500 MILLION PARTS FROM 12000 MANUFACTURERS

DATASHEET SEARCH ENGINE

Top Results

Part Manufacturer Description Datasheet BUY
PT4142CT Texas Instruments 1-OUTPUT 20W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE, PLASTIC, DIP-6 visit Texas Instruments
ADS4142IRGZR Texas Instruments 14-bit, 65 MSPS, Analog-to-Digital Converter (ADC) 48-VQFN -40 to 85 visit Texas Instruments
ADS4142IRGZT Texas Instruments 14-bit, 65 MSPS, Analog-to-Digital Converter (ADC) 48-VQFN -40 to 85 visit Texas Instruments Buy
PT4142A Texas Instruments 1-OUTPUT 20W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE, ROHS COMPLIANT PACKAGE-6 visit Texas Instruments
PT4142C Texas Instruments 1-OUTPUT 20W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE, ROHS COMPLIANT, SMD-6 visit Texas Instruments
84142012A Texas Instruments Quadruple 2-Input Positive-AND Gates With Open-Collector Outputs 20-LCCC -55 to 125 visit Texas Instruments

la 4142 Datasheet

Part Manufacturer Description PDF Type
LA4142 N/A Shortform IC and Component Datasheets (Plus Cross Reference Data) Scan
LA4142 N/A Shortform Data and Cross References (Misc Datasheets) Scan
LA4142A N/A Shortform IC and Component Datasheets (Plus Cross Reference Data) Scan
LA4142A N/A Shortform Data and Cross References (Misc Datasheets) Scan

la 4142

Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

LA4142

Abstract: la 4142 Alamos Scientific Laboratory Report LA-4142-MS, Januarv 1970. 3. D.G. Ball and T.R. Burkes, "PEN Design
-
OCR Scan
la 4142 nas 1921 Physical and chemical process in self-curing plastic capacitors bsc physics books Aerovox energy discharge 100 kv capacitor aerovox

pnoz 1

Abstract: PILZ PNOZ X1 must be triggered at least once a month. · La mise en oeuvre de l'appareil doit être effectuée par , défaillance de l'équipement électrique. · Respecter les exigences de la norme EN 60068-2-6 lors du , annule automatiquement la garantie. · L'appareil doit être monté dans une armoire; l'humidité et la , contacts de sortie est suffisant en cas de circuits capacitifs ou inductifs. · La fonction de sécurité , . L'appareil n'est pas adapté à la surveillance de barrières immatérielles car une validation dynamique n'est
Pilz
Original
pnoz 1 PILZ PNOZ X1 transformador m-1 diodo 031 KG noodstopknop Diagrama Electronico

XPS-AT

Abstract: variateur de vitesse correspondant. Le circuit de sortie 41-42 est seulement utilisable pour des fonctions n'étant pas liées à la , trois sorties de sécurité à coupure directe de la catégorie d'arrêt 0 (EN 418, EN 60204-1), le module est équipé de deux autres sorties à coupure temporisée de la catégorie d'arrêt 1 , qui permettent un , par variateur de vitesse). A la fin de la temporisation présélectionnée, l'alimentation en énergie est coupée en ouvrant les circuits de sorties temporisés. La temporisation des deux circuits de
Telemecanique
Original
EN418 XPS-AT variateur de vitesse timer relais schema B1-S12 B1S12 schema led table VA/360 VA/180

PNOZ X2.7P

Abstract: PILZ pnoz x2.7p must be triggered at least once a month. · La mise en oeuvre de l'appareil doit être effectuée par , défaillance de l'équipement électrique. · Respecter les exigences de la norme EN 60068-2-6, 04/95 lors du , modification annule automatiquement la garantie. · Vérifiez que le pouvoir de coupure des contacts de sortie , conservée pour les applications futures. · La fonction de sécurité doit être activée au moins une fois par , / Arrêt de la machine -1- Funktionsbeschreibung Function Description Description du
Pilz
Original
PNOZ X2.7P PILZ pnoz x2.7p 8P,RELAY pnoz X2.8P Pilz door switch PNOZ EXAMPLE CONEXION

