0N/10 Search Results
0N/10 Datasheets (39)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AKP080N10
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AK Semiconductor | AKP080N10 N-Channel Super Trench II Power MOSFET, 100V VDS, 75A ID, 7.4mΩ RDS(on) typical at VGS=10V, TO-220 package, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTQ320N10A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 100V, 23A N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with RDS(on) less than 32mΩ at VGS=10V, available in PDFN3x3-8L package, designed for load switching, PWM, and power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTG320N10A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | N-channel enhancement mode power MOSFET with 100V drain-source voltage, 28A continuous drain current, and RDS(on) less than 30mΩ at VGS=10V in a PDFN5x6-8L package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HM10N10K
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VBsemi Electronics Co Ltd | N-Channel 100 V MOSFET with 175 °C junction temperature, RDS(on) 0.140 Ω at VGS = 10 V, continuous drain current up to 13 A, available in TO-252 package, suitable for PWM and primary side switch applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLP120N10G
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Maplesemi | N-Channel MOSFET with 100V drain-source voltage, 120A continuous drain current, 4.9mΩ typical RDS(on) at VGS = 10V, low Crss, fast switching, and 100% avalanche tested. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL10N10A
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SLKOR | Trench Power MV MOSFET technology, SOT-223 package, VDS 100V, RDS(ON)@10V,MAX 95mΩ, ID 10A, VGS ±20V, TJ 150°C, TSTG -50 to 155°C, ID Tc=25°C 10A. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AK70N100I
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AK Semiconductor | AK70N100I N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET with 100V drain-source voltage, 57A continuous drain current, and 16mΩ typical RDS(ON) at 10V gate-source voltage. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTI10N10A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | N-channel enhancement mode power MOSFET with 100V drain-source voltage, 10A continuous drain current, and RDS(on) less than 110mΩ at VGS=10V, housed in a TO-251-3L package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLB160N10G3
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Maplesemi | N-Channel MOSFET with 100V drain-source voltage, 160A continuous drain current, 3.7mΩ typical RDS(on) at VGS = 10V, low Crss, fast switching, and 100% avalanche tested, housed in TO-263 package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SKQ90N10AD
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Shikues Semiconductor | 100V N-Channel MOSFET, RDS(ON)=4mΩ@10V, 5mΩ@4.5V, DC-DC Converter, Motor Control, Load Switching, Secondary Side Sync Rectification. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CJAC20N10
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JCET Group | CJAC20N10 N-Channel Power MOSFET with 100V drain-source voltage, 20A continuous drain current, ultra low RDS(on), high energy avalanche capability, and fast recovery drain-to-source diode for high voltage switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTK500N10A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | N-channel enhancement mode power MOSFET with 100V drain-source voltage, 20A continuous drain current, and RDS(on) less than 48mΩ at VGS=10V in a TO-252-4R package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLB120N10G
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Maplesemi | N-Channel MOSFET with 100V drain-source voltage, 120A continuous drain current, typical RDS(on) of 4.6mΩ at VGS = 10V, low input capacitance, and fast switching characteristics suitable for high-efficiency power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SK30N10B-TF
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Shikues Semiconductor | 100V N-Channel MOSFET, RDS(ON),typ.=30mΩ@VGS=10V, Low Gate Charge, Fast Recovery Body Diode, Automotive, DC Motor Control. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTC170N10A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 100V, 59A N-channel enhancement mode power MOSFET in TO-220C-3L package with RDS(on) less than 20 mΩ at VGS = 10V, suitable for power management and load switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AKP040N10
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AK Semiconductor | N-Channel Super Trench II Power MOSFET AKP040N10 with 100V drain-source voltage, 130A continuous drain current, typical RDS(on) of 3.7mΩ at VGS=10V, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CJU30N10
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JCET Group | N-Channel Power MOSFET CJU30N10 in TO-252-2L package with 100V drain-source voltage, 30A continuous drain current, and 24mΩ on-resistance at 10V gate-source voltage, designed for high voltage switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HSBA060N10
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Huashuo Semiconductor | N-Ch 100V Fast Switching MOSFET with 4.6 mΩ RDS(ON), 86 A continuous drain current, low gate charge, and 100% EAS guaranteed, suitable for synchronous rectification in AC/DC quick chargers. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL80N10
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SLKOR | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLP_D10N10T
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Maplesemi | N-Channel MOSFET with 100V drain-source voltage, 10A continuous drain current, 105mΩ typical RDS(on) at VGS = 10V, and low gate charge, suitable for power management and switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
0N/10 Price and Stock
Select Manufacturer
Infineon Technologies AG IPG20N10S436AATMA1MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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IPG20N10S436AATMA1 | Digi-Reel | 55,376 | 1 |
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| IPG20N10S436AATMA1 | Tape & Reel | 55,376 | 5,000 |
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Vishay Intertechnologies SUD40N10-25-E3MOSFET N-CH 100V 40A TO252 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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SUD40N10-25-E3 | Digi-Reel | 12,304 | 1 |
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| SUD40N10-25-E3 | Tape & Reel | 12,304 | 2,000 |
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| SUD40N10-25-E3 | Cut Tape | 12,304 | 1 |
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SUD40N10-25-E3 | Tape & Reel | 2,000 | 52 Weeks | 2,000 |
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SUD40N10-25-E3 | Tape & Reel | 2,000 | 10 |
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| SUD40N10-25-E3 | Cut Tape | 2,000 | 1 |
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Infineon Technologies AG IPD90N10S406ATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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IPD90N10S406ATMA1 | Digi-Reel | 3,461 | 1 |
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| IPD90N10S406ATMA1 | Tape & Reel | 3,461 | 2,500 |
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IPD90N10S406ATMA1 | 17,500 | 1 |
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Rochester Electronics LLC IPI70N10S3L12AKSA1MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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IPI70N10S3L12AKSA1 | Tube | 2,000 | 308 |
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Analog Power AM20N10-130DMOSFET N-CH 100V 17A TO-252 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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AM20N10-130D | Bulk | 1,800 | 1 |
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