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Part Manufacturer Description Datasheet BUY
TPD4E004DSFR Texas Instruments UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE visit Texas Instruments
TPD3E001DRY Texas Instruments UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE visit Texas Instruments
TPD2E001YFPR Texas Instruments DIODE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, LEAD FREE, DSBGA-4, Transient Suppressor visit Texas Instruments
UC1610J/883B Texas Instruments SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE visit Texas Instruments
UC3612J Texas Instruments SILICON, RECTIFIER DIODE visit Texas Instruments
UC3612DP Texas Instruments SILICON, RECTIFIER DIODE visit Texas Instruments

diode bzw 90

Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

diode bzw 27

Abstract: St 97 BZW 50 upper .than the m axim um values, the diode w ill present a sh ort-circuit anode-cathode. Pour des surcharges supérieures aux valeurs maximales, la diode présentera un court-circuit anode-cathode. 100 , Unidirectional types (V) BZW 30-12 BZW 30-13 BZW 30-15 BZW 30-16 BZW 30-18 BZW 30-19 BZW 30-22 BZW 30-24 BZW 30-27 BZW 30-29 BZW 30-32 BZW 30-35 BZW 30-38 BZW 30-41 BZW 30-45 BZW 30-50 BZW 30-55 BZW 30-61 BZW 30-66 BZW 30-74 BZW 30-81 BZW 30-89 BZW 30-97 BZW 30-105 BZW 30-121 BZW 30-130 BZW 30-138 BZW 30-146 BZW
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Abstract: 04-128B 1 128 143 1 207 2.0 265 9.0 10.8 145 BZW 04-154 B Z W 04-154B , than the m aximum values, the diode will fail in short-circuit. THERMAL RESISTANCES Parameter , Unit 60 Junction to leads Rth (j-a) Value °c /w 100 °c/w 1/6 BZW 04 , ceT max VcL @ Ipp note4 V V mA V A V A 10'4/°C PF BZW 04-5V8 BZW 04-5 V8B 1000 5.8 6.45 10 10.5 38.0 13.4 174 5.7 3500 BZW 04-6V4 -
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BZW04-5V8/376 BZW04-5V8B/376B 10/IOOQ 04-XX

RAST-5-Standard

Abstract: W02 diode , optional mit Diode zweipolige Anschlussdosen, für über die Modulkante geführte Bändchen, optional mit Diode xTM TAQ-Boon ti Automa TotalQuality check gyTM TAQnolo Lumberg Leitungen mit , mit Lumberg Komponenten verkabelt. Diese Anlagen bestehen aus 700.000 bzw. 550.000 Dünn , mittels Klebstoff 1. Temperaturbereich 40 °C/+85 °C (IEC) 40 °C/+90 °C (UL) (+125 °C obere , , AWG 10) ohne Diode, Details auf Anfrage 1000 V DC (IEC)/600 V DC (UL) 100 V DC III (8 kV) IIIa
Lumberg
Original
RAST-5-Standard W02 diode SolarEdge Technologies CZK48 ei CM48 Lumberg connector lc4

DIODE ZENER BZW 06

Abstract: BZW 04-40B B 529 4.3 11.0 90 BZW 04-273 BZW 04-273B 1 273 304 1 438 1.2 564 , C Notes: For a surge greater than the maximum values, the diode will fall in short-circuit , ax 8/20uS V A T m ax note2 -4 O 10 / C C typ note3 (pF) uA V BZW 04-5V8 BZW 04-5V8B 1000 5.8 6.45 10 10.5 38.0 13.4 174 5.7 3500 BZW 04-6V4 BZW 04-6V4B 500 6.4 7.13 10 11.3 35.4 14.5 160 6.1 3100 BZW 04-8V5
Taiwan Semiconductor
Original
04-213B 04-342B DIODE ZENER BZW 06 BZW 04-40B B DIODE ZENER BZW 04 diode bzw 06 04-19B 0419B BZW04-5V8 DO-41 E-96005 MIL-STD-19500 260OC MIL-STD-202

BZW 22 DIODE ZENER

Abstract: 0633B 06-213 BZW 06-213B 1 231 237 1 344 2.0 442 9.0 11.0 310 BZW 06-256 , C Notes: For a surge greater than the maximum values, the diode will fall in short-circuit , O 10 / C C typ note3 (pF) BZW 06-5V8 BZW 06-5V8B 1000 5.8 6.45 10 10.5 57 13.4 298 5.7 4000 BZW 06-6V4 BZW 06-6V4B 500 6.4 7.13 10 11.3 53 14.5 276 6.1 3700 BZW 06-8V5 BZW 06-8V5B 10 8.5 9.5 1 14.5 41
Taiwan Semiconductor
Original
BZW06-5V8 06-342B BZW 22 DIODE ZENER 0633B 0615B DIODE ZENER BZW 03 0613B diode bzw 90 DO-15 06-58B 06-70B 06-85B 06-102B

