Thermische Ersatzschaltbilder thermische Verhalten Halbleiterbaue

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Thermische Ersatzschaltbilder
thermische Verhalten Halbleiterbauelementen sich Form verschiedener Ersatzschaltbilder beschreiben: Kettenbruchschaltung Tcase
Kettenbruchschaltung spiegelt physikalischen Aufbau Halbleiters dazwischengeschalteten wider. einzelnen RC-Gliedern sind eindeutig Schichtenfolge Moduls (Chip, Lot, Substrat, Bodenplatte) zuordbar. Partialbruchschaltung Tcase
einzelnen RC-Glieder Partialbruchschaltung besitzen keine physikalische Bedeutung. Ihre Werte werden durch eine entsprechende Analyse ermittelten Moduls extrahiert. Datenblatt werden Partialbruch-Koeffizienten (n=rnc tabellarisch angegeben Diagramm Z(t) dargestellt; z.B.:
[K/kW] IGBT [sec] IGBT [K/kW] Diode [sec] Diode
1,56 0,0068 3,11 0,0068 4,25 0,0642 8,49 0,0642 1,26 0,3209 2,52 0,3209 1,44 2,0212 2,88 2,0212
Infineon Technologies Company
eupec GmbH D-59581 Warstein Tel. +49(0)2902 764-0 +49(0)2902 764-1256 EMail info@eupec.com www.eupec.com
THERMISCHE ERSATZSCHALTBILDER
Seite
Zth:IGBT Zth:Diode
0,01
ZthJC [K/W]
0,001
thjc( Rthjc,i
0,0001 0,001
0,01
[sec]
Sperrschichttemperatur kann Kenntnis umgesetzten Schaltund sowie unter folgt bestimmt werden:
Verlustberechnung thermisches Modell P(t) case
Tamb
thjc thca Tamb
Tamb

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