5N/10 Search Results
5N/10 Datasheets (26)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 5N100 | Unknown | Historical semiconductor price guide (US$ - 1998). From our catalog scanning project. | Historical | 29.7KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5N100 | Unknown | Historical semiconductor price guide (US$ - 1998). From our catalog scanning project. | Historical | 29.7KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5N10
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel high voltage MOSFET in SOT-23-3L package with 100V drain-source voltage, 5A continuous drain current, 115mΩ on-resistance at VGS=10V, and low input capacitance for fast switching applications.N-channel high voltage MOSFET with 100 V drain-source voltage, 5 A continuous drain current, 115 mΩ on-resistance at VGS=10V, and low input capacitance in SOT-23-3L surface mount package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AKP095N10
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AK Semiconductor | AKP095N10 N-Channel Super Trench II Power MOSFET with 100V VDS, 65A ID, 8.5mΩ RDS(on) at VGS=10V, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SK05N10A
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Shikues Semiconductor | Advanced trench tech, low gate charge, high density cell, excellent heat dissipation, power switching, UPS. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AKP055N10
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AK Semiconductor | N-channel Super Trench II Power MOSFET with 100V VDS, 110A ID, 5.4mΩ RDS(on) (TO-220), 5.2mΩ RDS(on) (TO-263), low gate charge, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLD_U15N10T
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Maplesemi | N-channel 100V 15A Power MOSFET with RDS(on) of 95mΩ at VGS = 10V, advanced TRENCH technology, low Crss, fast switching, and 100% avalanche tested for PWM and power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AKP065N10
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AK Semiconductor | AKP065N10 N-Channel Super Trench II Power MOSFET with 100V drain-source voltage, 93A continuous drain current, 6.0mΩ typical RDS(ON) at 10V VGS, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NM0805N101J251CPBN
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Hui Ju (Capacitors) | Multilayer ceramic capacitor, NM Series, mid-voltage, rated 100V to 630V, available in various case sizes with X7R and C0G dielectrics, lead-free termination, RoHS compliant. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL05N10A
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SLKOR | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HKT05N10
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel high voltage MOSFET with 100 V drain-source voltage, 5 A continuous drain current, 115 mΩ on-resistance at VGS=10V, and low input capacitance in SOT-23-3L surface mount package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SK15N10
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Shikues Semiconductor | N-Channel 100V MOSFET, RDS(ON)≦100mΩ@VGS=10V, low RDS(ON), high DC current, medium voltage applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HSS5N10
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Huashuo Semiconductor | N-channel 100V fast switching MOSFET with 15A continuous drain current, 100mΩ typical RDS(on), low gate charge, and high cell density trench technology for synchronous buck converter applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MDD15N10D
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Microdiode Semiconductor (MDD) | Power Field-Effect Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NCEAP25N10AG
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NCEPOWER | NCEAP25N10AG is an automotive-grade N-channel Super Trench II power MOSFET with 100 V drain-source voltage, 32 A continuous drain current, and low on-resistance of 21 mΩ at 10 V gate-source voltage, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CJU15N10
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JCET Group | N-channel Power MOSFET CJU15N10 with 100V drain-source voltage, 15A continuous drain current, 70mΩ RDS(on) at 10V VGS, featuring low gate charge, fast switching, and avalanche energy rating. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL65N10Q
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SLKOR | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL15N10A
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SLKOR | VDS 100V, ID 15A, RDS(ON) at VGS=10V <115mohm, at VGS=4.5V <10mohm, Trench Power MV MOSFET, high density cell, heat dissipation, DC-DC Converters, power management. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HKTD15N10
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel Power MOSFET HKTD15N10 with 100V drain-source voltage, 15A continuous drain current, and 100mΩ maximum RDS(on) at VGS=10V, available in TO-252 package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NCEAP25N10AD
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NCEPOWER | NCEAP25N10AD is an N-channel Super Trench II power MOSFET with 100 V drain-source voltage, 37 A continuous drain current, and low on-resistance of 21 mΩ at 10 V gate-source voltage, optimized for high-frequency switching and synchronous rectification. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5N/10 Price and Stock
Select Manufacturer
Infineon Technologies AG IPD35N10S3L26ATMA1MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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IPD35N10S3L26ATMA1 | Cut Tape | 7,672 | 1 |
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| IPD35N10S3L26ATMA1 | Digi-Reel | 7,672 | 1 |
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| IPD35N10S3L26ATMA1 | Tape & Reel | 7,500 | 2,500 |
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IPD35N10S3L26ATMA1 | Cut Tape | 1,046 | 1 |
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IPD35N10S3L26ATMA1 | 1,833 | 1 |
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IPD35N10S3L26ATMA1 | Tape & Reel | 5,000 | 2,500 |
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Goford Semiconductor GT045N10D5MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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GT045N10D5 | Tape & Reel | 4,427 | 5,000 |
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| GT045N10D5 | Digi-Reel | 4,427 | 1 |
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| GT045N10D5 | Cut Tape | 4,427 | 1 |
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onsemi FDP045N10A-F102MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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FDP045N10A-F102 | Tube | 952 | 1 |
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FDP045N10A-F102 | Bulk | 3,741 | 1 |
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FDP045N10A-F102 | 800 |
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Get Quote | |||||||
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FDP045N10A-F102 | 21 Weeks | 50 |
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FDP045N10A-F102 | 22 Weeks | 50 |
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Get Quote | ||||||
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FDP045N10A-F102 | 182,400 |
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Get Quote | |||||||
onsemi NVBLS1D5N10MCTXGPTNG 100V STD TOLL |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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NVBLS1D5N10MCTXG | Cut Tape | 550 | 1 |
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| NVBLS1D5N10MCTXG | Tape & Reel | 550 | 2,000 |
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| NVBLS1D5N10MCTXG | Digi-Reel | 550 | 1 |
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NVBLS1D5N10MCTXG | Tape & Reel | 70 Weeks | 2,000 |
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NVBLS1D5N10MCTXG | 70 Weeks | 2,000 |
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Get Quote | ||||||
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NVBLS1D5N10MCTXG | 53 Weeks | 2,000 |
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Get Quote | ||||||
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NVBLS1D5N10MCTXG | 53 Weeks | 2,000 |
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Get Quote | ||||||
IXYS Corporation IXFP5N100PMMOSFET N-CH 1000V 2.3A TO220 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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IXFP5N100PM | Tube | 196 | 1 |
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IXFP5N100PM | 226 |
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Get Quote | |||||||