0N/10 Search Results
0N/10 Datasheets (39)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JMTQ320N10A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 100V, 23A N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with RDS(on) less than 32mΩ at VGS=10V, available in PDFN3x3-8L package, designed for load switching, PWM, and power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL10N10A
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SLKOR | Trench Power MV MOSFET technology, SOT-223 package, VDS 100V, RDS(ON)@10V,MAX 95mΩ, ID 10A, VGS ±20V, TJ 150°C, TSTG -50 to 155°C, ID Tc=25°C 10A. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLP120N10G
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Maplesemi | N-Channel MOSFET with 100V drain-source voltage, 120A continuous drain current, 4.9mΩ typical RDS(on) at VGS = 10V, low Crss, fast switching, and 100% avalanche tested. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HM10N10K
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VBsemi Electronics Co Ltd | N-Channel 100 V MOSFET with 175 °C junction temperature, RDS(on) 0.140 Ω at VGS = 10 V, continuous drain current up to 13 A, available in TO-252 package, suitable for PWM and primary side switch applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AKP080N10
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AK Semiconductor | AKP080N10 N-Channel Super Trench II Power MOSFET, 100V VDS, 75A ID, 7.4mΩ RDS(on) typical at VGS=10V, TO-220 package, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTG320N10A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | N-channel enhancement mode power MOSFET with 100V drain-source voltage, 28A continuous drain current, and RDS(on) less than 30mΩ at VGS=10V in a PDFN5x6-8L package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HSH250N10
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Huashuo Semiconductor | N-Ch 100V Fast Switching MOSFET with 250A continuous drain current, 1.9 mΩ RDS(ON), suitable for motor drivers, BMS, and high-frequency switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL60N10Q
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SLKOR | N-Channel Power MOSFET, VDS 100V, ID 60A, RDS(ON) < 11.5mΩ at VGS=10V, < 15mΩ at VGS=4.5V, DFN5x6 package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL20N10
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SLKOR | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTI320N10A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | N-channel enhancement mode power MOSFET with 100V drain-source voltage, 30A continuous drain current, and low on-resistance of 32mΩ at VGS=10V, available in TO-251-4R package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CJU40N10
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JCET Group | N-Channel Power MOSFET U40N10 in TO-252-2L package with 100V drain-source voltage, 40A continuous drain current, and 14mΩ typical on-resistance at 10V gate-source voltage, designed for high voltage switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AK70N100I
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AK Semiconductor | AK70N100I N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET with 100V drain-source voltage, 57A continuous drain current, and 16mΩ typical RDS(ON) at 10V gate-source voltage. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SKQ90N10AD
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Shikues Semiconductor | 100V N-Channel MOSFET, RDS(ON)=4mΩ@10V, 5mΩ@4.5V, DC-DC Converter, Motor Control, Load Switching, Secondary Side Sync Rectification. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTI10N10A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | N-channel enhancement mode power MOSFET with 100V drain-source voltage, 10A continuous drain current, and RDS(on) less than 110mΩ at VGS=10V, housed in a TO-251-3L package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLB160N10G3
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Maplesemi | N-Channel MOSFET with 100V drain-source voltage, 160A continuous drain current, 3.7mΩ typical RDS(on) at VGS = 10V, low Crss, fast switching, and 100% avalanche tested, housed in TO-263 package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL80N10
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SLKOR | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HSBA060N10
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Huashuo Semiconductor | N-Ch 100V Fast Switching MOSFET with 4.6 mΩ RDS(ON), 86 A continuous drain current, low gate charge, and 100% EAS guaranteed, suitable for synchronous rectification in AC/DC quick chargers. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CJU30N10
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JCET Group | N-Channel Power MOSFET CJU30N10 in TO-252-2L package with 100V drain-source voltage, 30A continuous drain current, and 24mΩ on-resistance at 10V gate-source voltage, designed for high voltage switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SK30N10B-TF
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Shikues Semiconductor | 100V N-Channel MOSFET, RDS(ON),typ.=30mΩ@VGS=10V, Low Gate Charge, Fast Recovery Body Diode, Automotive, DC Motor Control. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTK500N10A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | N-channel enhancement mode power MOSFET with 100V drain-source voltage, 20A continuous drain current, and RDS(on) less than 48mΩ at VGS=10V in a TO-252-4R package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
0N/10 Price and Stock
Select Manufacturer
Diotec Semiconductor AG DI100N10PQMOSFET PWRQFN 5X6 100V 0.0045OHM |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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DI100N10PQ | Cut Tape | 2,565 | 1 |
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| DI100N10PQ | Tape & Reel | 2,565 | 5,000 |
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| DI100N10PQ | Digi-Reel | 2,565 | 1 |
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onsemi ENGNTLEF5D0N10GN1TXGGAN FET 100V, 3.8M, 5X6 LGA |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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ENGNTLEF5D0N10GN1TXG | Tray | 2,500 | 1 |
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IXYS Corporation IXTH180N10TMOSFET N-CH 100V 180A TO247 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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IXTH180N10T | Tube | 1,345 | 1 |
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Advanced Fiber Resources (Wuhan) Ltd MOT180N10AMOSFET N-CH 100V 180A 3m To-220 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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MOT180N10A | Tube | 1,000 | 1 |
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IXYS Corporation IXTA180N10T-TRLMOSFET N-CH 100V 180A TO263 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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IXTA180N10T-TRL | Digi-Reel | 382 | 1 |
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| IXTA180N10T-TRL | Tape & Reel | 382 | 800 |
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| IXTA180N10T-TRL | Cut Tape | 382 | 1 |
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