Werte maximum rated values Elektrische Eigenschaften electrical p

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FS300R12KE3
Werte maximum rated values
Elektrische Eigenschaften electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral value Isolations insulation test voltage 80°C 25°C 1ms, 80°C VCES ICRM 1200
25°C
Ptot
1,45
VGES
IFRM
10ms, Tvj= 125°C
RMS, 50Hz, 1min
VISOL
Charakteristische Werte characteristic values
Transistor Wechselrichter transistor inverter
Kollektor Emitter collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge input capacitance reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125°C, IC,nom VCE= VGE, Tvj= 25°C, 12mA VCEsat min. typ. max. t.b.d.
VGE(th)
VGE= -15V.+15V
1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=
Cies
1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE=
Cres
0,85
VGE= Tvj= 25°C, VCE= 600V
ICES
VCE= VGE= 20V, Tvj= 25°C
IGES
prepared Mark approved: Martin Hierholzer
date publication: 2001-08-16 revision: Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16
FS300R12KE3
Charakteristische Werte characteristic values
Transistor Wechselrichter transistor inverter
nom, VCC= 600V (induktive Last) turn delay time (inductive load) VGE= ±15V, 2,4, Tvj= 25°C VGE= ±15V, 2,4, Tvj= 125°C nom, VCC= 600V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= ±15V, 2,4, Tvj= 25°C VGE= ±15V, 2,4, Tvj= 125°C nom, VCC= 600V (induktive Last) turn delay time (inductive load) VGE= ±15V, 2,4, Tvj= 25°C VGE= ±15V, 2,4, Tvj= 125°C nom, VCC= 600V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie Puls turn energy loss pulse Ausschaltverlustenergie Puls turn energy loss pulse Kurzschlussverhalten data stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip 25°C VGE= ±15V, 2,4, Tvj= 25°C VGE= ±15V, 2,4, Tvj= 125°C nom, VCC= 600V, 80nH VGE= ±15V, 2,4, Tvj= 125°C nom, VCC= 600V, 80nH VGE= ±15V, 2,4, Tvj= 125°C 10µsec, 15V, 125°C VCC= 900V, VCEmax= VCES td,off td,on min. typ. max.
Eoff
1200
Charakteristische Werte characteristic values
Diode Wechselrichter diode inverter
Durchlassspannung forward voltage peak reverse recovery current nom, VGE= Tvj= 25°C nom, VGE= Tvj= 125°C IF=IC,nom, -diF/dt= 3500A/µs 600V, VGE= -10V, Tvj= 25°C 600V, VGE= -10V, Tvj= 125°C recoverred charge IF=IC,nom, -diF/dt= 3500A/µs 600V, VGE= -10V, Tvj= 25°C 600V, VGE= -10V, Tvj= 125°C Ausschaltenergie Puls reverse recovery energy IF=IC,nom, -diF/dt= 3500A/µs 600V, VGE= -10V, Tvj= 25°C 600V, VGE= -10V, Tvj= 125°C Erec 1,65 1,65 t.b.d.
Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16
FS300R12KE3
Charakteristische Werte characteristic values
NTC-Widerstand NTC-thermistor
Nennwiderstand rated resistance Abweichung R100 deviation R100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value 25°C min. typ. max.
100°C, R100=
25°C
exp[B(1/T2 1/T1)]
B25/50
3375
Thermische Eigenschaften thermal properties
Innerer thermal resistance, juncton case; thermal resistance, case heatsink Sperrschichttemp. maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor Wechelr. transistor inverter Diode Wechselrichter diode inverter Modul module Paste= 1W/m*K grease= 1W/m*K RthJC 0,005 0,085 0,15
RthCK
Tvjmax
Tvjop
Tstg
Mechanische Eigenschaften mechanical properties
siehe Anlage case, appendix Innere Isolation internal insulation comperative tracking index Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment, elektr. terminal connection torque Gewicht weight Schraube screw Schraube screw Al2O3
dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. gilt Verbindung technischen This technical information specifies semiconductor devices promises characteristics. valid with belonging technical notes.
Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16
FS300R12KE3
Ausgangskennlinie (typisch) output characteristic (typical)
25°C 125°C
f(VCE) VGE=
Ausgangskennlinienfeld (typisch) output characteristic (typical)
VGE=19V VGE=17V VGE=15V VGE=13V VGE=11V VGE=9V
f(VCE) Tvj= 125°C
Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16
FS300R12KE3
(typisch) transfer characteristic (typical)
Tj=25°C
f(VGE) VCE=
Tj=125°C
Durchlasskennlinie Inversdiode (typisch) forward caracteristic inverse diode (typical)
f(VF)
25°C 125°C
Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16
FS300R12KE3
Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical)
[mJ]
Eoff Erec
(IC) Eoff (IC) Erec (IC)
VGE=15V, Rgon=Rgoff=2,4, VCE=600V, Tj=125°C
Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical)
(RG) Eoff (RG) Erec (RG)
VGE=15V, IC=300A, VCE=600V, Tj=125°C
[mJ]
Eoff Erec
Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16
FS300R12KE3
Transienter Transient thermal impedance
ZthJC
ZthJC [K/W]
0,01
IGBT Diode
0,001 0,001
0,01
[K/kW] IGBT IGBT [K/kW] Diode Diode
35,73 6,499E-02 63,02 6,499E-02
42,82 2,601E-02 75,63 2,601E-02
4,84 2,364E-03 8,52 2,364E-03
1,61 1,187E-05 2,83 1,187E-05
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA)
IC,Chip IC,Chip
VGE=15V, Tj=125°C
Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16
1000
1200
1400
FS300R12KE3
Schaltbild Package outline Circuit diagram
Datenblatt_FS300R12KE3_V3.xls 2001-08-16

Werte maximum rated values Elektrische Eigenschaften electrical p

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