XPS-AK

Abstract: schema led table xps-ak voies d'entrée qui augmente ainsi le niveau de sécurité. Ce mode opératoire permet d'intégrer toute la connectique dans la surveillance. Tous les premiers défauts sont ainsi détectés. 33 41 4 Y7 13 23 4 Y6 , électronique intégré protège le module contre la destruction par courts-circuits externes (par exemple , et la maintenance de la machine. Il est important de respecter strictement les échéances de contrôle , ) LED 1: (A1/A2 - Fuse) Présence de tension d'alimentation aux bornes A1/A2 ou B1/B2. La DEL
Telemecanique
Original
EN61496-1 XPS-AK schema led table xps-ak xps ak schema XPS safety circuit relay XPS AL K4 24V

xps-ak

Abstract: schema XPS Ar d'intégrer toute la connectique dans la surveillance. Tous les premiers défauts sont ainsi détectés. 33 , . Un fusible électronique intégré protège le module contre la destruction par courts-circuits externes , et la maintenance de la machine. Il est important de respecter strictement les échéances de contrôle , tension d'alimentation aux bornes A1/A2 ou B1/B2. La DEL s'éteint, lorsqu'il n'y a plus de tension ou , ) LED 2: (Input A - S22) La DEL 2 indique l'état du premier circuit d'entrée entre les bornes
Telemecanique
Original
schema XPS Ar xpsAK schema XPS AC xps ak safety relay transistor S33 xps - ak

A0444

Abstract: T500mA 41-42 est seulement admissible pour des fonctions n'étant pas liées à la sécurité. Encombrements , En ce qui concerne les produits, pour lesquels la tension d'alimentation est égale à la tension de commande, il est absolutement nécessaire de respecter la Norme EN 60 204-1: 1992 point 9.1.1. Le module , and 33-34. Output circuit 41-42 is permissable only for non-safety related functions. 34 Y2 , abgefallen waren. A1/A2 K1/ K2 / 14 24 34 A2 41 42 Fonction La tension
Telemecanique
Original
1800VA A0444 T500mA k534 EMERGENCY OFF PUSH BUTTON relais K4 24V xps-ax 180VA
Abstract: Collector Dissipation (Tc= 2 5 °C ) Junction Temperature Storage Temperature VcBO VcSO Vebo lo la , =0 Veb= â'"5V, lc = 0 IcBO Ie b o Max - Unit MA HA BV ceo lc = - 5 0 m A ,' la= 0 , 0 | ^ k 4142 . 0007S04 a PNP EXITAXIAL SILICON TRANSISTOR POWER DERATING SAMSUNG SEMICONDUCTOR ~ 3 3 * IS 79 I SAMSUNG SEMICONDUCTOR IM E INC D 7=11,4142 , SEMICONDUCTOR INC IME D 17^ 4142 0007757 4 PACKAGE DIMENSIONS T - q i - a ò â -
OCR Scan
KSB596 KSD526 GQG77

JE2955

Abstract: JE2955T SAMSUNG SEMICONDUCTOR IME O I INC MJE2955T 7*11,4142 G0077Gfl 5 | PNP SILICON , Condition -200m A, lB= 0 Min Max -7 0 0 -1 -5 mA -6 0 la = 0 VC = â'"70V, Vee(off) = , Vce= - 4V, lc = -1 0 A |c= - 4A, la= -0 .4 A leâ'"â'"10A, lB= -3 .3 A Vce= -4 V , l0= - 4 A Vce= - , 283 S AM SU N G SÉMICONOUCTGR INC 14E D I 71fc,4142 000770*1 4 | PNP SILICON , SEMICONDUCTOR IME INC D 7=11,4142 00G?7Sb 2 T ' ñ i PACKAGE DIMENSIONS Unit: mm
-
OCR Scan
JE2955 JE2955T G0077G

