AFP4599W Search Results

Contextual Info: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM544599A-N •概要 ■特長 ELM544599A-N は低入力容量 低電 ・ N チャンネル 圧駆動、 低オン抵抗という特性を備えた Vds=40V, Id=8.0A, Rds on =22mΩ(Vgs=10V) 大電流 MOSFET です。

Contextual Info: Complementary MOSFET ELM544599A-N •General Description ■Features ELM544599A-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • N-channel Vds=40V, Id=8.0A, Rds(on)=22mΩ(Vgs=10V) Vds=40V, Id=6.0A, Rds(on)=28mΩ(Vgs=4.5V)

复合

Abstract: ELM544599A
Contextual Info: 复合沟道 MOSFET ELM544599A-N •概要 ■特点 ELM544599A-N 是低输入电容低工作电 •N 沟道 压、低导通电阻的大电流 MOSFET。同时内 Vds=40V, Id=8.0A, Rds on =22mΩ(Vgs=10V) Vds=40V, Id=6.0A, Rds(on)=28mΩ(Vgs=4.5V) 藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。