500 MILLION PARTS FROM 12000 MANUFACTURERS

DATASHEET SEARCH ENGINE

Top Results

Part Manufacturer Description Datasheet BUY
282807-5 TE Connectivity (282807-5) 3P TERMI-BLOK PLUG,MARKED visit TE Connectivity
7-1571986-2 TE Connectivity (7-1571986-2) A101J1AV2Q004AM marking O - visit TE Connectivity
5-2023347-3 TE Connectivity (5-2023347-3) LCEDI UPPER SHELL WITH DATUM MARK PLATED visit TE Connectivity
2238156-1 TE Connectivity (2238156-1) MARK II POSITIVE LOCK 22-18 visit TE Connectivity
91592-1 TE Connectivity (91592-1) CERTICRIMP 2 22-18 MIC MARK II visit TE Connectivity
2-1546857-7 TE Connectivity (2-1546857-7) 3P VERT PLUG,GRAY,MARKED visit TE Connectivity

dd marking

Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

smd transistor 560

Abstract: 2SD1621 time tstg 500 ns Turn-off time tf 25 ns hFE Classification DD Marking Rank
Kexin
Original
Abstract: time tf 25 ns hFE Classification DD Marking Rank R S T U hFE 100 200 TY Semiconductor
Original

KTS-S2

Abstract: 10pF capacitor GND Case/GND Output V dd MARKING KTS-S-2.0E 16.368 MHz No. QC -Part# Frequency Date Code Logo , Frequency Aging, 25°C Output (10kQ/10pF) Supply Voltage, V dd Idd KTS-2.0E-16.368 MHz 16.368 -40 to +85
-
OCR Scan
KTS-S2 10pF capacitor 000453L