50-150B

Abstract: 76 789 10 5750 BZW 50-39 BZW 50-39B 5 39 43.3 1 69.4 72 90 667 , than the maximum values, the diode will fail in short-circuit. THERMAL RESISTANCES Parameter , note3 max ceT max VcL @ Ipp note4 A V A 10 '4/°C PF B Z W 50-10 BZW 50-10B 5 10 11.1 1 18.8 266 23.4 2564 7.8 24000 BZW 50-12 BZW 50-12B 5 12 13.3 1 22 227 28 2143 8.4 18500 BZW 50-15 BZW 50-15B 5
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50-150B BZW50-10 B/180

diode bzw

Abstract: diode bzw 06 surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit. THERMAL RESISTANCES , -10 BZW06-1 3 BZW06-1 5 BZW06-19 BZW 06-20 BZW06-23 BZW 06-2 6 BZW 06-2 8 BZW 06-31 BZW 06-3 3 BZW 06-40 BZW 06-48 BZW 06-5 8 BZW 06-70 BZW 06-8 5 BZW 06-102 BZW 06-128 BZW 06-154 BZW 06-171 Bidirectional BZW06-5V8B BZW06-6V4B BZW06-8V5B BZW06-10B BZW06-13B BZW06-15B BZW06-19B BZW 06-20B BZW 06-23B BZW 06-26B BZW06-28B BZW 06-31B BZW06-33B BZW06-40B BZW06-48B BZW06-58B BZW06-70B BZW06-85B BZW06-102 B BZW06-1 28 B BZW06
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diode bzw 06342 0631B 0626B BZW06-37 0623B BZW06-5V8/376 BZW06-5V8B/376B BZW06-XX

BZW+20

Abstract: 330 BZW 06-213 BZW 06-213B 1 231 237 1 344 2.0 442 9.0 11.0 310 , surge greater than the m aximum values, the diode will fail in short-circuit. THERMAL RESISTANCES , 298 5.7 4000 BZW 06-5V8 BZW 06-5V8B 1000 BZW 06-6V4 BZW 06-6V4B 500 6.4 7.13 10 11.3 53.0 14.5 276 6.1 3700 BZW 06-8V5 BZW 06-8V5B 10 8.5 9.5 1 14.5 41 18.6 215 7.3 2800 BZ W 06-10 BZW 06-10B 5 10.2 11.4
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BZW+20

Semipack skfh

Abstract: semikron skkt 56/14e 149 Gerätes muß kleiner sein als das Grenzlastintegral des Thyristors bzw. der Diode. Damit , auftreten darf, kann der Thyristor bzw. die Diode in Rückwärtsrichtung mit den in Fig. 9 und 16 , aufeinanderfolgenden Sinus-Halbschwingungen von max. 10 ms Dauer, mit denen der Thyristor bzw. die Diode im , (kathodenseitig) + Diode L: Thyristor (anodenseitig) + Diode T: Alle Elemente Thyristoren Typennummer , Funktion des gleichgerichteten Stromes ID bzw. des Betriebsstromes für eine Phase (Effektivwert) IRMS
SEMIKRON
Original
Semipack skfh semikron skkt 56/14e semipack 1 skkt 19 Semipack 1 skfh SKKD semikron skkt 19

Lumberg

Abstract: 61730 gießen2, Gehäusedeckel für automatische Montage 1. Temperaturbereich 40 °C/+85 °C (IEC) 40 °C/+90 °C , geeignete Materialien auf Anfrage nach IEC 60529/DIN EN 60529 nach DIN EN 60664/IEC 60664 bzw. nach ANSI , ® oder LC4®), mit oder ohne Diode, für durch die Modulrückwand geführte Bändchen, Mon tage mit , . Temperaturbereich 40 °C/+85 °C (IEC) 40 °C/+90 °C (UL) (+155 °C obere Grenztemperatur) 2. Werkstoffe UV , DC ohne Diode, Details auf Anfrage 1000 V DC (IEC)/600 V DC (UL) 100 V DC III (8 kV) IIIa (IEC
Lumberg
Original
Lumberg 61730 JT diode

