-02-N Search Results
-02-N Datasheets (26)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 02NR |
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Connector | Scan | 253.63KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 02NR-E4K(LF) |
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Rectangular Connectors - Free Hanging, Panel Mount, Connectors, Interconnects, CONN RECEPT IDC 2 POS BLK | Original | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
02N10
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel MOSFET HKT02N10 in SOT-23 package with 100 V drain-source voltage, 2 A continuous drain current, and low on-resistance of 280 mΩ at VGS = 10 V, suitable for low power DC-DC converters and load switch applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF-Q30SARGB-02-N
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REFOND | 3.0mm x 3.0mm RGB LED with EMC package, featuring red, green, and blue chips, wide viewing angle, RoHS compliance, and suitable for SMT assembly, packaged 5000pcs per reel. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VSP002N03MS-G
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VANGUARD | 30V/150A N-Channel Advanced Power MOSFET with RDS(on) of 2.3 mΩ at VGS=10V, available in PDFN5x6 package, featuring low on-resistance and 100% avalanche testing capability. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EM02N70M
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ETEK | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NCE1102N
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NCEPOWER | NCE1102N is an N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET with 110V drain-source voltage, 2A continuous drain current, and low RDS(ON) of 218mΩ typical at VGS=10V, suitable for power switching and high-frequency applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMSH1002NE
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 100V N-channel power MOSFET with 2.2 mΩ RDS(ON) at 10V VGS, 284A continuous drain current, available in TO-220-3L and TO-263-3L packages, featuring low gate charge and ultra-low on-resistance. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VSE002N03MS-G
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VANGUARD | 30V/155A N-Channel Advanced Power MOSFET with RDS(on) of 1.4 mΩ at VGS=10V, 2.2 mΩ at VGS=4.5V, available in PDFN3333 package, featuring high efficiency, fast switching, and low on-resistance. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMSH1002NS
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 100V, 274A, 3.2mΩ N-channel Power SGT MOSFET in TO-247-3L package with low gate charge, excellent RDS(ON), and 100% UIS tested for power management and load switch applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EM02N08H
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ETEK | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMSH1002NTL
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 100V 2.0mΩ N-channel Power MOSFET in PowerJE10x12 package with 337A continuous drain current, low gate charge, and ultra-low RDS(ON), suitable for power tools, e-vehicles, robotics, and power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VSP002N03MST-G
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VANGUARD | 30V/150A N-Channel Power MOSFET with 1.3 mΩ RDS(on) at VGS=10V, 2.0 mΩ at VGS=4.5V, 163A ID silicon-limited, PDFN5x6 package, 100% avalanche tested, suitable for high-efficiency switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SK02N06E
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Shikues Semiconductor | Logic Level Threshold, RDS(ON)=86mΩ @ VGS=10V, 60V N-Channel MOSFET, SOT-223. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMSH1002NC
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 100V N-channel Power MOSFET with 2.2 mΩ RDS(ON) at 10V VGS, available in TO-220-3L and TO-263-3L packages, featuring low gate charge, high continuous drain current of 284A, and junction temperature range from -55°C to 150°C. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CJU02N60M1
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JCET Group | N-Channel Power MOSFET CJU02N60M1 in TO-252-2L package with 600V drain-source voltage, 2A continuous drain current, 2.7 ohm on-resistance at 10V gate-source voltage, suitable for high voltage switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NCE6602N
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NCEPOWER | NCE6602N is a dual N- and P-channel enhancement mode power MOSFET in a SOT23-6L package, with 30V drain-source voltage rating, low on-resistance, and suitable for battery protection and switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LC0502N
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Leiditech | LC0502N is a 4-line ultra low capacitance TVS diode array with 5V operating voltage, nA-level leakage, low clamping voltage, and protection compliant with IEC 61000-4-2 (±30kV air, ±25kV contact), EFT 40A, and lightning 5A standards. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HCMC2523-102N
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JWD | High current CM choke with flat wire winding, E-type ferrite core, very low DC resistance, high rated current, excellent impedance, magnetic shield, AEC-Q200 and IATF16949 compliant, RoHS compliant, 2000V DC coil-to-coil isolation. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CESD0402NC5VB
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CREATEK Microelectronics | Bidirectional ESD protection diode in 0402 package with 60W peak pulse power, 5.0V reverse stand-off voltage, 15pF typical junction capacitance, and compliance with IEC 61000-4-2 ±25kV contact discharge. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
-02-N Price and Stock
Select Manufacturer
Pulse Electronics Corporation PG0087.102NLFIXED IND 1UH 3.5A 33 MOHM SMD |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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PG0087.102NL | Tray | 2,950 | 185 |
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Novacap MD0402N560F500YHT-EMCAP CER 56PF 50V C0G/NP0 0402 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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MD0402N560F500YHT-EM | Digi-Reel | 2,500 | 1 |
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| MD0402N560F500YHT-EM | Cut Tape | 2,500 | 1 |
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Ohmite Mfg Co HVC0402N1007KETRES SMD 1G OHM 10% 1/20W 0402 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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HVC0402N1007KET | Tape & Reel | 1,000 | 500 |
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Novacap 1812B222K202NTCAP CER 2200PF 2KV X7R 1812 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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1812B222K202NT | Cut Tape | 952 | 1 |
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| 1812B222K202NT | Digi-Reel | 952 | 1 |
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| 1812B222K202NT | Tape & Reel | 500 | 500 |
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Amphenol Communications Solutions RJE3B1881102NMODULAR JACK - 8P8C, RA, CAT6, S |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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RJE3B1881102N | Cut Tape | 457 | 1 |
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| RJE3B1881102N | Digi-Reel | 457 | 1 |
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| RJE3B1881102N | Tape & Reel | 400 | 100 |
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