-02-N Search Results
-02-N Datasheets (26)
Select Manufacturer
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 02NR |
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Connector | Scan | 253.63KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 02NR-E4K(LF) |
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Rectangular Connectors - Free Hanging, Panel Mount, Connectors, Interconnects, CONN RECEPT IDC 2 POS BLK | Original | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
02N10
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Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd | N-channel MOSFET HKT02N10 in SOT-23 package with 100 V drain-source voltage, 2 A continuous drain current, and low on-resistance of 280 mΩ at VGS = 10 V, suitable for low power DC-DC converters and load switch applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VSP002N03MS-G
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VANGUARD | 30V/150A N-Channel Advanced Power MOSFET with RDS(on) of 2.3 mΩ at VGS=10V, available in PDFN5x6 package, featuring low on-resistance and 100% avalanche testing capability. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RF-Q30SARGB-02-N
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REFOND | 3.0mm x 3.0mm RGB LED with EMC package, featuring red, green, and blue chips, wide viewing angle, RoHS compliance, and suitable for SMT assembly, packaged 5000pcs per reel. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMSH1002NS
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 100V, 274A, 3.2mΩ N-channel Power SGT MOSFET in TO-247-3L package with low gate charge, excellent RDS(ON), and 100% UIS tested for power management and load switch applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VSE002N03MS-G
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VANGUARD | 30V/155A N-Channel Advanced Power MOSFET with RDS(on) of 1.4 mΩ at VGS=10V, 2.2 mΩ at VGS=4.5V, available in PDFN3333 package, featuring high efficiency, fast switching, and low on-resistance. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NCE1102N
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NCEPOWER | NCE1102N is an N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET with 110V drain-source voltage, 2A continuous drain current, and low RDS(ON) of 218mΩ typical at VGS=10V, suitable for power switching and high-frequency applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EM02N08H
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ETEK | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EM02N70M
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ETEK | Original | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMSH1002NE
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 100V N-channel power MOSFET with 2.2 mΩ RDS(ON) at 10V VGS, 284A continuous drain current, available in TO-220-3L and TO-263-3L packages, featuring low gate charge and ultra-low on-resistance. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMSH1002NC
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 100V N-channel Power MOSFET with 2.2 mΩ RDS(ON) at 10V VGS, available in TO-220-3L and TO-263-3L packages, featuring low gate charge, high continuous drain current of 284A, and junction temperature range from -55°C to 150°C. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JMSH1002NTL
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Jiangsu JieJie Microelectronics Co Ltd | 100V 2.0mΩ N-channel Power MOSFET in PowerJE10x12 package with 337A continuous drain current, low gate charge, and ultra-low RDS(ON), suitable for power tools, e-vehicles, robotics, and power management applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
VSP002N03MST-G
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VANGUARD | 30V/150A N-Channel Power MOSFET with 1.3 mΩ RDS(on) at VGS=10V, 2.0 mΩ at VGS=4.5V, 163A ID silicon-limited, PDFN5x6 package, 100% avalanche tested, suitable for high-efficiency switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SK02N06E
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Shikues Semiconductor | Logic Level Threshold, RDS(ON)=86mΩ @ VGS=10V, 60V N-Channel MOSFET, SOT-223. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NCE6602N
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NCEPOWER | NCE6602N is a dual N- and P-channel enhancement mode power MOSFET in a SOT23-6L package, with 30V drain-source voltage rating, low on-resistance, and suitable for battery protection and switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CJU02N60M1
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JCET Group | N-Channel Power MOSFET CJU02N60M1 in TO-252-2L package with 600V drain-source voltage, 2A continuous drain current, 2.7 ohm on-resistance at 10V gate-source voltage, suitable for high voltage switching applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HCMC2523-102N
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JWD | High current CM choke with flat wire winding, E-type ferrite core, very low DC resistance, high rated current, excellent impedance, magnetic shield, AEC-Q200 and IATF16949 compliant, RoHS compliant, 2000V DC coil-to-coil isolation. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CJU02N60
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JCET Group | N-channel power MOSFET in TO-252-2L package with 600V drain-source voltage, 2A continuous drain current, 4.4 ohm on-state resistance at 10V gate-source voltage, and high switching speed for power switching and DC/DC converter applications. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LC0502N
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Leiditech | LC0502N is a 4-line ultra low capacitance TVS diode array with 5V operating voltage, nA-level leakage, low clamping voltage, and protection compliant with IEC 61000-4-2 (±30kV air, ±25kV contact), EFT 40A, and lightning 5A standards. | Original | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
-02-N Price and Stock
Select Manufacturer
JRH ELECTRONICS 440AA002NF1006-N-XCONN BACKSHELL |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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440AA002NF1006-N-X | Bulk | 209 | 1 |
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Vishay Dale NTHS0402N02N1202JETHERMISTOR NTC 12KOHM 3477K 0402 |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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NTHS0402N02N1202JE | Tape & Reel | 142 |
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| NTHS0402N02N1202JE | Cut Tape | 142 | 1 |
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JRH ELECTRONICS 311BS002N0902NCONN ADAPTER |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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311BS002N0902N | Bulk | 47 | 1 |
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JRH ELECTRONICS 440FA002NF1002-NCONNECTOR BACKSHELL |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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440FA002NF1002-N | Bulk | 47 | 1 |
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JRH ELECTRONICS 431-002NFA05B02C02D03CONN BACKSHELL |
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| Distributors | Part | Package | Stock | Lead Time | Min Order Qty | Price | Buy | ||||
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431-002NFA05B02C02D03 | Bulk | 47 | 1 |
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