raltron tcxo

Abstract: CONNECTION LEAD NO. 1 2 3 4 CONNECTION VC GND OUT V DD MARKING AREA 1.7 MAX .067 MAX 1 4 2 3
Raltron Electronics
Original
raltron tcxo RTVY-124 RTVY-124DF327T-S-13 000-TR
Abstract: Output S S Marking side (Output Voltage) (off-state) V dd Marking side Turn off B hys , SWITCH Pin Assignments (Top View) 3. OUT 2. GND 1. Vdd (SIP-3L package) (Top View) 3. GND 2. 1. V dd , Positive Power Supply Ground Output Pin Typical Application Circuit 4.2V ~28V V dd RL AH337 , 75 100 125 150 T A (° C ) Marking Information (1) SIP-3L (2) SC59 (Top View) 3 (Top View Diodes
Original
AH337- 3000/T 4000/B
Abstract: OPTIONS PIN ASSIGNMENT (Top View) 50-Pin TSOP V dd DQO DQ1 DQ2 DQ3 V dd DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 NC V dd W E# RAS# NC NC NC NC AO A1 A2 A3 A4 A5 V dd MARKING â'¢ Package Plastic , CL LU ^ C O O O NO. 1 CLOCK G ENERATO R 4,096 x 1,024 x 16 MEMORY ARRAY 2 V dd , ) PARAMETER/CONDITION SYMBOL MIN MAX UNITS SUPPLY VOLTAGE V dd 3 3 .6 V INPUT HIGH VOLTAGE: Valid Logic 1; All inputs, l/Os and any NC V ih 2 V dd + 0 .3 V 37 -
OCR Scan
MT4LC4M16F5 MT4LC4M16F5TG-5 50-PIN
Abstract: H 31 DQ3 Å' V dd MARKING 32 DQ2 Å' DQ1 RAS# OPTIONS 1â'¢ 2 1 , retention PIN ASSIGNMENT (Top View) 32-Pin SOJ (A-1 ) 32-Pin TSOP (C-1) V dd [ 1 â'¢ 32 , DQ3 I 5 28 ] V dd Å' Vss DQ0 DQ4 DQ0 Å' â'¢ Timing 50ns access 60ns , ' 15 18 n A6 V dd Å' 16 17 n Vss A6 I OE# Vss A8 A7 8 MEG x , 27 ] 26 A1 -5 -6 30 29 7 27 7 A0 DJ TG 3 4 6 6 I V dd -
OCR Scan
32-PIN
Abstract: '¢ Optional self refresh (S) for low-power data retention OPTIONS 32-Pin SOJ V dd DQO DQ1 DQ2 DQ3 NC V dd W E# RAS# AO A1 A2 A3 A4 A5 V dd MARKING â'¢ Refresh Addressing 4,096 (4K , ] ] ] ] ] ] ] ] ] ] ] ] ] ] ] ] 32-Pin TSOP V dd Å' 1 . Vss DQO Å' 2 DQ7 DQ1 Å' 3 DQ6 DQ2 Å' 4 DQ5 DQ3 Å' 5 DQ4 NC Å' 6 Vss V dd Å' 7 CAS# WE# Å' 8 OE# RAS# Å' 9 A0 Å' 10 NC/A12* A1 Å' 11 A11 A2 Å' 12 A10 A3 Å' 13 A9 A4 Å' 14 A8 A5 Å' 15 A7 V dd Å' 16 A6 Vss 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 -
OCR Scan
Abstract: retention OPTIONS 50-Pin TSOP (C-4) V dd DQO DQ1 DQ2 DQ3 Å' Å' Å' Å' Å' V dd Å' DQ4 Å' DQ5 Å' DQ6 Å' DQ7 Å' NC Å' Å' V dd W E# Å' RAS# Å' NC Å' NC Å' NC Å' NC Å' AO Å' A1 Å' A2 Å' A3 Å' A4 Å' A5 Å' Å' V dd MARKING â'¢ Plastic Package 50-pin TSOP (400 mil , only on MT4LC4M16R6 standard refresh device. Voltage on V dd Relative to Vss , . 1W DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS (Notes: 1) (V dd = +3.3V+0.3V -
OCR Scan
MT4LC4M16N3
Abstract: retention OPTIONS 50-Pin TSOP V dd DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 V dd DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 NC V dd WE# RAS# NC NC NC NC A0 A1 A2 A3 A4 A5 V dd MARKING â'¢ Package Plastic TSOP (400 mil) TG , periods may affect reliability. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS* Voltage on V dd Relative to V ss , .1W DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS (N otes: 1) (V dd = + 3 .3 V +0.3V ) PARAMETER/CONDITION SYMBOL MIN MAX UNITS SUPPLY VOLTAGE V dd 3 3 .6 V INPUT -
OCR Scan
Abstract: TSOP for im proved reliability (OCPL*) OPTIONS S D 50-Pin TSOP V dd DQ0 DQ1 VssQ DQ2 DQ3 V dd Q DQ4 DQ5 VssQ DQ6 DQ7 V dd Q DQML W E# CAS# RAS# CS# BA A10 A0 A1 A2 A3 V dd MARKING â'¢ Configuration 1 Meg x 16 (512K x 16 x 2 banks) 1M16A1 â'¢ Plastic Package - , proved noise immunity. 1 ,2 5 V dd Supply Power Supply: +3.3V ±0.3V. 26, 50 V ss Microsemi
Original
W3H32M64E-XSBX 256MB W3X128M72-XBI MSM32/MSM64 W7N16GVH M512/M256/M128
Abstract: | OPTIONS 54-Pin TSOP V dd NC NC DQ0 NC NC NC DQ1 DQO DQO - V ddQ NC DQ1 DQ1 DQ2 - VssQ NC DQ3 DQ2 DQ4 - V ddQ NC DQ5 DQ3 DQ6 VssQ NC NC DQ7 V dd NCDQML NC WE# - CAS# - RAS# CS# BA0 BA1 A10 A0 A1 A2 A3 V dd MARKING â'¢ Configurations 16 Meg x 4 (4 Meg x 4 x 4 , . DC Electrical Characteristics and Operating Conditions. I dd Specifications and Conditions , improved noise immunity. 1, 14, 27 V dd Supply Power Supply: +3.3V +0.3V. 28, 41, 54 Vss -
OCR Scan
PCI00- 16MSDRAM
Abstract: p ly OPTIONS PIN ASSIGNMENT (Top View) 86-Pin TSOP V dd DQ0 V dd Q DQ1 DQ2 VssQ DQ3 DQ4 V dd Q DQ5 DQ6 VssQ DQ7 NC V dd DQM0 W E# CAS# RAS# CS# NC BA0 BA1 A10 A0 A1 A2 DQM2 V dd NC DQ16 VssQ DQ17 DQ18 V dd Q DQ19 DQ20 VssQ DQ21 DQ22 V dd Q DQ23 V dd MARKING â'¢ C onfigurations 2 M eg x 32 (512K x 32 x 4 banks) 2M32B1 â'¢ Plastic Package - OCPL* 86 , T2 T2 T2 V ss DQ15 VssQ DQ14 DQ13 V dd Q DQ12 DQ11 VssQ DQ10 DQ9 V dd Q DQ8 NC V -
OCR Scan
MT48LC16M4A2 MT48LC8M8A2- MT48LC4M16A2 PC66- PC100- PC133-
Abstract: 0805 16V 16V DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DG DD DG DD DG DG DG DG DG DG DD DG DG DG DG DE 25V 25V DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DG DD DG DD DG DG DG DG DD DG DD -
OCR Scan
MT48LC2M32B1 MT48LC2M32B1TG-8E 64MSDRAM 86-PIN