MOROCCO B 108 B

Abstract: BZW50 35 41.5 51 62 76 90 108 129 157 189 228 274 343 410 A 2564 2143 1714 1446 1177 968 789 667 556 465 , : Note 2 : Note 3 : Note 4 : For surges greater than the maximum values, the diode will present a , initial = 25 °C BZW 50-180 t BZW 50-82 100 BZW 50-39 BZW 50-18 BZW 50-10 Ipp (A) 10 0.1 1 , applied voltage for bidirectional types (typical values). C (pF) 10000 0 Tj = 25°C f = 1 MHz 10000 BZW 50-10B BZW 50-18B BZW 50-39B 100 0 BZW 50-82B BZW 50-180B V R (V) Tj = 25 °C f = 1 MHz 100 0 BZW
STMicroelectronics
Original
MOROCCO B 108 B BZW50 bzw 04P 15B BZW04P BZW50-12 BZW50-15 BZW50-18 BZW50-22 BZW50-27 BZW50-33

A66762-A4013-A58

Abstract: Transistor Datenbuch diode current rise Energy Avalanche energy Avalanche energy, repetitive Avalanche energy, single pulse , current with gate volt age applied Diode forward current (general) Diode forward current, average value Diode forward current, rms value Repetitive diode peak current Diode current surge crest value (50-Hz sinusoidal) Gate-emitter leakage current Gate-source leakage current Current through inductance Diode reverse current Reverse recovery peak return current Inverse diode continuous forward current Inverse diode direct
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A66762-A4013-A58 Transistor Datenbuch halbleiter index transistor leistungstransistoren

diode bzw 06

Abstract: BZW04-5V8 9.0 850 BZW04-17 BZW04-17B 5 17.1 19 20 21 1 27.7 14.5 36.1 64 9.0 850 BZW04P19 BZW04P19B 5 18.8 20.9 , BZW04P31B 5 30.8 34.2 36 39.6 1 49.9 8 64.3 36 9.9 480 BZW 04-31 BZW04-31B 5 30.8 34.2 36 37.8 1 49.9 8 64.3 36 9.9 480 BZW04P33 BZW04P33B 5 33.3 37.1 39 42.9 1 53.9 7.4 69.7 33 10.0 450 BZW 04-33 BZW04-33B 5 , 70.1 5.7 91 25 10.2 350 BZW04P48 BZW04P48B 5 47.8 53.2 56 61.6 1 77 5.2 100 23 10.3 320 BZW 04-48 BZW04 , 10.4 290 BZW 04-53 BZW04-53B 5 53.0 58.9 62 65.1 1 85 4.7 111 21 10.4 290 BZW04P58 BZW04P58B 5 58.1
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BZW04P5V8 BZW04-5V8B BZW04P5V8B BZW04P6V4 BZW04P6V4B F126 B/376 BZW04-XX

datenbuch

Abstract: DATA SHEET OF IGBT ; drain diF/dt Dioden-Stromsteilheit Rate of diode current rise E EA EAR EAS Eoff , Drain cutoff current with gate voltage applied IF Dioden Durchlaßstrom (allgemein) Diode forward current (general) IFAV Dioden Durchlaßstrom , Mittelwert Diode forward current, average value IFRMS Dioden Durchlaßstrom , Effektivwert Diode forward current, rms value IFRM IFSM Periodischer Dioden-Spitzenstrom Repetitive diode peak current Dioden-Stoßstromscheitelwert (50Hz
Siemens
Original
datenbuch DATA SHEET OF IGBT FREDFET datenbuch transistor

DF703

Abstract: telefunken-spezialrohren Röhren dar. Bei den TELEFUNKEN-Spezial-röhren, mit ^ bzw. Q gekennzeichnet, werden darüber hinaus die , verwenden, z.B. durch Kathodenwiderstand und/oder Vorwiderstände in der Anoden- bzw. Schirmgitter-Zuleitung , Rauschen auftreten können. 1.7. Bei Röhren, die für Impulsbetrieb vorgesehen bzw. zugelassen sind , gelten die bei Netzbetrieb angegebenen Vorschriften. Sie müssen bei Batteriespannungen von 6,3 V (bzw , Betriebszeit geladen, dann müssen für die Auslegung der Geräte Batteriespannungen von 7 V (bzw. 14 oder 28 V
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DF703 telefunken-spezialrohren ecc85 magic eye ech 81 Fluorescent Indicator Tube

