5N/10 Search Results
5N/10 Datasheets (26)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5N100 | Unknown | Historical semiconductor price guide (US$ - 1998). From our catalog scanning project. | Historical | 29.7KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5N100 | Unknown | Historical semiconductor price guide (US$ - 1998). From our catalog scanning project. | Historical | 29.7KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5N10
|
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel high voltage MOSFET in SOT-23-3L package with 100V drain-source voltage, 5A continuous drain current, 115mΩ on-resistance at VGS=10V, and low input capacitance for fast switching applications.N-channel high voltage MOSFET with 100 V drain-source voltage, 5 A continuous drain current, 115 mΩ on-resistance at VGS=10V, and low input capacitance in SOT-23-3L surface mount package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SK05N10A
|
Shikues Semiconductor | Advanced trench tech, low gate charge, high density cell, excellent heat dissipation, power switching, UPS. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AKP095N10
|
AK Semiconductor | AKP095N10 N-Channel Super Trench II Power MOSFET with 100V VDS, 65A ID, 8.5mΩ RDS(on) at VGS=10V, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SK15N10
|
Shikues Semiconductor | N-Channel 100V MOSFET, RDS(ON)≦100mΩ@VGS=10V, low RDS(ON), high DC current, medium voltage applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HKT05N10
|
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel high voltage MOSFET with 100 V drain-source voltage, 5 A continuous drain current, 115 mΩ on-resistance at VGS=10V, and low input capacitance in SOT-23-3L surface mount package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HSS5N10
|
Huashuo Semiconductor | N-channel 100V fast switching MOSFET with 15A continuous drain current, 100mΩ typical RDS(on), low gate charge, and high cell density trench technology for synchronous buck converter applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL05N10A
|
SLKOR | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NM0805N101J251CPBN
|
Hui Ju (Capacitors) | Multilayer ceramic capacitor, NM Series, mid-voltage, rated 100V to 630V, available in various case sizes with X7R and C0G dielectrics, lead-free termination, RoHS compliant. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NCEAP25N10AD
|
NCEPOWER | NCEAP25N10AD is an N-channel Super Trench II power MOSFET with 100 V drain-source voltage, 37 A continuous drain current, and low on-resistance of 21 mΩ at 10 V gate-source voltage, optimized for high-frequency switching and synchronous rectification. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AKP045N10
|
AK Semiconductor | N-channel MOSFET with 100V VDS, 125A ID, and low RDS(on) of 4.2mΩ (TO-220) or 4.0mΩ (TO-263) at VGS=10V, utilizing Super Trench II technology for high-frequency switching efficiency. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HKTD15N10
|
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel Power MOSFET HKTD15N10 with 100V drain-source voltage, 15A continuous drain current, and 100mΩ maximum RDS(on) at VGS=10V, available in TO-252 package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL65N10Q
|
SLKOR | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL15N10A
|
SLKOR | VDS 100V, ID 15A, RDS(ON) at VGS=10V <115mohm, at VGS=4.5V <10mohm, Trench Power MV MOSFET, high density cell, heat dissipation, DC-DC Converters, power management. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NCEAP25N10AG
|
NCEPOWER | NCEAP25N10AG is an automotive-grade N-channel Super Trench II power MOSFET with 100 V drain-source voltage, 32 A continuous drain current, and low on-resistance of 21 mΩ at 10 V gate-source voltage, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MDD15N10D
|
Microdiode Semiconductor | 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CJU15N10
|
JCET Group | N-channel Power MOSFET CJU15N10 with 100V drain-source voltage, 15A continuous drain current, 70mΩ RDS(on) at 10V VGS, featuring low gate charge, fast switching, and avalanche energy rating. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NCEAP25N10AK
|
NCEPOWER | NCEAP25N10AK is an automotive-grade N-channel Super Trench II power MOSFET with 100V drain-source voltage, 37A continuous drain current, and low on-resistance of 21mΩ at VGS=10V, optimized for high-frequency switching and synchronous rectification. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLP25N10T
|
Maplesemi | N-Channel MOSFET SLP25N10T, 100V, 25A, RDS(on) 40mΩ at VGS = 10V, TO-220C package, designed for high-efficiency power management and switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5N/10 Price and Stock
Select Manufacturer
Micro Commercial Components MCAC25N10YHE3-TPMOSFET N-CH 100 25A DFN5060 |
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
MCAC25N10YHE3-TP | Cut Tape | 4,926 | 1 |
|
Buy Now | |||||
Infineon Technologies AG IPT015N10NF2SATMA1MOSFET |
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Cut Tape | 3,281 | 1 |
|
Buy Now | |||||
|
IPT015N10NF2SATMA1 | Tape & Reel | 7,200 | 8 Weeks | 1,800 |
|
Buy Now | ||||
|
IPT015N10NF2SATMA1 | 1,413 | 1 |
|
Buy Now | ||||||
|
IPT015N10NF2SATMA1 | 9 Weeks | 1,800 |
|
Buy Now | ||||||
PanJit Group PJD65N10SA-AU_L2_006A1100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
PJD65N10SA-AU_L2_006A1 | Cut Tape | 2,980 | 1 |
|
Buy Now | |||||
Micro Commercial Components MCU15N10A-TPMOSFET N-CH 100V 15A DPAK |
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
MCU15N10A-TP | Digi-Reel | 2,843 | 1 |
|
Buy Now | |||||
Passive Plus Inc 0805N101FW251XCAP CER 100PF 250V C0G/NP0 0805 |
|||||||||||
| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
|
0805N101FW251X | Cut Tape | 778 | 1 |
|
Buy Now | |||||