-60----I- Search Results
-60----I- Datasheets (19)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 60I | Unknown | Shortform Data and Cross References (Misc Datasheets) | Short Form | 33.77KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 60INCH-D1-P4V-MINI | All Sensors | Pressure Sensor: Miniature Amplified Low Pressure Sensors | Original | 108.55KB | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 60INCH-Dx-P4V-MINI | All Sensors | Pressure Sensor: Miniature Amplified Low Pressure Sensors | Original | 108.55KB | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HPM6360IPA
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HPMicro Semiconductor Co Ltd | 32位RISC-V, 800KB SRAM, 4096位OTP, 128KB BOOT ROM, 24/32768Hz振荡器, 2XPI, DRAM, SDIO, 2I2S, PDM, 2PWM, 5定时器, 9UART, USB 2.0 OTG, 百兆以太网, 2CAN, 3ADC, 12位DAC, 108GPIO, AES, SM2/3/4, SHA, TRNG. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NCE70T260I
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NCEPOWER | NCE70T260I, NCE70T260K are 700V N-channel super junction power MOSFETs with low on-resistance of 260 mΩ typical, advanced trench gate technology, ultra-low gate charge, and 100% avalanche tested for high reliability in SMPS, PFC, and industrial applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AK65T260I
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AK Semiconductor | N-Channel Super Junction Power MOSFET AK65T260K with 650 V drain-source voltage, 15 A continuous drain current, 220 mΩ typical RDS(ON), and low gate charge for high-efficiency power conversion applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NCE65T260I
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NCEPOWER | NCE65T260I and NCE65T260K are 650V N-channel super junction power MOSFETs with low on-resistance of 220 mΩ, continuous drain current of 15 A, and low gate charge, available in TO-251 and TO-252 packages. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HPM6E60IGN
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HPMicro Semiconductor Co Ltd | 双核32位RISC-V，2080KB SRAM，千兆以太网，4个PWM模块，17个UART，4个ADC，206个GPIO，AES-128/256，SM2/3/4，SHA-1/256。 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HPM6260IEP
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HPMicro Semiconductor Co Ltd | 双核32位RISC-V，800KB SRAM，4096位OTP，128KB BOOT ROM，24/32768Hz振荡器，XPI，2高分辨率PWM，5组32位定时器，9UART，3ADC，108GPIO，AES-128/256，SM2/3/4，SHA-1/256，真随机数。 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AK65T360I
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AK Semiconductor | N-Channel Super Junction Power MOSFET AK65T360K with 650 V drain-source voltage, 11.5 A continuous drain current, 290 mΩ typical on-resistance, and low gate charge for high-efficiency power conversion applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JST60IS-1200BW
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 60A TRIAC with 1200V repetitive peak off-state and reverse voltage, suitable for AC switching in heating, motor control, and lighting applications; features snubberless operation for inductive loads and 2500 VRMS insulation rating. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AK70T360I
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AK Semiconductor | N-Channel Super Junction Power MOSFET AK70T360K with 700 V drain-source voltage, 11.5 A continuous drain current, 330 mΩ on-resistance, and low gate charge, suitable for PFC, SMPS, and industrial power applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HPM6360IEP
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HPMicro Semiconductor Co Ltd | 32位RISC-V, 800KB SRAM, 4096位OTP, 128KB BOOT ROM, 24/32768Hz晶体, 2XPI, DRAM, SDIO, 2I2S, PDM, 2PWM, 5定时器, 9UART, USB 2.0 OTG, 百兆以太网, 2CAN, 3ADC, 12位DAC, 108GPIO, AES, SM2/3/4, SHA, 真随机数, NOR解密 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HPM6260IPA
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HPMicro Semiconductor Co Ltd | 双核32位RISC-V，800KB SRAM，24MHz振荡器，9 UART，3 ADC，108 GPIO，AES-128/256，SM2/3/4，SHA-1/256。 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JST60IS-1600BW
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 60A TRIAC with 1600V repetitive peak off-state voltage, suitable for AC switching in heating, motor control, and lighting applications; features snubberless operation for inductive loads and 2500 VRMS rated insulation voltage. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NCE70T360I
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NCEPOWER | NCE70T360K and NCE70T360I are 700V N-channel super junction power MOSFETs with low on-resistance of 330 mΩ typical, 11.5A continuous drain current, and low gate charge, available in TO-252 and TO-251 packages respectively. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HPM6E60IVM
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HPMicro Semiconductor Co Ltd | 双核32位RISC-V，2080KB SRAM，千兆以太网，4ADC，206GPIO，AES/SM2/SM3/SM4/SHA-1/256加密，真随机数。 | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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XL-7060IR-T6A3
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XINGLIGHT | 42mil*42mil, 940nm, silica gel, 7060 bracket, ROHS, MSL 2a-3, EIA, reflow soldering, endoscope, oximeter, remote, camera, counters, thermal, smart meter, photoelectric, wireless, signal, car, robot. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NCE65T360I
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NCEPOWER | NCE65T360K and NCE65T360I are 650V N-channel super junction power MOSFETs with low RDS(ON) of 290mΩ, 11.5A continuous drain current, low gate charge, and high avalanche capability in TO-252 and TO-251 packages. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
-60----I- Price and Stock
Select Manufacturer
Analog Devices Inc LTC4360ISC8-1-TRMPBFIC OVERVOLTAGE PROT CONT SC70-8 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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LTC4360ISC8-1-TRMPBF | Digi-Reel | 3,103 | 1 |
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| LTC4360ISC8-1-TRMPBF | Cut Tape | 3,103 | 1 |
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| LTC4360ISC8-1-TRMPBF | Tape & Reel | 3,000 | 500 |
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LTC4360ISC8-1-TRMPBF | 6,260 |
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Get Quote | |||||||
Rochester Electronics LLC RC4560IPIC AUDIO 2 CIRCUIT 8DIP |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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RC4560IP | Bulk | 2,829 | 878 |
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Analog Devices Inc LTC1860IS8-PBFIC ADC 12BIT SAR 8SOIC |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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LTC1860IS8-PBF | Tube | 2,650 | 1 |
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LTC1860IS8-PBF | 2,276 |
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Get Quote | |||||||
Analog Devices Inc LTC4260IUH-TRPBFIC HOT SWAP CTRLR GP 32QFN |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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LTC4260IUH-TRPBF | Tape & Reel | 2,500 | 2,500 |
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LTC4260IUH-TRPBF | 6,895 |
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Get Quote | |||||||
Essentra Components 50M035060I006MACH SCREW FLAT PHILLIP M3.5X0.6 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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50M035060I006 | Bulk | 885 | 1 |
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