IEC-286-6

Abstract: 1206 fuse FD 185 105 225 125 475 155 685 185 225 475 16V 25V 25V 16V DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DG DD DG DG DD DG DD DG DG DG DG DG DG DG DG DG DG DD DG DD DG DD DG DG DG DG DD DG DG DE DG 0805 1206 0805 1206 50V 100V 100V 200V 200V 16V 16V 25V 25V 50V 50V 100V 100V
KEMET
Original
IEC-286-6 1206 fuse FD f105k capacitor DD dd marking fd 223 EIA-198

0402 0603 0805 land

Abstract: CAPACITANCE RANGE AND THICKNESS TARGETS (mm) 16V 25V 16V 25V DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DG DG DD DD DG DG DD DG DD DG DG DG DG DG DG DG DG DD DG DG DG DG DG DD DE DG
KEMET
Original
0402 0603 0805 land

Marking KA3

Abstract: f105k 474 474 564 564 684 684 824 824 105 105 125 125 155 155 185 185 225 225 475 475 16V 16V DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DG DG DG DG DG DG DG DG DG DG 25V 25V DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DG DG DG DG DG DG DG DG DD DD 0805 0805 50V 50V DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD
KEMET
Original
Marking KA3

f105k

Abstract: 225 475 16V 25V 25V 16V DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DG DG DD DD DG DG DD DG DD DG DG DG DG DG DG DG DG DD DG DG DG DG DG DD DE DG DG DE DG DG 0805 0805 50V 100V 100V 200V 200V 50V DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD DD
KEMET
Original
Abstract: CFMN RQ5 RQ3 9 GND GND GNDa V DD GND V DD V DD 8 CMD DQA5 DQA2 V DD a RQ6 RQ2 DQB1 DQB5 V DD DQB0 DQB4 DQB7 10 DQA8 DQA3 DQA0 CTMN CTM RQ4 GND 9 V CMOS GND GND V DD SIO1 8 SCK DQA6 DQA1 V REF RQ7 RQ1 DQA5 DQA2 7 DQB8 GND GND V CMOS DQB2 DQB6 SIO0 6 5 V DD , DD GND GND VCMOS 2 GND CTM RQ4 RQ0 DQB3 DQB8 1 DQA7 DQA4 E KEMET
Original
Showing first 20 results.