AFN1072 Search Results

Contextual Info: Single N-channel MOSFET ELM5H1072A-S •General description ■Features ELM5H1072A-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • • Vds=20V Id=0.7A (Vgs=2.5V) Rds(on) < 360mΩ (Vgs=4.5V)

Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM5H1072A-S •概要 ■特点 ELM5H1072A-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电 •Vds=20V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=0.7A Vgs=2.5V ·Rds(on) < 360mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 420mΩ (Vgs=2.5V) ·Rds(on) < 560mΩ (Vgs=1.8V)

Contextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM5H1072A-S •概要 ■特長 ELM5H1072A-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=0.7A Vgs=2.5V ・ Rds(on) < 360mΩ (Vgs=4.5V)

Contextual Info: Single N-channel MOSFET ELM5H1072A-S •General description ■Features ELM5H1072A-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • • ■Maximum absolute ratings Parameter Drain-source voltage