3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip Silicon Photodiode Array 20

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3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip Silicon Photodiode Array 20

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2057
3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip Silicon Photodiode Array
2057
wenn nicht anders angegeben/Dimensions unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet Anwendungen
Features
Especially suitable applications from
Bereich 1100 Kurze Schaltzeit (typ. DIL-Plastikbauform Anwendungen
1100
Short switching time (typ. plastic package
Applications
Nachlaufsteuerungen Positionierung Industrieelektronik "Messen/Steuern/Regeln"
Follow-up controls Edge drives Positioning Industrial electronics control drive circuits
Type 2057
Bestellnummer Ordering Code Q62702-K8
Package klares 7,62-mm-Raster (3/10"), Kathodenkennzeichnung: Nase transparent epoxy resin, solder leads 7.62 spacing (3/10"), cathode marking: projection solder lead
feo06429
2057
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- Lagertemperatur Operating storage temperature range entfernt Soldering temperature distance from case bottom Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, Total power dissipation Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit
Top; Tstg
Ptot
Kennwerte Normlicht 2856 jede Einzeldiode Characteristics standard light 2856 single diode Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit, Spectral sensitivity, max. Fotoempfindlichkeit Wavelength max. sensitivity Spektraler Bereich Fotoempfindlichkeit Smax Spectral range sensitivity Smax Bestrahlungsempfindliche Radiant sensitive area Abmessung bestrahlungsempfinlichen Dimensions radiant sensitive area Abstand Distance chip front case surface Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, Dark current Symbol Symbol Wert Value 1100 Einheit Unit nA/Ix
2.65 2.65
Grad deg.
2057
Kennwerte Normlicht 2856 jede Einzeldiode Characteristics standard light 2856 single diode Bezeichnung Description Spektrale Fotoempfindlichkeit, Spectral sensitivity Maximale Abweichung Fotoempfindlichkeit Mittelwert Max. deviation system spectral sensitivity from average value Quantenausbeute, Quantum yield Leerlaufspannung, 1000 Open-circuit voltage 1000 Short-circuit current Anstiegszeit/Abfallzeit Rise fall time Forward voltage Capacitance MHz; Temperaturkoeffizient Temperature coefficient Temperaturkoeffizient Temperature coefficient Strahlungsleistung Noise equivalent power Nachweisgrenze, Detection limit Symbol Symbol Wert Value 0.62 Einheit Unit
0.90 300)
Electrons Photon
-2.6 0.18 10-14
mV/K
1012
2057
Relative spectral sensitivity Srel
Photocurrent (Ev); Open-circuit voltage (Ev)
Total power dissipation Ptot (TA)
Dark current (VR),
Capacitance (VR), MHz,
Dark current (TA),
Directional characteristics Srel

3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip Silicon Photodiode Array 20

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