SKiip 83 EC 125 T1

Abstract: SKiiP 82 AC 12 T1 von Einzelschaltern und der induktiven bzw. kapazitiven Kommutierung. Bild 0.4 zeigt zusammenfassend , Durchlaßspannungsabfalls ab, so daß während der Stromkommutierung keine bzw. geringe überhöhte Verluste in Schaltern , aus einer Kombination von leistungselektronischen Bauelementen bzw. Leistungshalbleitern und der , finden fortlaufend induktive Kommutierungsvorgänge statt bzw. aktives entlastetes Einschalten gefolgt , Energieflusses möglich, indem die Schalter über mehrere Perioden des Stromes leiten bzw. sperren. S1 iL VK
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Original
SKiip 83 EC 125 T1 SKiiP 82 AC 12 T1 SKiiP 81 AN 15 T1 semikron SKHI 22 SPICE MODEL semikron skiip 32 nab 12 T7 SKiip 83 EC 12 1 T1
Abstract: N AMER PHILIPS/DISCRETE TDD D bb53T 31 0010L iT2 h â  BZW 86 S E R IE S T " TR A , Nm (90 kgcm) m ax. 17,5 Nm (175 kgcm) A /" " January 1982 i 659 I i N AMER PHILIPS/DISCRETE BZW 86 TOD D 90D 10693 D â  ^ 5 3 1 3 1 Q010bT3 & 7 "â'/ / ".2 3 , AMER PHILIPS/DISCRETE 90D TOD D ^(â¡53=131 0010bc T l4 T -//-2 3 10694 BZW 86 SERIES , axim um re v e r s e voltage which ap p ear a c ro s s the diode a t the specified pu lse duration and -
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DO-30 BZW86-7V5 BZW86-7V5R S313J 53T31 001D701

FOTOTRANSISTOR

Abstract: transistor 9003 Q62703-P1087 SFH 900-3/42) Q62703-P1784 1) 1) Geliefert werden die einzelnen Gruppen 1 bzw. 2. We supply the bins 1 and/or 2. 2) 2) Geliefert werden die einzelnen Gruppen 3 bzw. 4. We supply the , (IR-GaAs-Lumineszenzdiode) Emitter (GaAs infrared diode) Empfänger (Si-Fototransistor) Detector (silicon , (GaAs infrared diode) SFH 900 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description , Kodak neutral white test card, 90% reflexion IF = 10 mA; VCE = 5 V; d = 1 mm SFH 900 SFH 900-11) SFH
Siemens
Original
FOTOTRANSISTOR transistor 9003 p935 Infrared Phototransistor sfh diode Fototransistor with filter Q62702-P1187 Q62702-P935 Q62703-P1783 Q62703-P1088
Abstract: 90 A bei 48 bis 530 VAC â'¢â'‡ Analogeingang nach Industriestand (Spannung bzw. Strom) oder , und Technologien bietet Crydom eine breite Palette an Halbleiterrelais mit AC- bzw. DC-Ausgang für , Anwendungen mit einer Ausgangsnennleistung von 5 bis 125 A bei 24 bis 660 VAC bzw. von 1 bis 100 A bei 1 , bis 280 VAC, 3 bis 32 VDC bzw. Analogsteuerung. Zur Auswahl stehen verschiedene Konfigurationen , -6 Nennstromstärke 10 12 15 18 20 25 40 50 75 90 110 125 Halbleiterrelais 280 V 15 16 17 18 19 20 21 Crydom
Original

BZW 05 33b

Abstract: MEJ 301 64 9.0 850 BZW04-17 BZW04-17B 5 17.1 19 20 21 1 27.7 14.5 36.1 64 9.0 850 BZW04P19 BZW04P19B 5 18.8 , 70.1 5.7 91 25 10.2 350 BZW04P48 BZW04P48B 5 47.8 53.2 56 61.6 1 77 5.2 100 23 10.3 320 BZW 04-48 , 111 21 10.4 290 BZW 04-53 BZW04-53B 5 53.0 58.9 62 65.1 1 85 4.7 111 21 10.4 290 BZW04P58 BZW04P58B 5 58.1 64.6 68 74.8 1 92 4.3 121 19 10.4 270 BZW 04-58 BZW04-58B 5 58.1 64.6 68 71.4 1 92 4.3 121 , 86.5 91 100 1 125 3.2 162 14 10.6 210 BZW 04-78 BZW04-78B 5 77.8 86.5 91 95.5 1 125 3.2 162 14 10.6
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BZW 05 33b MEJ 301 marking CODE W04 bz 148 diode 239B diode VBR200V W04-5 7T2R237
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