Area flat 2.54 spacing Approx. weight wenn nicht anders

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GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880nm) GaAIAs Infrared Emitter (880
Area flat
2.54 spacing
Approx. weight
wenn nicht anders angegeben/Dimensions unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale Hergestellt Schmelzepitaxieverfahren Hohe Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung 309, Anwendungen
IR-Fernsteuerung Fernseh-, Rundfunk-
Features Fabricated liquid phase epitaxy process High reliability High pulse handling capability Good spectral match silicon photodetectors Same package 309, Applications
remote control hifi sets, video
Lichtdimmern Lichtschranken
tape recorder, dimmers Light-reflection switches (max. kHz)
Type 487-2
Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1095 Q62703-Q2174
Package (T1), klares violettes EpoxyGieharz, 2.54-mm-Raster (1/10''), Anodenkennzeichnung: Anschlu package (T1), violet-colored transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 (1/10''), anode marking: short lead
Semiconductor Group
1997-11-01
fex06250
Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487)
(3.5) Chip position
GEX06250
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- Lagertemperatur Operating storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, Surge current Verlustleistung Power dissipation freie max. Thermal resistance, lead length between package bottom PC-board max. Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit
Top; Tstg IFSM Ptot RthJA
Kennwerte Characteristics Bezeichnung Description Strahlung Wavelength peak emission Spektrale Bandbreite Imax, Symbol Symbol peak Wert Value Einheit Unit
Spectral bandwidth Imax Abstrahlwinkel Half angle Aktive Active chip area Abmessungen aktiven Dimension active chip area Abstand Linsenscheitel Distance chip front lens 0.16 Grad deg.
Semiconductor Group
1997-11-01
Kennwerte Characteristics Bezeichnung Description Schaltzeiten, Switching times, from from Capacitance Durchlaspannung Forward voltage Sperrstrom Reverse current Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux Temperaturkoeffizient bzw. Temperature coefficient Temperaturkoeffizient Temperature coefficient Temperaturkoeffizient peak, Temperature coefficient peak, Symbol Symbol Wert Value 0.6/0.5 Einheit Unit
1.8) 3.8) 0.01
0.25
mV/K nm/K
Semiconductor Group
1997-11-01
Achsrichtung gemessen einem Raumwinkel 0.01 Grouping radiant intensity axial direction solid angle 0.01 Bezeichnung Description Radiant intensity Radiant intensity Symbol Wert Value 487-2 Einheit Unit
12.5
mW/sr
typ.
mW/sr
Radiation characteristics Irel
OHR01895
Semiconductor Group
1997-11-01
Relative spectral emission Irel
OHR00877
Radiant intensity
(IF)
OHR00878
Single pulse,
(100mA)
Max. permissible forward current (TA)
OHR00880
1000
Forward current, (VF) Single pulse,
OHR00881
Permissible pulse handling capability duty cycle parameter
OHR00886
Forward current versus lead length between package bottom PC-board (I),
OHR00949
0.005 0.01 0.02 0.05
Semiconductor Group
1997-11-01

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