-30-N-0 Search Results
-30-N-0 Datasheets (22)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 30N03A | UMW | TO-252 MOSFETS ROHS | Original | 948.65KB | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 30N06 | Unisonic Technologies | 30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | Original | 154.83KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 30N06LE | Unknown | Historical semiconductor price guide (US$ - 1998). From our catalog scanning project. | Historical | 34.6KB | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 30N06L-TA3-T | Unisonic Technologies | 30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | Original | 154.82KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 30N06-TA3-T | Unisonic Technologies | 30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | Original | 154.82KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 30N06-TF3-T | Unisonic Technologies | 30 Amps, 60 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | Original | 154.82KB | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HSU30N02
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Huashuo Semiconductor | N-Ch 20V Fast Switching MOSFET with 30A continuous drain current, 6.8 mΩ typical RDS(ON), low gate charge, and 40W power dissipation in TO252 package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTP330N06D
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 60V, 5A, 32mΩ N-channel Power Trench MOSFET in SOP-8 package with low gate charge, excellent RDS(ON), and 100% UIS tested, suitable for load switch, PWM, and power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AKZE30N02
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AK Semiconductor | N-Channel 20-V MOSFET with 100 A continuous drain current, 0.006 ohm typical rDS(on) at VGS = 4.5 V, TO-252 package, suitable for power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLD130N04T
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Maplesemi | N-channel MOSFET with 40V drain-source voltage, 130A continuous drain current, typical RDS(on) of 2.5mΩ at VGS = 10V, and low gate charge for fast switching in D-PAK package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLM130N04T
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Maplesemi | 40V N-Channel MOSFET with 130A continuous drain current, 2.0mΩ typical RDS(on) at VGS=10V, DFN5x6 package, suitable for PWM, load switch, and power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLD30N03T
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Maplesemi | N-channel 30V 30A Power MOSFET with typical RDS(on) of 7.8 mΩ at VGS = 10 V, low Crss, fast switching, 100% avalanche tested, in D-Pak package. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SL30N06D
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SLKOR | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SLN30N03T
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Maplesemi | N-Channel MOSFET with 30V drain-source voltage, 30A continuous drain current, 6.0mΩ typical RDS(on) at VGS = 10V, in DFN3*3 package, suitable for power management and load switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AKZE30N06
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AK Semiconductor | N-Channel 60-V TrenchFET Power MOSFET with 35 A continuous drain current, 0.025 ohm typical rDS(on) at VGS = 10 V, TO-252 package, rated for 175 °C junction temperature. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CJAB30N02
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JCET Group | N-Channel Power MOSFET CJAB30N02 with 20V drain-source voltage, 30A continuous drain current, and ultra-low RDS(on) of 6.2mΩ at 4.5V VGS, housed in a PDFNWB3.3x3.3-8L package for high-density applications requiring efficient switching and thermal performance. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTQ230N04D
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 40V, 12A dual N-channel enhancement mode power MOSFET in PDFN3x3-8L-D package with RDS(ON) less than 26mΩ at VGS=10V and low gate charge, suitable for load switch, PWM, and power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTQ130N04D
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 40V, 20A dual N-channel enhancement mode power MOSFET in PDFN3x3-8L-D package with RDS(ON) less than 19.2mΩ at VGS=10V and low gate charge, suitable for load switching, PWM, and power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMTP130N04A
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 40V, 10A N-channel Enhancement Mode Power MOSFET in SOP-8 package with RDS(ON) less than 16.5mΩ at VGS=10V, featuring advanced trench technology, low gate charge, and 100% UIS tested. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
-30-N-0 Price and Stock
Select Manufacturer
Infineon Technologies AG BSC030N08NS5ATMA1MOSFET N-CH 80V 100A TDSON |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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BSC030N08NS5ATMA1 | Cut Tape | 31,128 | 1 |
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BSC030N08NS5ATMA1 | Cut Tape | 52,014 | 1 |
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BSC030N08NS5ATMA1 | 14 Weeks | 5,000 |
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Get Quote | ||||||
Micro Commercial Components MCG30N04HE3-TPN-CHANNEL MOSFET, DFN3333 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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MCG30N04HE3-TP | Digi-Reel | 13,229 | 1 |
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MCG30N04HE3-TP | 5,805 |
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Micro Commercial Components MCG30N03A-TPMOSFET N-CH 30V 30A DFN3333 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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MCG30N03A-TP | Cut Tape | 4,648 | 1 |
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ROHM Semiconductor RSR030N06HZGTLMOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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RSR030N06HZGTL | Cut Tape | 2,782 | 1 |
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RSR030N06HZGTL | Cut Tape | 2,837 | 1 |
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RSR030N06HZGTL | 2,200 | 1 |
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RSR030N06HZGTL | 24 Weeks | 3,000 |
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Get Quote | ||||||
Infineon Technologies AG IPD30N06S223ATMA2MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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IPD30N06S223ATMA2 | Cut Tape | 1,971 | 1 |
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IPD30N06S223ATMA2 | Tape & Reel | 9 Weeks | 2,500 |
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IPD30N06S223ATMA2 | 14,366 |
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IPD30N06S223ATMA2 | 15,965 | 1 |
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IPD30N06S223ATMA2 | 10 Weeks | 2,500 |
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