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Part Manufacturer Description Datasheet BUY
1516229-7 TE Connectivity Ltd PRO BEAM® Sr., PRO BEAM® Jr., PRO BEAM® Mini and Expanded Beam Connectors; CBL ADPT, BLKHD, 5.2 NAB, PBSR ( Tyco Electronics ) BUY
1828698-4 TE Connectivity Ltd PRO BEAM® Sr., PRO BEAM® Jr., PRO BEAM® Mini and Expanded Beam Connectors; SHELL KIT,PBM,PLUG,FVMQ,NAB ( Tyco Electronics ) BUY
1-1516229-4 TE Connectivity Ltd PRO BEAM® Sr., PRO BEAM® Jr., PRO BEAM® Mini and Expanded Beam Connectors; CBL ADPT, BLKHD, 6.7 NAB, PBSR ( Tyco Electronics ) BUY
1516229-8 TE Connectivity Ltd PRO BEAM® Sr., PRO BEAM® Jr., PRO BEAM® Mini and Expanded Beam Connectors; LOW PROF ADPT, BLKHD, NAB, PBSR ( Tyco Electronics ) BUY
1516229-5 TE Connectivity Ltd PRO BEAM® Sr., PRO BEAM® Jr., PRO BEAM® Mini and Expanded Beam Connectors; CBL ADPT, BLKHD, 4X3 NAB, PBSR ( Tyco Electronics ) BUY
1-1828700-3 TE Connectivity Ltd PRO BEAM® Sr., PRO BEAM® Jr., PRO BEAM® Mini and Expanded Beam Connectors; CBL ADPT KIT,PLUG 5.1 NAB FVMQ ( Tyco Electronics ) BUY

skiip 31 nab 12 t 49

Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

SKIIP 32 nab 12 t 49

Abstract: SKiiP 83 AC 12 i t 1 33/22 38 1200 - 1 1,0/1,2 3 SKiiP 31 NAB 12 4 3~ ja 45/30 38 , 06 I 0.75 1~ nein 17/12 20 600 4 1 2,3/2,7 1 SKiiP 20 NAB 06 I , 36 600 4 1 1,4/1,7 2 SKiiP 20 NAB 12 I 1.5 3~ ja 16/11 16 1200 4 1 1,8/2,4 2 SKiiP 22 NAB 12 I 2.2 3~ ja 23/15 24 1200 4 1 1 , SKiiP 31 NAB 06 4 3~ ja 50/35 57 600 - 1 1,0/1,2 3 SKiiP 32 NAB 06 5
SEMIKRON
Original

SKIIP 32 nab 12 t 49

Abstract: SKiiP 33 NEC 125 To 3 SKiiP 30 NAB 12 3 3~ yes 33/22 38 1200 - 1 1,0/1,2 3 SKiiP 31 NAB 12 4 3~ yes 45/30 38 1200 - 1 0,7/1,2 3 SKiiP 32 NAB 12 5.5 , SKiiP 22 NAB 06 I 3 3~ yes 36/25 36 600 4 1 1,4/1,7 2 SKiiP 20 NAB 12 I 1.5 3~ yes 16/11 16 1200 4 1 1,8/2,4 2 SKiiP 22 NAB 12 I 2.2 3 , 57 600 - 1 1,4/1,2 3 SKiiP 31 NAB 06 4 3~ yes 50/35 57 600 -
SEMIKRON
Original

SKiip 83 EC 125 T1

Abstract: SKiiP 82 AC 12 T1 Integration kompletter elektronischer und künftig auch mechatronischer Systeme. 1.2 Leistungs-MOSFET und , erzeugt, die den Kanal abschnürt und den Hauptstromfluß unterbricht. Überwiegend kommen die in Bild 1.2 , bestehen sowohl Leistungs-MOSFET (Bild 1.2) als auch IGBT (Bild 1.4) aus einer , (Hochvolt-IGBTs) auf 0,3.1,5 cm2 Chipfläche. Die Schnittbilder der Zellen zeigen einen analogen Aufbau der , Source b) A-B: wide of elementary cell d: length of channel Bild 1.2 Leistungs-MOSFET
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Original