BP 103 FA Search Results

bpy 79

Abstract: irl 3034 bestellnummern-verzeichnis Q62702-P1187 bf 478 Q62702-P935 Q62607-S61 sfh siemens SFH415-T siemens Bestellnummern-Verzeichnis
Contextual Info: SIEMENS Typ ‘ vorher Type ('formerly) BP 103 BP 103-2 BP 103-3 BP 103-4 BP 103-5 BP 104 F (*BP 104) BP 104 FS BP 104 S BPW21 BPW 33 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPX 38 B F FA FAS FS S BPX 38-2 BPX 38-3 BPX 38-4 BPX 38-5 BPX 43 BPX 43-2

BF900

Abstract: marking BP LED 103BF Fototransistor fototransistor led Q62702-P1057 Q62702-P1058 Q62702-P1192 Q62702-P85-S2 Q62702-P85-S3
Contextual Info: BP 103 B BP 103 BF .NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter BP 103 B BP 103 BF Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

BPX48

Abstract: SFH291 SFH100 fh205 BPW-21 SFH 314 fotodioden SFH317 bpx90 SFH2030
Contextual Info: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors Typenübersicht Summary of Types 1. Integrierter Empfänger Integrated Receiver 2. Fototransistoren Phototransistors S ' y •- S BP 103 SFH 302 S F H 50 6 BPX81 BPX 83 SFH 305 V BP X 90/F BPX 38 BP 103 B/BF SFH 313/FA

P781

Abstract: Q62702-P75 foto transistor Q62702-P79-S2 Q62702-P79-S1 Q62702-P79-S4 200 BP
Contextual Info: BP 103 BP 103 fet06017 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm

P781

Abstract: bp 103-5 BF900 B 103 Fotodiode fototransistor led SFH 212 transistor b 103 marking BP LED Q62702-P79-S2
Contextual Info: BP 103 BP 103 fet06017 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm

SIEMENS Phototransistors BPY

Abstract: 2108a siemens dioden SFH-506 SFH100 BPW21 300FA 2108 A SFH 314 SFH-10
Contextual Info: Silicon Photodetectors Si-Fotodetektoren Summary of Types Typenübersicht 1. Integrierter Empfänger Integrated Receiver 2. Fototransistoren Phototransistors ♦ SFH 506 BPX 81 3. SFH 300/FA SFH 313/FA SFH 314/FA BP 103 SFH 302 SFH 305 BPX 83 BP 104 F BPW 34 FA

Phototransistor bp 101

Abstract: fototransistor led bf 252 SFH 207 Q62702-P1057 Q62702-P1058 Q62702-P1192 Q62702-P85-S2 Q62702-P85-S3 Q62702-P85-S4
Contextual Info: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter BP 103B BP 103 BF Area not flat Emitter _ 2 5 .2 _ J 2 4.2 Collector 8.2 Approx. weight 0 .2 g

bp 103-5

Abstract: BP 103-3 bp 103-2 200 BP
Contextual Info: 2008-10-28 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Applications • • • • Anwendungen Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Computer-controlled flashes •

BP 103-3

Contextual Info: 2008-10-28 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Applications • • • • Anwendungen Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Computer-controlled flashes •

BP 103-3

Contextual Info: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 103 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed, Epoxy • Special: Base connection

Phototransistor bp 101

Abstract: P781
Contextual Info: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm

BPX osram

Abstract: E7800 242-E7800
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel • Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,

Contextual Info: SIEMENS BP 103 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm

BP 103-3

Contextual Info: 2007-04-04 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BP 103 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • Package: Metal Can TO-18 , hermetically sealed, Epoxy • Special: Base connection • High linearity

BP 103-3

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,

Q62702P0075

Abstract: osram Phototransistor GETY6017 OHLY0598 get 103 BP 103-3
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,

GETY6017

Abstract: OHLY0598 Q62702P0075 BP 103-3
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,

Phototransistor bp 101

Abstract: BP103 siemens
Contextual Info: SIEM ENS BP 103 fet06017 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, w enn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. W esentliche M erkmale Features • • • • Speziell geeignet für Anwendungen im

GET06017

Abstract: Q62702-P3577 Q62702-P75 Q62702-P79-S2 Q62702-P79-S4 BP 103-3
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, mit Basisanschluß Features • Especially suitable for applications from

foto transistor

Abstract: GETY6017 Q62702-P3577 Q62702-P75 BP 103-3
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, mit Basisanschluß • Especially suitable for applications from

BP 103-3

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, mit Basisanschluß Features • Especially suitable for applications from

Contextual Info: SIEMENS BP 103 SILICON NPN PHOTOTRJ* NSISTOR Package Dimensions in Inches mm 141 (3.6), Ti 18 (3.0) 571 (14.5) .492(12.5) _ Emitter i- E 0.100r (2.54) 0.169(4.3) 0.161 (4.1) Base T ^ v I 6 .0 1 8 0(0.45) _L Collector .106 (2.7) .216(5.5) .208 (5.3)

TMS320A2400A

Abstract: 74S169 S320A2400 AMI 8103
Contextual Info: TMS320A2400A MODEM DIGITAL SIGNAL PROCESSOR JU LY 1988 Full-Duplex Modem Operation at 2400, 1200, and 300 bp* • CCITT V.22 Us, V.22, V.21, BeU 212A. and Bell 103 Compatible TM S320A2400A N PACKAGE TOP VIEW • 1.8-p CMOS Technology for Low Power • Direct Interface to Low-Cost TCM29C13

Phototransistor bp 101

Abstract: SFH300 siemens SFH nm Q62702-P1057 Q62702-P1058 Q62702-P1189 Q62702-P1192 Q62702-P1193 Q62702-P85-S2 Q62702-P85-S3
Contextual Info: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 300 SFH 300 FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm SFH 300