0N/10 Search Results
0N/10 Datasheets (39)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HM10N10K
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VBsemi Electronics Co Ltd | N-Channel 100 V MOSFET with 175 °C junction temperature, RDS(on) 0.140 Ω at VGS = 10 V, continuous drain current up to 13 A, available in TO-252 package, suitable for PWM and primary side switch applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AKP080N10
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AK Semiconductor | AKP080N10 N-Channel Super Trench II Power MOSFET, 100V VDS, 75A ID, 7.4mΩ RDS(on) typical at VGS=10V, TO-220 package, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTQ320N10A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 100V, 23A N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with RDS(on) less than 32mΩ at VGS=10V, available in PDFN3x3-8L package, designed for load switching, PWM, and power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTG320N10A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | N-channel enhancement mode power MOSFET with 100V drain-source voltage, 28A continuous drain current, and RDS(on) less than 30mΩ at VGS=10V in a PDFN5x6-8L package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL10N10A
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SLKOR | Trench Power MV MOSFET technology, SOT-223 package, VDS 100V, RDS(ON)@10V,MAX 95mΩ, ID 10A, VGS ±20V, TJ 150°C, TSTG -50 to 155°C, ID Tc=25°C 10A. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLP120N10G
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Maplesemi | N-Channel MOSFET with 100V drain-source voltage, 120A continuous drain current, 4.9mΩ typical RDS(on) at VGS = 10V, low Crss, fast switching, and 100% avalanche tested. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTI10N10A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | N-channel enhancement mode power MOSFET with 100V drain-source voltage, 10A continuous drain current, and RDS(on) less than 110mΩ at VGS=10V, housed in a TO-251-3L package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SKQ90N10AD
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Shikues Semiconductor | 100V N-Channel MOSFET, RDS(ON)=4mΩ@10V, 5mΩ@4.5V, DC-DC Converter, Motor Control, Load Switching, Secondary Side Sync Rectification. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AK70N100I
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AK Semiconductor | AK70N100I N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET with 100V drain-source voltage, 57A continuous drain current, and 16mΩ typical RDS(ON) at 10V gate-source voltage. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLB160N10G3
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Maplesemi | N-Channel MOSFET with 100V drain-source voltage, 160A continuous drain current, 3.7mΩ typical RDS(on) at VGS = 10V, low Crss, fast switching, and 100% avalanche tested, housed in TO-263 package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HSH250N10
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Huashuo Semiconductor | N-Ch 100V Fast Switching MOSFET with 250A continuous drain current, 1.9 mΩ RDS(ON), suitable for motor drivers, BMS, and high-frequency switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTI320N10A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | N-channel enhancement mode power MOSFET with 100V drain-source voltage, 30A continuous drain current, and low on-resistance of 32mΩ at VGS=10V, available in TO-251-4R package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL20N10
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SLKOR | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CJU40N10
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JCET Group | N-Channel Power MOSFET U40N10 in TO-252-2L package with 100V drain-source voltage, 40A continuous drain current, and 14mΩ typical on-resistance at 10V gate-source voltage, designed for high voltage switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL60N10Q
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SLKOR | N-Channel Power MOSFET, VDS 100V, ID 60A, RDS(ON) < 11.5mΩ at VGS=10V, < 15mΩ at VGS=4.5V, DFN5x6 package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CJU30N10
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JCET Group | N-Channel Power MOSFET CJU30N10 in TO-252-2L package with 100V drain-source voltage, 30A continuous drain current, and 24mΩ on-resistance at 10V gate-source voltage, designed for high voltage switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HSBA060N10
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Huashuo Semiconductor | N-Ch 100V Fast Switching MOSFET with 4.6 mΩ RDS(ON), 86 A continuous drain current, low gate charge, and 100% EAS guaranteed, suitable for synchronous rectification in AC/DC quick chargers. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL80N10
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SLKOR | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTK170N10A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 100V, 59A N-channel enhancement mode power MOSFET in TO-252-3L package with RDS(on) less than 20mΩ at VGS=10V, suitable for load switching, PWM, and power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AKZE40N10
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AK Semiconductor | N-Channel 100-V MOSFET with 30 A continuous drain current, 0.035 ohm drain-source on-resistance at 10 V gate voltage, and 175 °C maximum junction temperature in a TO-252 package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
0N/10 Price and Stock
Select Manufacturer
Infineon Technologies AG IPG20N10S4L35ATMA1MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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IPG20N10S4L35ATMA1 | Cut Tape | 12,338 | 1 |
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IPG20N10S4L35ATMA1 | 213,073 | 1 |
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Goford Semiconductor G450N10D52MOSFET 100V 35A 8DFN |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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G450N10D52 | Cut Tape | 4,897 | 1 |
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| G450N10D52 | Digi-Reel | 4,897 | 1 |
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IXYS Corporation IXTH200N10TMOSFET N-CH 100V 200A TO247 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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IXTH200N10T | Tube | 3,121 | 1 |
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IXTH200N10T | 670 |
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Get Quote | |||||||
Rochester Electronics LLC RF1S40N10LEMOSFET N-CH 100V 40A |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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RF1S40N10LE | Bulk | 1,368 | 186 |
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Micro Commercial Components MCAC90N10Y-TPMOSFET N-CH 100 90A DFN5060 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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MCAC90N10Y-TP | Cut Tape | 1,311 | 1 |
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| MCAC90N10Y-TP | Digi-Reel | 1,311 | 1 |
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| MCAC90N10Y-TP | Tape & Reel | 1,311 | 5,000 |
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