28,5 February 1996 Elektrische Eigenschaften Werte Elec
|
|
|
Top Searches for this datasheet
Marketing Information
28,5
February 1996
Elektrische Eigenschaften Werte
Electrical properties Maximum rated values
-40°C.t -40°C.t +25°C.t 85°C 79°C 25°C, 25°C, 67%, DRM,
=10V,i 0,6A,di G/dt A/µs
Periodische Dauergrenzstrom Grenzlastintegral Kritische Stromsteilheit Kritische Spannungssteilheit
repetitive peak forward off-state reverse voltages non-repetitive peak forward offstate voltage non-repetitive peak reverse voltage on-state current average on-state current surge current i2t-value current voltage
VDRM, VDSM VRSM ITRMSM ITAVM ITSM i2dt (di/dt) (dv/dt)
6300 5500 198000 151000 A/µs 1000 V/µs
0,67
Schleusenspannung Ersatzwiderstand Nicht Steuerstrom Nicht Steuerspannung Haltestrom Einraststrom Freiwerdezeit
Charakteristische Werte
on-state voltage threshold voltage slope resistance gate trigger current gate trigger voltage gate non-trigger current gate non-trigger voltage holding current latching current
Characteristic values
°C,v
=0,6 G/dt =0,6 A/µs,
VT(TO) VISOL
max.1,4 0,65 max. max.1,4 max.5 max.0,2 max. max.620 max. max. typ.200
forward off-state reverse currents gate controlled delay time circuit commutated turn-off time insulation test voltage
vD=V DRM, vR=V
tvj=25°C, G/dt A/µs
siehe Techn.Er./see Techn.Inf. RMS,
Innerer
Thermische Eigenschaften
thermal resistance, junction case
Thermal properties
=180°el,sinus: Modul/per module
thJC
max.0,085 °C/W max.0,170 max.0,082 max.0,164 max.0,02 °C/W °C/W °C/W °C/W
Betriebstemperatur Lagertemperatur
heatsink max. junction temperature operating temperature storage temperature
Zweig/per Modul/per module Zweig/per Modul/per module thCK Zweig/per tstg
max.0,04 °C/W -40.+140 -40.+140
Mechanische Eigenschaften
siehe Seite Si-Elemente Druckkontakt Innere Isolation Anzugsdrehmoment mechanische Befestigung Anzugsdrehmoment elektrische Gewicht Kriechstrecke Schwingfestigkeit
Mechanical properties
case, page Si-pellet with pressure contact internal insulation mounting torque terminal connection torque weight creepage distance vibration resistance
Toleranz/tolerance Toleranz/tolerance +5%/-10%
typ.800 9,81
Diese Module auch gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden. These modules also supplied with common anode common cathode. Recognized UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
PTAV 120° 180° [°C]
120°
180°
ITAV
ITAVM
Bild Fig. Zweig On-state power loss PTAV f(ITAV) Parameter: current conduction angle
Bild Fig. Maximum allowable case temperature f(ITAVM) Strombelastung Zweig current load Parameter: current conduction angle
120° 180°
[°C]
PTAV
120°
180°
ITAVM
ITAV
Bild Fig. Zweig On-state power loss PTAV f(ITAV) Parameter: current conduction angle
Bild Fig. Maximum allowable case temperature f(ITAVM) Strombelastung Zweig current load Parameter: current conduction angle
1600
1400 0.05 Ptot
0.03 0.04
0.02
RthCA[°C/W] R-Load R-load
2500 0.02 2000 0.03 Ptot 0.04 0.05 1500 0.06 1000 0.08 0.10 0.12 0.15 0.20 0.25 0.30 0.40 0.60
RthCA[°C/W]
1200 0.06 1000 0.08 0.10 0.12 0.15 0.20 0.25 0.30 0.40 0.50 0.60 [°C]
L-Load L-load
[°C]
Bild Fig. Two-pulse bridge circuit Ausgangsstrom Maximum rated output current Gesamtverlustleist. Schaltung total power dissip. circuit Ptot Parameter: zwischen Umgebung thermal resistance case ambient RthCA
Bild Fig. Six-pulse bridge circuit Ausgangsstrom Maximum rated output current Gesamtverlustleist. Schaltung Total power dissip. circuit Ptot Parameter: zwischen Umgebung thermal resistance case ambient RthCA
0.08 0.10 Ptot 0.12 0.15 0.20 0.06 0.04 RthCA[°C/W] 0.05 2500 0.02 2000 0.03 Ptot 0.04 0.05 1500 0.06 1000 0.08 0.10 0.12 0.15 0.20 0.25 0.30 0.40 0.60
RthCA[°C/W]
0.25 0.30 0.40 0.50 0.60 0.80 1.00 1.20 [°C] IRMS
[°C]
IRMS
Bild Fig. Two-pulse bridge circuit Ausgangsstrom Maximum rated output current Gesamtverlustleist. Schaltung total power dissip. circuit Ptot Parameter: zwischen Umgebung thermal resistance case ambient RthCA
Bild Fig. Six-pulse bridge circuit Ausgangsstrom Maximum rated output current Gesamtverlustleist. Schaltung Total power dissip. circuit Ptot Parameter: zwischen Umgebung thermal resistance case ambient RthCA
iTM=
1000A
IT(0V)M [kA]
[µAs]
[ms]
N/10
-di/dt [A/µs]
Bild Fig. Grenzstrom Zweig IT(OV)M. Belastung Leerlauf, VRRM Maximum overload state current IT(OV)M. Surge current under no-load conditions, VRRM forced cooling natural cooling
Bild Fig. Recovery charge f(-di/dt) tvjmax, VRRM, VRRM Parameter: On-state current i
[µs]20
N/11
N/12
Spitzensteuerleistung/ Maximum allowable peak gate power
Bild Fig. Steuercharakteristik Gate characteristic with triggering areas, f(iG), Parameter: Steuerimpulsdauer Pulse duration [ms]
Bild Fig. Gate controlled delay time f(iG) 25°C, diG/dt iGM/1µs Verlauf limiting characteristic typischer Verlauf typical characteristic
0,240 0,200 ZthJC [°C/W] 0,160 0,120 0,080
0,240 0,200 ZthJC [°C/W] 0,160
0,120 0,080 0,040 10-3
120° 180°
0,040
120° 180°
N/13
10-2
N/14
Bild Fig. Transienter innerer Zweig Transient thermal impedance Z(th)JC f(t) Parameter: current conduction angle
Bild Fig. Transienter innerer Zweig Transient thermal impedance Z(th)JC f(t) Parameter: current conduction angle
Analytische Elemente transienten ZthJC Zweig Analytical elements transient thermal impedance ZthJC Pos. [°C/W] 0,0039 0,0008 0,0097 0,008 0,0291 0,085 0,0552 0,54 0,0661 2,85
Analytische Funktion Analytical function:
nmax
ZthJC
(1-e
Other recent searches
TA49051 - TA49051 TA49051 Datasheet
OD-24F - OD-24F OD-24F Datasheet
CD4504B - CD4504B CD4504B Datasheet
Privacy Policy | Disclaimer
© 2012 Datasheet Archive
