2SK336 Search Results
2SK336 Datasheets (36)
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 2SK336 | Unknown | FET Data Book | Scan | 99.85KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK336 | Sanyo Semiconductor | Sanyo Datasheets, Cross References and Circuit Examples | Scan | 79.39KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK336 | Sanyo Semiconductor | Discontinued Transistors | Scan | 41.68KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3360 |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE | Original | 40.46KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3360 |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | Original | 37.98KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3361 |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE | Original | 40.74KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3361 |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | Original | 38.37KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3362 | Fuji Electric | POWER MOSFET | Scan | 538.84KB | 13 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3362-01 | Fuji Electric | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | Original | 110.02KB | 13 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3363-01 | Fuji Electric | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET | Original | 121.19KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3364-01 | Fuji Electric | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET | Original | 119.28KB | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3365 | Kexin | N-Channel MOSFET | Original | 45.25KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3365 |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE | Original | 66.15KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3365 |
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Switching N-Channel Power MOS FET Industrial Use | Original | 431.97KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 2SK3365 | TY Semiconductor | N-Channel MOSFET - TO-252 | Original | 144.18KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3365-Z |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE | Original | 66.15KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3365-Z |
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Switching N-Channel Power MOS FET Industrial Use | Original | 431.97KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3365-Z-E1 |
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N-channel enhancement type Po MOS FET | Original | 66.15KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3365-Z-E2 |
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N-channel enhancement type Po MOS FET | Original | 66.15KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3366 | Kexin | N-Channel MOSFET | Original | 44.66KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK336 Price and Stock
Rochester Electronics LLC 2SK3367-Z-E2-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2SK3367-Z-E2-AZ | Bulk | 2,000 | 190 |
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Rochester Electronics LLC 2SK3367-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2SK3367-AZ | Bulk | 753 | 190 |
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Renesas Electronics Corporation 2SK3367-Z-E2-AZMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2SK3367-Z-E2-AZ | 2,000 | 250 |
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2SK3367-Z-E2-AZ | 2,000 | 1 |
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Renesas Electronics Corporation 2SK3367-Z-E1-AZTrans MOSFET N-CH 30V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2SK3367-Z-E1-AZ | 1,738 | 48 |
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2SK3367-Z-E1-AZ | Cut Tape | 1,738 | 0 Weeks, 1 Days | 1 |
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Renesas Electronics Corporation 2SK3367-Z-E2-AZ(KY) |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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2SK3367-Z-E2-AZ(KY) | 1,004 |
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2SK336 Datasheets Context Search
| Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
|---|---|---|---|
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Contextual Info: 2SK3363-01 FUJI POWER MOS-FET N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET TO-220AB Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS Uninterruptible Power Supply DC-DC converters |
