5N/10 Search Results
5N/10 Datasheets (26)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 5N100 | Unknown | Historical semiconductor price guide (US$ - 1998). From our catalog scanning project. | Historical | 29.7KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5N100 | Unknown | Historical semiconductor price guide (US$ - 1998). From our catalog scanning project. | Historical | 29.7KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5N10
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel high voltage MOSFET in SOT-23-3L package with 100V drain-source voltage, 5A continuous drain current, 115mΩ on-resistance at VGS=10V, and low input capacitance for fast switching applications.N-channel high voltage MOSFET with 100 V drain-source voltage, 5 A continuous drain current, 115 mΩ on-resistance at VGS=10V, and low input capacitance in SOT-23-3L surface mount package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SK05N10A
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Shikues Semiconductor | Advanced trench tech, low gate charge, high density cell, excellent heat dissipation, power switching, UPS. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AKP095N10
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AK Semiconductor | AKP095N10 N-Channel Super Trench II Power MOSFET with 100V VDS, 65A ID, 8.5mΩ RDS(on) at VGS=10V, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AKP065N10
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AK Semiconductor | AKP065N10 N-Channel Super Trench II Power MOSFET with 100V drain-source voltage, 93A continuous drain current, 6.0mΩ typical RDS(ON) at 10V VGS, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AKP055N10
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AK Semiconductor | N-channel Super Trench II Power MOSFET with 100V VDS, 110A ID, 5.4mΩ RDS(on) (TO-220), 5.2mΩ RDS(on) (TO-263), low gate charge, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SLD_U15N10T
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Maplesemi | N-channel 100V 15A Power MOSFET with RDS(on) of 95mΩ at VGS = 10V, advanced TRENCH technology, low Crss, fast switching, and 100% avalanche tested for PWM and power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HKT05N10
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel high voltage MOSFET with 100 V drain-source voltage, 5 A continuous drain current, 115 mΩ on-resistance at VGS=10V, and low input capacitance in SOT-23-3L surface mount package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SK15N10
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Shikues Semiconductor | N-Channel 100V MOSFET, RDS(ON)≦100mΩ@VGS=10V, low RDS(ON), high DC current, medium voltage applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SL05N10A
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SLKOR | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HSS5N10
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Huashuo Semiconductor | N-channel 100V fast switching MOSFET with 15A continuous drain current, 100mΩ typical RDS(on), low gate charge, and high cell density trench technology for synchronous buck converter applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NM0805N101J251CPBN
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Hui Ju (Capacitors) | Multilayer ceramic capacitor, NM Series, mid-voltage, rated 100V to 630V, available in various case sizes with X7R and C0G dielectrics, lead-free termination, RoHS compliant. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NCEAP25N10AG
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NCEPOWER | NCEAP25N10AG is an automotive-grade N-channel Super Trench II power MOSFET with 100 V drain-source voltage, 32 A continuous drain current, and low on-resistance of 21 mΩ at 10 V gate-source voltage, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SL15N10A
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SLKOR | VDS 100V, ID 15A, RDS(ON) at VGS=10V <115mohm, at VGS=4.5V <10mohm, Trench Power MV MOSFET, high density cell, heat dissipation, DC-DC Converters, power management. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CJU15N10
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JCET Group | N-channel Power MOSFET CJU15N10 with 100V drain-source voltage, 15A continuous drain current, 70mΩ RDS(on) at 10V VGS, featuring low gate charge, fast switching, and avalanche energy rating. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MDD15N10D
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Microdiode Semiconductor (MDD) | Power Field-Effect Transistor | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SL65N10Q
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SLKOR | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HKTD15N10
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel Power MOSFET HKTD15N10 with 100V drain-source voltage, 15A continuous drain current, and 100mΩ maximum RDS(on) at VGS=10V, available in TO-252 package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AKP045N10
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AK Semiconductor | N-channel MOSFET with 100V VDS, 125A ID, and low RDS(on) of 4.2mΩ (TO-220) or 4.0mΩ (TO-263) at VGS=10V, utilizing Super Trench II technology for high-frequency switching efficiency. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5N/10 Price and Stock
Select Manufacturer
Nextgen Components 0805N101J500ADCAP,SMD,0805,NP0,100PF,5%,50V |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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0805N101J500AD | Tape & Reel | 4,000,000 | 20,000 |
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Nextgen Components 0805N102J500BDCAP,SMD,0805,NP0,1NF,5%,50V |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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0805N102J500BD | Tape & Reel | 3,980,000 | 20,000 |
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Nextgen Components 0805N100J101ADCap. SMD,0805,NP0,10pF,5%,100V |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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0805N100J101AD | Tape & Reel | 12,000 | 4,000 |
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Goford Semiconductor GT045N10D5MOSFET N-CH 100V 120A DFN5*6-8L |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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GT045N10D5 | Digi-Reel | 4,427 | 1 |
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GT045N10D5 | 1 |
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Get Quote | |||||||
PanJit Group PJW5N10A_R2_00001100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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PJW5N10A_R2_00001 | Tape & Reel | 2,135 |
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| PJW5N10A_R2_00001 | Cut Tape | 2,135 | 1 |
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