200V transistor npn 2a

Abstract: d 331 TRANSISTOR equivalent Time Symbol IcBO Test Condition Vea-800V , iE= 0 V eb= 5V, lc= 0 Vce= 5V, lc= 0 .5 A lc=2A, la= 0 .6 A lç=2A, la=0.8A Vce= 10V, ic= 0 .5 A lc=2A, lB1 = 0 .6 A l82 = - 1 .2 A , Vcc=200V RL= 100(1 , I 7=11,4142 00G?7Sb 2 PACKAGE DIMENSIONS T ' ñ i SOT-23 Unit: mm TO , INC 14E D 17^ 4142 0007757 4 | PACKAGE DIMENSIONS s» T-qi-aò - TO , 334 SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC IME D | 7*^4142 GQG77fe,0 4 PACKAGE
-
OCR Scan
200V transistor npn 2a d 331 TRANSISTOR equivalent Q007t Samsung Semiconductor samsung tv KSD5004

la 4142

Abstract: MJE340 SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC 14E 0 | 7^1,4142 00071=10 3 | MJE210 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR , =-500mA. IB=â'"50mA -0.3 V lc=-2A, la=-200mA -0.75 V le-5A, laâ'"â'" 1A -1.8 V Base-Emitter Saturation Voltage VÅ"tsat) lc=-5A, la â'" â'" 1A -2.5 V Base-Emitter On Voltage VeElon) Vce = -1V. Ic = , 14E D | 711,4142 00071311 S | MJE210 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSÌSTOR POWER DERATING 25 50 75 100 , INC 14E 0 J 711,4142 0007701 T | MJE340 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR -:-;-:-"T-3>3-or~ POWER
-
OCR Scan
MJE200 MJE350 3V to 300V transformer 300V transistor pnp 2a

samsung tv

Abstract: 0 V c e = 5 V . Ic = 0 . 5 A . IC = 2 A , la = 0 . 6 A l c = 2 A , la = 0 . 6 A · Min Typ , CURRENT lc(A), COLLECTOR CURRENT SA F E OPERATING AREA ¡ I 2P ti la(A), BASE CURRENT , D I 7=11,4142 00G?7Sb 2 P A C K A G E D IM E N SIO N S T 'ñ i SOT-23 Unit , SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC 14E D 17^ 4142 0007757 4 | P A C K A G E D IM E N SIO , S A M SU N G SEMICONDUCTOR INC I ME D | 7*^4142 GQG77fe,0 4 P A C K A G E
-
OCR Scan
KSD5014

JE210

Abstract: - 2A Vce= - 2V, lc= - 5 A lc= -500m A , lB= -5 0 m A VBE(sat) VeE(on) Min lc = - 2 A , la= - 2 0 0 m A le- 5A, laâ'"â'"1A lc = - 5 A , la â'"â'"1A Vce = - 1 V , lc = - 2 A hpà , ICONDUCTOR MJE210 INC D | 7*11,4142 00074,1*1 5 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSÌSTOR , IM E INC D 711,4142 00G?7Sb 2 T ' ñ i PACKAGE DIMENSIONS Unit: mm SOT , *^4142 GQG77fe,0 T-quao s TO-92 AMMO PACK Unit: mm FLAT SIDE OF TRANSISTOR and ADHESIVE
-
OCR Scan
JE210

sot23 1fe

Abstract: la 4142 ¡SAMSUNG S EMI CONDUCTOR INC _ IME D | 711,4142 QG072b7 1 | MMBT4125 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT-23 T -a q -ñ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C> Characteristic Collector-Base Voltage Collector-Emltter Voltage Emitter-Base Voltage , Vce= 1V, lc=2.0m A VC E=1V, lc=50m A lc=50mA, la=5.0m A lo=50mA, la=5.0m A lc=10mA, Vce-20V f= 100MHz , SAMSUNG SEMICONDUCTOR 686 \ M S UN G SEMICONDUCTOR INC 14E D §?1fe,4142 000741
-
OCR Scan
sot23 1fe QG072 100MH

it4142

Abstract: SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC 14E D | ? it,4142 GOOtfllb 0 | KSA952 GENERAL PURPOSE APPLICATIONS HIGH TOTAL POWER DISIPATION (PT=600 mW) High Hfe and LOW VC E , Temperature Symbol VcBO VcEO V ebo lc la Pc Tj Tstg Rating -3 0 -2 5 -5 -7 0 0 -T 5 0 600 150 -5 5 ~ 1 , 0 0 m A , lB= -7 0 m A lc= -700mA, la= - 7 0 m A V c e = -6 V , lE= 0 , f= 1M H z Vce= - 6V, Ie , SEMICONDUCTOR INC 14E D §7^ 4142 0007411. 0 | PACKAGE DIMENSIONS_ Z E
-
OCR Scan
it4142 GGD7415

