Bits DRAM SO-DIMM Memory Module Performance range: tCAC tRAC 60ns

The Datasheet Archive - 100 Million Datasheets from 7500 Manufacturers.

Bits DRAM SO-DIMM Memory Module Performance range: tCAC tRAC 60ns

Datasheet Thumbnail

Top Searches for this datasheet

SL64G8A2M2E-A60V
Bits DRAM SO-DIMM Memory Module
Performance range: tCAC tRAC 60ns 15ns 104ns tHPC 25ns
GENERAL DESCRIPTION
Simple Technology SL64G8A2M2E-A60V bits Dynamic high density memory module. Simple Technology SL64G8A2M2E-A60V consist eight CMOS bits DRAMs 28-pin 400-mil TSOP-II packages, bits bits serial EEPROM 8-pin Plastic SOIC package used Presence Detects. DRAMs EEPROM mounted 144-pin glass epoxy substrate. 0.1µF decoupling capacitor mounted each DRAM EEPROM. SL64G8A2M2E-A60V Small Outline Dual In-line Memory Module (SO-DIMM) intended mounting into 144-pin Zig-Zag Dual Tabs sockets.
(Hyper) Mode operation CAS-before-RAS refresh capability RAS-only Hidden refresh capability 2048 cycles/32ms refresh LVTTL compatible inputs outputs +3.3V 0.3V power supply JEDEC standard pinout Gold 144-pin Dual Tabs connector
CONFIGURATION
Symbol DQ32 DQ33 DQ34 DQ35 DQ36 DQ37 DQ38 DQ39 Symbol CAS0 CAS4 CAS1 CAS5 DQ40 DQ41 Symbol DQ10 DQ42 DQ11 DQ43 DQ12 DQ44 DQ13 DQ45 DQ14 DQ46 DQ15 DQ47 Symbol RAS0 Symbol DQ16 DQ48 DQ17 DQ49 DQ18 DQ50 DQ19 DQ51 DQ20 DQ52 DQ21 DQ53 DQ22 DQ54 DQ23 DQ55 Symbol CAS2 CAS6 CAS3 CAS7 Symbol DQ24 DQ56 DQ25 DQ57 DQ26 DQ58 DQ27 DQ59 DQ28 DQ60 DQ29 DQ61 DQ30 DQ62 DQ31 DQ63 Symbol
(continued next page)
144-PIN SO-DIMMS
Document Part Number 61000-00490-101 August 1998
Page
SL64G8A2M2E-A60V
CONFIGURATION (continued)
Arrangement Names
Name A0-A10 DQ0-DQ63
Pins Front Even Pins Back
144-PIN SO-DIMMS
Function Address Inputs Data In/Out Read/Write Enable Output Enable Adress Strobe Serial Data (Bit Clock Presence Detect Power (+3.3V) Ground Connection
RAS0
CAS0-CAS7 Column Address Strobe
0241M
Serial Presence Detect Matrix
Byte Number Function Described Number Serial Bytes Serial Memory Fundamental Memory Type Number Rows Number Columns Number Banks Data Width Data Width (continued) Supply Voltage Interface Levels Access Time Access Time Error Detection/Correction Refresh Period Notes Byte 0(+) LVTTL(3.3V) 60ns 15ns None 32ms
Notes
Serial-PD datas protected. Serial Data, "driven Low" Serial Data, "driven High"
Document Part Number 61000-00490-101 August 1998
Page
SL64G8A2M2E-A60V
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
CAS0 A0-A10 CAS4
144-PIN SO-DIMMS
A0-A10
DQ32 DQ33 DQ34 DQ35 DQ36 DQ37 DQ38 DQ39
CAS1
A0-A10
DQ10 DQ11 DQ12 DQ13 DQ14 DQ15
CAS5
A0-A10
DQ40 DQ41 DQ42 DQ43 DQ44 DQ45 DQ46 DQ47
CAS2
A0-A10
DQ16 DQ17 DQ18 DQ19 DQ20 DQ21 DQ22 DQ23
CAS6
A0-A10
DQ48 DQ49 DQ50 DQ51 DQ52 DQ53 DQ54 DQ55
CAS3
A0-A10
DQ24 DQ25 DQ26 DQ27 DQ28 DQ29 DQ30 DQ31
CAS7
A0-A10
DQ56 DQ57 DQ58 DQ59 DQ60 DQ61 DQ62 DQ63
RAS0 A0-A10 0.1µF Capacitors Total)
0297M
DRAMS EEPROM
Document Part Number 61000-00490-101 August 1998
Page
SL64G8A2M2E-A60V
PACKAGE DIMENSIONS
144-PIN SO-DIMMS
Units: Inches
0.160 Places
2.660
0.150 1.000 0.785
0.130 1.140
1.520
0.031 0.039±0.003
0.146
392B
0.030 Detail 0.130
0.060 0.181
TOLERANCES: ±0.005 UNLESS OTHERWISE SPECIFIED
Document Part Number 61000-00490-101 August 1998
Page

Bits DRAM SO-DIMM Memory Module Performance range: tCAC tRAC 60ns

Top Searches for this datasheet

Other recent searches