX81 BPX-81-4 Typ BPX81-2 BPX80 BPX81-2 BPX82 BPX89 phototransistor array
    Text: SIEMENS BPX81 2-10 TRANSISTOR ARRAYS BPX82-89, 80 SINGLE TRANSISTOR Silicon NPN Phototransistor Dimensions in inches mm BPX82-89, SO BPX81 Dimension “A” . Part No. Min. .141 (3.6) .1 2 6 (3 .2 ) Max. BPX 82 .177 (4.5) .193 (4.9) BPX 83 .275 (7.0) .291


    OCR Scan     		PDF BPX81 BPX82-89, BPX82 76K130 18-pln 023SbQS BPX81-4 BPX81-3 BPX81 BPX-81-4 Typ BPX81-2 BPX80 BPX81-2 BPX82 BPX89 phototransistor array

    BPX86B

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS BPX 80 BPX 82 . 89 fez06365 NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays "1;! ' C o lle c t o r B P X (ID 83 263) |feo06367 C a th o d e M a ß e in m m , w e n n n ic h t a n d e rs a n g e g e b e n /D im e n s io n s in m m . u n le s s o th e rw is e s p e c ifie d .


    OCR Scan     		PDF BPX80 BPX86B