IR-Receiver/Demodulator Device wenn nicht anders angegeben/Dimens

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IR-Receiver/Demodulator Device wenn nicht anders angegeben/Dimens

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IR-Receiver/Demodulator Device
wenn nicht anders angegeben/Dimensions unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale Fotodiode integriertem Angepat verschiedene schwarz Vergu optimiert eine Hohe Geringe Stromaufnahme Betriebsspannung Hohe Empfindlichkeit CMOS kompatibel Verwendbar einem Anwendungen
IR-Fernsteuerungen
Features Photodiode with hybride integrated circuit Available several carrier frequencies Black epoxy resin, daylight filter optimized High immunity against ambient light power consumption supply voltage High sensitivity (internal shield case) CMOS compatibility Continuous transmission possible (tpi/T 0.4) Applications
IR-remote control preamplifier modules
Type
Carrier Frequency
Bestellnr. Ordering Code
Type
Carrier Frequency
Bestellnr. Ordering Code
506-30 506-33 506-36
Q62702-P1196 Q62702-P1197 Q62702-P1198
506-38 506-40 506-56
Q62702-P1199 Q62702-P1200 Q62702-P1201
Semiconductor Group
10.95
fex06841
Blockschaltbild Block Diagram Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- Lagertemperatur Operation storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature range Soldering temperature soldering joint distance from package, soldering time Betriebsspannung Supply voltage Betriebsstrom Supply current Ausgangsspannung Output voltage Ausgangsstrom Output current Verlustleistung Total power dissipation Symbol Symbol Tstg Wert Value Einheit Unit
Ptot
Semiconductor Group
Kennwerte Characteristics Bezeichnung Description (Testsignal, Figure Threshold irradiance (test signal, Fig. max. Fotoempfindlichkeit Wavelength max. sensitivity Spektraler Bereich Fotoempfindlichkeit Range spectral sensitivity Smax Halbwinkel Half angle Stromaufnahme Current consumption sunlight Symbol Symbol min1) max1) Wert Value 0.35 typ., max. 1100 Einheit Unit mW/m2 W/m2
deg.
Ausgangsspannung Output voltage mW/m2, Tp/T
Verbindung einer typ. Betrieb wird eine Reichweite erreicht. Together with IRED under operation conditions distance possible.
Semiconductor Group
Figure Externe Beschaltung External circuit
Figure Testsignal Test signal
Semiconductor Group
Relative sensitivity min/Ee
Srel
Sensitivity duty cycle
Sensitivity electric field disturbance Eemin (E), field strength disturbance,
Sensitivity dark ambient (Ee) optical test signal
Sensitivity bright ambient Eemin (E), ambient
Relative luminous intensitySrel Directional characteristics
Sensitivity supply voltage disturbances, RMS)
Semiconductor Group

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