808 SEMICONDUCTOR Search Results

DC120V

Contextual Info: June 17, 2002 TECH BRIEF RE-DESIGNED 808 magnetic circuit breaker Attractive modern styled housing The 808 is designed to be instantly recognized as a product of E-T-A. IDEALLY SUITED FOR: • Telecommunications systems • Process control • Semiconductor protection

BUF C808

Abstract: SOP30 TMP87C808N zf gear TMP87C408N TMP87P808N TMP87C408DM TMP87C408LM TMP87C408LN TMP87C408M
Contextual Info: TO SH IB A TM P87C408/808/408L/808L CMOS 8-Bit Microcontroller TMP87C408M, TMP87C408N, TMP87C808M, TMP87C808N TMP87C408LM, TMP87C408LN, TMP87C808LM, TMP87C808LN TMP87C408DM TMP87C408/808/408I./808L is high speed and high performance 8-bit single chip microcomputers to operate

Contextual Info: Unmontierte Laserbarren, 50% Füllfaktor, 808 nm Un-mounted Laser Bars, 50% Fill-factor, 808 nm Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SPL BK81-20H Vorläufiges Datenblatt / Preliminary Datasheet Besondere Merkmale Features • • • • • Unmontierter Laserbarren

GDOY7042

Contextual Info: Aktiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 1200 W cw bei 808 nm Actively Cooled Diode Laser Bar, 1200 W cw at 808 nm SPL E20N81G2 Vorläufiges Datenblatt / Preliminary Data Sheet Besondere Merkmale Features • Laserstack mit 20 Laserbarren auf Mikrokanalkühler

Contextual Info: Unmontierte Laserbarren, 50% Füllfaktor, 808 nm Un-mounted Laser Bars, 50% Fill-factor, 808 nm SPL BG81-9S, SPL BG81-2S Besondere Merkmale Features • Unmontierter Laserbarren • Hocheffiziente MOVPE Quantenfilmstruktur • Zuverlässiges, kompressiv verspanntes

Contextual Info: Unmontierte Laserbarren, 82.5% Füllfaktor, 808 nm Un-mounted Laser Bars, 82.5% Fill-factor, 808 nm Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SPL BS81-5S Vorläufiges Datenblatt / Preliminary data sheet Besondere Merkmale Features • • • • • Unmontierter Laserbarren

Contextual Info: Unmontierte Laserbarren, 50% Füllfaktor, 808 nm Un-mounted Laser Bars, 50% Fill-factor, 808 nm Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SPL BG81-9S, SPL BG81-2S Besondere Merkmale Features • Unmontierter Laserbarren • Hocheffiziente MOVPE Quantenfilmstruktur

Contextual Info: Unmontierte Laserbarren, 82.5% Füllfaktor, 808 nm Un-mounted Laser Bars, 82.5% Fill-factor, 808 nm Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SPL BS81-9S Besondere Merkmale Features • • • • • Unmontierter Laserbarren Design mit 75 Emittern (82.5% Füllfaktor)

Contextual Info: Unmontierte Laserbarren, 50% Füllfaktor, 808 nm Un-mounted Laser Bars, 50% Fill-factor, 808 nm Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SPL BK81-12S Besondere Merkmale Features • • • • • Unmontierter Laserbarren Design mit 25 Emittern (50% Füllfaktor)

BK-81

Abstract: BK81-12S
Contextual Info: Unmontierte Laserbarren, 50% Füllfaktor, 808 nm Un-mounted Laser Bars, 50% Fill-factor, 808 nm Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SPL BK81-12S Besondere Merkmale Features • • • • • Unmontierter Laserbarren Design mit 25 Emittern (50% Füllfaktor)

87c408m

Contextual Info: TOSHIBA TM P87C408/808/408L/808L CMOS 8-Bit M icrocontroller TMP87C408M, TMP87C408N, TMP87C808M, TMP87C808N TMP87C408LM, TMP87C408LN, TMP87C808LM, TMP87C808LN TMP87C408DM TM P87C408/808/408I./808L is high speed and high perform ance 8-b it single chip microcomputers to operate

GDOY7031

Contextual Info: Aktiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 450 W qcw bei 808 nm Actively Cooled Diode Laser Bar, 450 W qcw at 808 nm SPL E03N81S9 Vorläufiges Datenblatt / Preliminary Data Sheet Besondere Merkmale Features • Laserstack mit 3 Laserbarren auf Mikrokanalkühler

