BP 103 FA Search Results

bpy 79

Abstract: irl 3034 bestellnummern-verzeichnis Q62702-P1187 bf 478 Q62702-P935 Q62607-S61 sfh siemens SFH415-T siemens Bestellnummern-Verzeichnis
Contextual Info: SIEMENS Typ ‘ vorher Type ('formerly) BP 103 BP 103-2 BP 103-3 BP 103-4 BP 103-5 BP 104 F (*BP 104) BP 104 FS BP 104 S BPW21 BPW 33 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPX 38 B F FA FAS FS S BPX 38-2 BPX 38-3 BPX 38-4 BPX 38-5 BPX 43 BPX 43-2

BF900

Abstract: marking BP LED 103BF Fototransistor fototransistor led Q62702-P1057 Q62702-P1058 Q62702-P1192 Q62702-P85-S2 Q62702-P85-S3
Contextual Info: BP 103 B BP 103 BF .NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter BP 103 B BP 103 BF Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

BPX48

Abstract: SFH291 SFH100 fh205 BPW-21 SFH 314 fotodioden SFH317 bpx90 SFH2030
Contextual Info: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors Typenübersicht Summary of Types 1. Integrierter Empfänger Integrated Receiver 2. Fototransistoren Phototransistors S ' y •- S BP 103 SFH 302 S F H 50 6 BPX81 BPX 83 SFH 305 V BP X 90/F BPX 38 BP 103 B/BF SFH 313/FA

P781

Abstract: Q62702-P75 foto transistor Q62702-P79-S2 Q62702-P79-S1 Q62702-P79-S4 200 BP
Contextual Info: BP 103 BP 103 fet06017 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm

P781

Abstract: bp 103-5 BF900 B 103 Fotodiode fototransistor led SFH 212 transistor b 103 marking BP LED Q62702-P79-S2
Contextual Info: BP 103 BP 103 fet06017 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm

SIEMENS Phototransistors BPY

Abstract: 2108a siemens dioden SFH-506 SFH100 BPW21 300FA 2108 A SFH 314 SFH-10
Contextual Info: Silicon Photodetectors Si-Fotodetektoren Summary of Types Typenübersicht 1. Integrierter Empfänger Integrated Receiver 2. Fototransistoren Phototransistors ♦ SFH 506 BPX 81 3. SFH 300/FA SFH 313/FA SFH 314/FA BP 103 SFH 302 SFH 305 BPX 83 BP 104 F BPW 34 FA

Phototransistor bp 101

Abstract: fototransistor led bf 252 SFH 207 Q62702-P1057 Q62702-P1058 Q62702-P1192 Q62702-P85-S2 Q62702-P85-S3 Q62702-P85-S4
Contextual Info: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor NEU: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor NEW: Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter BP 103B BP 103 BF Area not flat Emitter _ 2 5 .2 _ J 2 4.2 Collector 8.2 Approx. weight 0 .2 g

BP 103-3

Contextual Info: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BP 103 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed, Epoxy • Special: Base connection

Phototransistor bp 101

Abstract: P781
Contextual Info: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm

BPX osram

Abstract: E7800 242-E7800
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel • Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,

Contextual Info: SIEMENS BP 103 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm

npn phototransistor package

Contextual Info: SIEMENS BP 103 SILICON NPN PHOTOTRANSISTOR Package Dimensions in Inches mm FEATURES Maximum Ratings • • • • • • • • • Operating and Storage Temperature Range Hop, Tstg) . -4 0° to +80°C Soldering Temperature (¿2 mm from case bottom)

BP 103-3

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,

Q62702P0075

Abstract: osram Phototransistor GETY6017 OHLY0598 get 103 BP 103-3
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 103 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,

Phototransistor bp 101

Abstract: BP103 siemens
Contextual Info: SIEM ENS BP 103 fet06017 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, w enn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. W esentliche M erkmale Features • • • • Speziell geeignet für Anwendungen im

GET06017

Abstract: Q62702-P3577 Q62702-P75 Q62702-P79-S2 Q62702-P79-S4 BP 103-3
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, mit Basisanschluß Features • Especially suitable for applications from

foto transistor

Abstract: GETY6017 Q62702-P3577 Q62702-P75 BP 103-3
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, mit Basisanschluß • Especially suitable for applications from

BP 103-3

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BP 103 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, mit Basisanschluß Features • Especially suitable for applications from

Contextual Info: SIEMENS BP 103 SILICON NPN PHOTOTRJ* NSISTOR Package Dimensions in Inches mm 141 (3.6), Ti 18 (3.0) 571 (14.5) .492(12.5) _ Emitter i- E 0.100r (2.54) 0.169(4.3) 0.161 (4.1) Base T ^ v I 6 .0 1 8 0(0.45) _L Collector .106 (2.7) .216(5.5) .208 (5.3)

TMS320A2400A

Abstract: 74S169 S320A2400 AMI 8103
Contextual Info: TMS320A2400A MODEM DIGITAL SIGNAL PROCESSOR JU LY 1988 Full-Duplex Modem Operation at 2400, 1200, and 300 bp* • CCITT V.22 Us, V.22, V.21, BeU 212A. and Bell 103 Compatible TM S320A2400A N PACKAGE TOP VIEW • 1.8-p CMOS Technology for Low Power • Direct Interface to Low-Cost TCM29C13

Phototransistor bp 101

Abstract: SFH300 siemens SFH nm Q62702-P1057 Q62702-P1058 Q62702-P1189 Q62702-P1192 Q62702-P1193 Q62702-P85-S2 Q62702-P85-S3
Contextual Info: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 300 SFH 300 FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm SFH 300

bp 103 fa

Abstract: foto transistor P1189 sfh 300-2 transistor bf 244 Q62702-P85-S3 Q62702-P85-S4 Q62702-P1057 Q62702-P1058 Q62702-P1189
Contextual Info: SFH 300 SFH 300 FA .NPN-Silizium-Fototransistor SFH 300 SFH 300 FA feof6652 feo06652 Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im

datasheet mv 103

Abstract: fototransistor led P1189 sfh 300-2 GEO06652 Q62702-P1057 Q62702-P1058 Q62702-P1189 Q62702-P1192 Q62702-P1193
Contextual Info: .NPN-Silizium-Fototransistor SFH 300 SFH 300 FA Silicon NPN Phototransistor 1.3 1.0 1.8 1.2 Chip position 5.9 5.5 25.2 24.2 7.8 7.5 9.0 8.2 0.6 0.4 GEO06652 feof6652 Collector 11.6 11.2 4.5 4.2 ø5.1 1.0 0.7 0.6 0.4 2.54mm spacing Emitter feo06652 Area not flat

FOTOTRANSISTOR

Abstract: SFH300
Contextual Info: SIEMENS SFH 300 SFH 300 FA Itecrf6652 * fe o 0 6 6 5 2 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor M a ß e in m m , w e n n n ic h t a n d e rs a n g e g e b e n / D im e n s io n s in m m , u n le s s o th e rw is e s p e c ifie d . Wesentliche Merkmale