Original |
2SK3363-01 O-220AB | |
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Contextual Info: MOSFET IC Transistors SMD Type Product specification 2SK3366 TO-252 +0.1 0.80-0.1 Low Ciss: Ciss =730 pF TYP. Built-in gate protection diode 2.3 +0.1 0.60-0.1 3.80 MAX. VGS = 4 V, ID = 10A +0.8 0.50-0.7 +0.15 5.55-0.15 RDS(on)3 = 43m Unit: mm +0.1 2.30-0.1 |
Original |
2SK3366 O-252 | |
2SK3361
Abstract: d1431 Nec AC 160
|
Original |
2SK3361 2SK3361 O-220 O-220) O-220 d1431 Nec AC 160 | |
2SK3367
Abstract: 2SK3367-Z
|
Original |
2SK3367 2SK3367 O-251 2SK3367-Z O-252 2SK3367-Z | |
D1433
Abstract: 2SK3360
|
Original |
2SK3360 2SK3360 O-220 O-220) O-220 D1433 | |
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Contextual Info: DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3365 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET ★ ORDERING INFORMATION DESCRIPTION The 2SK3365 is N-Channel MOS Field Effect Transistor PART NUMBER PACKAGE 2SK3365 TO-251 MP-3 2SK3365-Z TO-252 (MP-3Z) designed for DC/DC converters application of notebook |
Original |
2SK3365 2SK3365 2SK3365-Z O-251 O-252 | |
D1425
Abstract: 2SK3367 2SK3367-Z transistor A144
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OCR Scan |
2SK3367 2SK3367 O-251 2SK3367-Z O-252 D14257EJ1V0DS00 D1425 transistor A144 | |
2SK3366
Abstract: 2SK3366-Z
|
Original |
2SK3366 2SK3366 O-251 2SK3366-Z O-252 2SK3366-Z | |
2SK3365
Abstract: 2SK3365-Z
|
Original |
2SK3365 2SK3365 O-251MP-3 2SK3365-Z O-252MP-3Z D14255JJ4V0DS00 D14255JJ4V0DS 2SK3365-Z | |
D1425
Abstract: 2SK3367 2SK3367-Z
|
Original |
2SK3367 2SK3367 O-251 2SK3367-Z O-252 D1425 2SK3367-Z | |
2SK3366
Abstract: 2SK3366-Z DI 172
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Original |
2SK3366 2SK3366 O-251 2SK3366-Z O-252 2SK3366-Z DI 172 | |
2SK3365
Abstract: 2SK3365-Z
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Original |
2SK3365 2SK3365 O-251 2SK3365-Z O-252 2SK3365-Z | |
DIODE SMD 10A
Abstract: smd transistor 26 2SK3366
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Original |
2SK3366 O-252 DIODE SMD 10A smd transistor 26 2SK3366 | |
2SK3365
Abstract: PF405
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Original |
2SK3365 O-252 2SK3365 PF405 | |
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Contextual Info: DATA S H EE T MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3365 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE ORDERING INFORMATION DESCRIPTION The 2SK3365 is N-Channel MOS Field Effect Transistor PART NUMBER PACKAGE 2SK3365 TO-251 2SK3365-Z TO-252 designed for DC/DC converters application of notebook |
OCR Scan |
2SK3365 2SK3365 O-251 2SK3365-Z O-252 D14255EJ1V0DS00 | |
D1433
Abstract: 2SK3360
|
Original |
2SK3360 O-220 O-220 D1433 2SK3360 | |
schematic 5250
Abstract: Schematics 5250 "Power MOSFET" mosfet power amplifier 2SK3362-01 2SK3362
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Original |
2SK3362-01 O-220AB schematic 5250 Schematics 5250 "Power MOSFET" mosfet power amplifier 2SK3362-01 2SK3362 | |
2SK3367
Abstract: 2SK3367-Z
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Original |
2SK3367 2SK3367 O-251 2SK3367-Z O-252 2SK3367-Z | |
2SK3365
Abstract: 2SK3365-Z
|
Original |
2SK3365 2SK3365 O-251 2SK3365-Z O-252 2SK3365-Z | |
2SK3365
Abstract: 2SK3365-Z
|
Original |
2SK3365 2SK3365 O-251 2SK3365-Z O-252 2SK3365-Z | |
2SK3366
Abstract: 2SK3366-Z
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Original |
2SK3366 2SK3366 O-251 2SK3366-Z O-252 2SK3366-Z | |
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Contextual Info: IC Transistors MOSFET SMD Type Product specification 2SK3365 TO-252 MAX. VGS = 4 V, ID = 15A Low Ciss: Ciss = 1300 pF TYP. +0.1 0.80-0.1 Built-in gate protection diode 2.3 +0.1 0.60-0.1 +0.8 0.50-0.7 3.80 RDS(on)3 = 29m Unit: mm +0.1 2.30-0.1 +0.15 5.55-0.15 |
Original |
2SK3365 O-252 | |
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Contextual Info: IC Transistors SMD Type Product specification 2SK3367 TO-252 Features +0.15 1.50-0.15 +0.15 6.50-0.15 +0.2 5.30-0.2 Unit: mm +0.1 2.30-0.1 +0.8 0.50-0.7 Low on-resistance MAX. VGS = 4.0 V, ID = 18 A Low Ciss : Ciss = 2800 pF TYP. 2.3 Built-in gate protection diode |
Original |
2SK3367 O-252 | |
2SK3367
Abstract: 2SK3367-Z
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Original |
2SK3367 2SK3367 O-251 2SK3367-Z O-252 2SK3367-Z | |