Features: Volle 125° Hohe niedriger durch NTV-Verbindung zwischen
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4771 22.29
Features:
Volle 125° Hohe niedriger durch NTV-Verbindung zwischen Silizium Elektroaktive Passivierung durch Full blocking capability 125°C with High surge currents thermal resistance using temperature-connection between silicon wafer molybdenum. Electroactive passivation
Elektrische Eigenschaften Electrical properties
Werte Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state reverse voltage
VDRM, VRRM
-40°C 2200 2250 2600 2650 2800 2900 2900 3000
forward current Dauergrenzstrom mean forward current surge forward current Grenzlastintegral I2t-value Kritische Stromsteilheit critical rate rise on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate rise off-state voltage
85°C, 50Hz 60°C, 50Hz 25°C, 10ms max, 10ms 25°C, 10ms max, 10ms 747-6 50Hz, 0,67 VDRM, diG/dt 6A/µs max, 0,67 VDRM Kennbuchstabe letter
ITRMSM ITAVM ITSM (di/dt)cr
10200 4770 6500 A/µs
(dv/dt)cr
1000 V/µs
2001-04-10, Przybilla Keller
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4771 22.29
Charakteristische Werte Characteristic values
on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance 1000 10000A state characteristics calculation
max,
V(TO)
1,11 0,796 0,0760 -0,1085 0,0000126 0,0886 0,0069
1,14 0,821 0,0774 -0,1065 0,0000273 0,0993 0,00496
ln(iT
gate trigger current gate trigger voltage Nicht Steuerstrom gate non-trigger current nicht Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current forward off-state reverse currents gate controlled delay time Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time
25°C,
25°C,
max, max, 0,5VDRM max, VDRM
25°C, 12V,
25°C, 12V, diG/dt= A/µs, 20µs VDRM, VRRM 747-6 25°C, diG/dt 6A/µs max, ITAVM 100V, 0,67 VDRM dvD/dt 20V/µs, -diT/dt 10A/µs Kennbuchstabe letter 3500A, di/dt 10A/µs VRRM VRRM 3500A, di/dt A/µs 0,5VRRM 0,8VRRM
typ.
recovered charge peak reverse recovery current
2001-04-10, Przybilla Keller
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4771 22.29
Thermische Eigenschaften Thermal properties
Innerer thermal resistance, junction case
beidseitig two-sided, 180°sin beidseitig two-sided Anode anode Kathode cathode
RthJC
0,0048 0,0045 0,0085 0,0095
°C/W °C/W °C/W °C/W
thermal resistance, case heatsink Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
beidseitig two-sided einseitig single-sided
RthCH tstg
0,0015 °C/W 0,0030 °C/W -40.+125 -40.+150
Mechanische Eigenschaften Mechanical properties
siehe Anlage case, appendix Si-Element Druckkontakt, Amplifying gate silicon pellet with pressure contact, amplifying gate clampig force Gewicht weight Kriechstrecke surface creepage distance Feuchteklasse humidity classification Schwingfestigkeit vibration resistance
40040
Seite Silizium Tablette silicon wafer typ. 100TN29
63.91 2500 m/s2
50Hz
dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. gilt Verbidung technischen This technical Information specifies semiconductor devices promises characteristics. valid combination with belonging technical notes.
2001-04-10, Przybilla Keller
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4771 22.29
Outline Drawing
2001-04-10, Przybilla Keller
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4771 22.29
on-state characteristic (vT)
125°C
11000 10500 10000 9500 9000 8500 8000 7500 7000 6500 6000 5500 5000 4500 4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000
2001-04-10, Przybilla Keller
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4771 22.29
Steuerkreischarakteristik Gate characteristic with triggering areas (iG),
Parameter Steuerimpulsdauer trigger pulse duration tg(ms) Spitzensteuerverlustleistung Max. rated peak power dissipation
1000
2000
5000
10000
2001-04-10, Przybilla Keller
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4771 22.29
Transienter innerer Transient thermal impedance Z(th)JC
doppelseitige double sided cooling [K/W] 0,0045 0,00238 0,00108 0,00073 0,00031 1,03 0,16 0,03 0,0071
anodenseitige anode sided cooling [K/W] 0,00562 0,00083 0,00124 0,00068 0,00018 0,00855 5,69 0,59 0,139 0,02 0,0058
kathodenseitige cathod sided cooling [K/W] 0,00653 0,00072 0,00129 0,00070 0,00026 0,0095 6,08 0,81 0,16 0,025 0,0068
Doppelseitige double sided cooling: 180°-Rechteckstrom 180° rectangular current: 120°-Rechteckstrom 120° rectangular current: 60°-Rechteckstrom rectangular current: 30°-Rechteckstrom rectangular current: 180°-Sinusstrom 180° sine current:
add. [K/W] 0,00035 0,00052 0,00072 0,00085 0,00033
0,01 0,009 0,008 0,007 0,006 (th) [K/W]
0,005 0,004 0,003 0,002 0,001
0,001
0,01
[sec.]
2001-04-10, Przybilla Keller
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4771 22.29
recovered charge (-di/dt)
125°C, 3500A, 0,5VRRM, 0,8VRRM
[mAs]
2001-04-10, Przybilla Keller
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4771 22.29
reverse recovery current
(typische typical dependence)
(di/dt)
125°C, 3500A, 0,5VRRM, 0,8VRRM
di/dt [A/µs]
2001-04-10, Przybilla Keller
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