28,5 February 1996 Elektrische Eigenschaften Werte Elec
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Marketing Information
28,5
February 1996
Elektrische Eigenschaften Werte
Electrical properties Maximum rated values
-40°C.t -40°C.t +25°C.t 85°C 73°C 25°C, 25°C, 67%, DRM, =10V,i 1A,di G/dt A/µs 0,67 VDRM, VDSM VRSM ITRMSM ITAVM ITSM i2dt (di/dt) (dv/dt) 1000 1200 1400 1600 1800
Periodische Dauergrenzstrom Grenzlastintegral Kritische Stromsteilheit Kritische Spannungssteilheit
repetitive peak forward off-state reverse voltages non-repetitive peak forward offstate voltage non-repetitive peak reverse voltage on-state current average on-state current surge current i2t-value current voltage
6600 5800 218000 168000 A/µs 1000 V/µs
Schleusenspannung Ersatzwiderstand Nicht Steuerstrom Nicht Steuerspannung Haltestrom Einraststrom Freiwerdezeit
Charakteristische Werte
on-state voltage threshold voltage slope resistance gate trigger current gate trigger voltage gate non-trigger current gate non-trigger voltage holding current latching current
Characteristic values
forward off-state reverse currents gate controlled delay time circuit commutated turn-off time insulation test voltage
VT(TO) °C,v G/dt A/µs, vD=V DRM, vR=V tvj=25°C, G/dt A/µs siehe Techn.Er./see Techn.Inf. RMS, VISOL
max.1,65 0,85 max. max. max.10 max.0,2 max. max.1,2 max. max. typ.200
Innerer
Thermische Eigenschaften
thermal resistance, junction case
Thermal properties
=180°el,sinus: Modul/per module thJC
max.0,065 °C/W max.0,13 max.0,062 max.0,124 max.0,02 °C/W °C/W °C/W °C/W
Betriebstemperatur Lagertemperatur
heatsink max. junction temperature operating temperature storage temperature
Zweig/per Modul/per module Zweig/per Modul/per module thCK Zweig/per tstg
max.0,04 °C/W -40.+125 -40.+130
Mechanische Eigenschaften
siehe Seite Si-Elemente Druckkontakt Innere Isolation Anzugsdrehmoment mechanische Befestigung Anzugsdrehmoment elektrische Gewicht Kriechstrecke Schwingfestigkeit
Mechanical properties
case, page Si-pellet with pressure contact internal insulation mounting torque terminal connection torque weight creepage distance vibration resistance
Toleranz/tolerance Toleranz/tolerance +5%/-10%
typ.800 9,81
Diese Module auch gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden. These modules also supplied with common anode common cathode. Recognized UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
PTAV 120° 180° [°C]
120°
180° ITAVM
ITAV
Bild Fig. Zweig On-state power loss PTAV f(ITAV) Parameter: current conduction angle
Bild Fig. Maximum allowable case temperature f(ITAVM) Strombelastung Zweig current load Parameter: current conduction angle
PTAV
180° 120°
[°C]
120°
180° ITAVM
ITAV
Bild Fig. Zweig On-state power loss PTAV f(ITAV) Parameter: current conduction angle
Bild Fig. Maximum allowable case temperature f(ITAVM) Strombelastung Zweig current load Parameter: current conduction angle
2000 0.03 1600 Ptot 0.04 0.05 1200 0.06 0.08 0.10 0.12 0.15 0.20 0.25 0.30 0.40 0.60 0.02
RthCA[°C/W]
2400
0.02
RthCA[°C/W]
R-Last R-Load L-Last L-Load
2000 0.03 Ptot 1600 0.04 0.05 1200 0.06 0.08
[°C]
0.10 0.12 0.15 0.20 0.25 0.30 0.40 0.60
[°C]
Bild Fig. Two-pulse bridge circuit Ausgangsstrom Maximum rated output current Gesamtverlustleist. Schaltung total power dissip. circuit Ptot Parameter: zwischen Umgebung thermal resistance case ambient RthCA
Bild Fig. Six-pulse bridge circuit Ausgangsstrom Maximum rated output current Gesamtverlustleist. Schaltung Total power dissip. circuit Ptot Parameter: zwischen Umgebung thermal resistance case ambient RthCA
0.06 0.08 Ptot 0.10 0.12 0.15 0.20 0.25 0.30 0.40 0.50 0.60 0.80 1.00 1.20 [°C] IRMS 0.04 RthCA[°C/W] 0.05 2400 0.02 RthCA[°C/W] 0.03 2000 Ptot 0.04 1600 0.05 1200 0.06 0.08
0.10 0.12 0.15 0.20 0.25 0.30 0.40 0.60
[°C]
IRMS
Bild Fig. Einphasen-Wechselwegschaltung Single-phase inverse parallel circuit Effektivstrom Maximum ratet current IRMS Gesamtverlustleist. Schaltung Total power dissip. circuit Ptot Parameter: zwischen Umgebung/ thermal resistance case ambient RthCA
Bild Fig. Dreiphasen-Wechselwegschaltung Three-phase inverse parallel circuit Effektivstrom Phase Maximum ratet current phase IRMS Gesamtverlustleist. Schaltung Total power dissip. circuit Ptot Parameter: zwischen Umgebung/ thermal resistance case ambient RthCA
IT(0V)M [kA]
[µAs]
iTM= 1000A
[ms]
N/10
-di/dt [A/µs]
Bild Fig. Grenzstrom Zweig IT(OV)M. Belastung Leerlauf, VRRM Maximum overload state current IT(OV)M. Surge current under no-load conditions, VRRM forced cooling natural cooling
Bild Fig. Recovery charge f(-di/dt) tvjmax, VRRM, VRRM Parameter: On-state current i
[µs]
N/11
N/12
Spitzensteuerleistung/ Maximum allowable peak gate power
Bild Fig. Steuercharakteristik Gate characteristic with triggering areas, f(iG), Parameter: Steuerimpulsdauer Pulse duration [ms]
Bild Fig. Gate controlled delay time f(iG) 25°C, diG/dt iGM/1µs Verlauf limiting characteristic typischer Verlauf typical characteristic
0,16 ZthJC
0,18 0,16 ZthJC [°C/W] 0,12 0,10 0,08
[°C/W] 0,12 0,10 0,08 0,06 0,04
0,06 0,04 0,02
120° 180°
120° 0,02 180°
10-1
10-2
N/13
N/14
Bild Fig. Transienter innerer Zweig Transient thermal impedance Z(th)JC f(t) Parameter: current conduction angle
Bild Fig. Transienter innerer Zweig Transient thermal impedance Z(th)JC f(t) Parameter: current conduction angle
Analytische Elemente transienten ZthJC Zweig Analytical elements transient thermal impedance ZthJC Pos. [°C/W] 0,0031 0,0009 0,0097 0,008 0,0257 0,11 0,0429 0,61 0,0426 3,06
Analytische Funktion Analytical function:
nmax
ZthJC
(1-e
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