transistor 711

Abstract: DO 127 , lc=1A lc -4Á, lB=0.8A lc=4A, la= 0.8A VC e= 10V, lc-1A lc = 4A, IB1 =0.8A la2 = -1 .6 A , R L , 14E D | 711,4142 0 00 7t . ? f l fl | KSD5016 " ' : "T STATIC CHARACTERISTIC , ,4142 00G77Sb £ PACKAGE DIMENSIONS T ' ñ i SOT-23 Unit: mm TO-92 Unit: mm > J , 711,4142 0007757 4 | PACKAGE DIMENSIONS s» T-qi-aò - TO-220 $3.61 Unit: mm
-
OCR Scan
transistor 711 DO 127 T-33-11

702 Z TRANSISTOR

Abstract: 702 TRANSISTOR npn SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC 11£ 0 fe 711,4142 0007704 5 NPN EPITAXIAL MJE700/701/702/703 SILICON , =-60V, la=0 -100 ma :MJE702/703 Vceâ'"â'" 80V, laâ'"0 -100 pA Collector Cutoff Current leso V&=Rated , =-4A, la=-40mA -3 V Base-Emitter On Voltage VeE(on) â'¢â MJE700/702 Vetâ'"3V, Icâ'"â'" 1.5A -2.5 , Current lc 4 A Base Current la 0.1 A Collector Dissipation Pc 40 W Junction Temperature Ti 150 °C , .-MJE800/801 Vce=60V, la=0 100 MA - " :MJE802/803 Vcap80V, laâ'"0 100 HA Collector Cutoff Current
-
OCR Scan
702 Z TRANSISTOR 702 TRANSISTOR npn 702 TRANSISTOR S6020 TL MJE2955T 702 pnp MJE800/801/802/803 MJE700/701 MJE701/703 G0Q77CH

Z805U

Abstract: declencheur conditions d'éclairage. Deux écrans, connectés extérieurement a 11 anode et^ a la cathode a travers des , and the cathode screen s^ to the cathode via resistors of 10 M2 L'écran anodique^Sg doit être,relié à l'anode et l'écran cathodique Sv a la cathode à travers de résistances de 10 MS Die Anoden , ©clairage. Deux écrçns, connectés extérieurement à l'anode et, à la cathode a travers des rà , L'écran anodique^s-j doit être^relié à l'anode et l'écran cathodique s^ à la cathode à travers
-
OCR Scan
Z805U declencheur tube cathodique culot Z805 tube cathodique PHILIPS

sot 23 transistor 70.2

Abstract: LTA 702 N Ie b o hF E mA pA f/A (jA -2 Vceâ'"â'"60V, la= 0 Vceâ'"â'" 80V, lB 0 = mA , D 7=11,4142 00G?7Sb £ T ' ñ i PACKAGE DIMENSIONS Unit: mm SOT-23 I TO , SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC PACKAGE DIMENSIONS 14E D 17^ 4142 0007757 T-qi-aò 4 , INC PACKAGE DIMENSIONS I ME D | 7*^4142 GQG77fe,0 T-quao s TO-92 AMMO PACK
-
OCR Scan
sot 23 transistor 70.2 LTA 702 N JE700/701/702/703

samsung tv

Abstract: leso Ie b o ^ fe Test Condition Vcs=800V, Ie - 0 V eb= 5V, lc = 0 Vce= 5V, lc=1A lc=5A, la- 1A ic , 4Ë 0 I 7*^4142 QODTböE T | KSD5017 SAMSUNG SEM ICO ND UC TOR INC N P N T R IP L E D IFFU SED P , SEMICONDUCTOR 257 SAMS UNG SEMICONDUCTOR INC IME O I 7=11,4142 0 0 G 7 7 S b 2 P , SEMICONDUCTOR 334 S A M SU N G SEMICONDUCTOR INC I ME D | 7*^4142 0QG77fe,0 4
-
OCR Scan
0Q07L 00077S7 0QG77
Showing first 20 results.