BS816

Contextual Info: Unmontierte Laserbarren, 82.5% Füllfaktor, 808 nm Unmounted Laser Bars, 82.5% Filling Factor, 808 nm Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SPL BS81-6 Besondere Merkmale Features • • • • • Unmontierter Laserbarren Design mit 75 Emittern (82.5% Füllfaktor)

Contextual Info: Unmontierte Laserbarren, 30% Füllfaktor, 808 nm Unmounted Laser Bars, 30% Fill-Factor, 808 nm Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SPL BX81-2S Besondere Merkmale Features • • • • • Unmontierter Laserbarren Design mit 19 Emittern (30% Füllfaktor)

GDOY7044

Abstract: MATERIAL SAFETY
Contextual Info: Passiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 140 W cw bei 808 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 140 W cw at 808 nm SPL MY81S9 Vorläufiges Datenblatt / Preliminary Data Sheet Besondere Merkmale Features • Kollimierte Strahlung durch FAC-Linse • Laserbarren auf passiv gekühlter

GDOY7041

Contextual Info: Aktiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 60 W cw bei 808 nm Actively Cooled Diode Laser Bar, 60 W cw at 808 nm SPL E01N81G2 Vorläufiges Datenblatt / Preliminary Data Sheet Besondere Merkmale Features • Laserbarren auf Mikrokanalkühler • Für Dauerstrich- CW und

GDOY7044

Contextual Info: Passiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 35 W cw bei 808 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 35 W cw at 808 nm SPL MY81X2 Vorläufiges Datenblatt / Preliminary Data Sheet Besondere Merkmale Features • Kollimierte Strahlung durch FAC-Linse • Laserbarren auf passiv gekühlter

GDOY7044

Contextual Info: Passiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 45 W cw bei 808 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 45 W cw at 808 nm SPL MY81G2 Vorläufiges Datenblatt / Preliminary Data Sheet Besondere Merkmale Features • Kollimierte Strahlung durch FAC-Linse • Laserbarren auf passiv gekühlter

808nm 100mw laser diode

Abstract: Laser Diode 808 nm SLD-808-P200-05 laser diode 780 nm laser diode 808nm 808nm laser diode Laser Diode 808 300 mw diode laser 808nm 200mW 808 nm 100 mw 808nm
Contextual Info: SLD-808-P200-05 UNION OPTRONICS CORP. 808nm Laser Diode 808nm IR Laser Diode SLD-808-P200-05 •Specifications 1 Device: (2) Structure: (3) Power Output: Laser Diode TO-18(φ5.6mm) 200mW (180mW Recommended) ■External dimensions(Unit : mm) ■Absolute Maximum Ratings(Tc=25℃)

murata Ceramic Resonator cst800mtw

Abstract: TMP86C408DM TMP86C808DM TMP86P808DM cst8.00mtw
Contextual Info: TOSHIBA TM P86C408/808 CMOS 8-Bit Microcontroller TMP86C408DM, TMP86C808DM The TMP86C408/808 are high speed and high performance 8-bit single chip microcomputers w ith sm all package. The MCU contain CPU core, ROM, RAM, multirole timer counter, SEI and UART, 8-bit AD

GDOY7030

Contextual Info: Passiv gekühlter Diodenlaser-Barren, 150 W qcw bei 808 nm Passively Cooled Diode Laser Bar, 150 W qcw at 808 nm SPL MN81S9 Vorläufiges Datenblatt / Preliminary Data Sheet Besondere Merkmale Features • Laserbarren auf passiv gekühlter Wärmesenke, kein Kühlwasser erforderlich

Laser Diode 808 300 mw

Contextual Info: SLD-808-P200-C-04 UNION OPTRONICS CORP. 808nm Laser Diode Chips 808nm IR Laser Diode Chips SLD-808-P200-C-04 •Specifications 1 Size : (2) Device: (3) Structure 500*300*100 m Laser diode bare chip Single ridge waveguide ■External dimensions(Unit : μm)

Contextual Info: Unmontierte Laserbarren, 50% Füllfaktor, 808 nm Un-mounted Laser Bars, 50% Fill-factor, 808 nm Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SPL BG81-9S Besondere Merkmale Features • • • • • Unmontierter Laserbarren Design mit 25 Emittern (50% Füllfaktor)

Contextual Info: Unmontierte Laserbarren, 50% Füllfaktor, 808 nm Un-mounted Laser Bars, 50% Fill-factor, 808 nm Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SPL BG81-20S Vorläufiges Datenblatt / Preliminary data sheet Besondere Merkmale Features • Unmontierter Laserbarren • Hocheffiziente MOVPE Quantenfilmstruktur