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amplificateur audio a base de transistor

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Abstract: A — 6 Le transistor BC 237 est subdivisé en deux classes de gain statique A — B The transistor , trois classes de gain statique A — B — C The transistor BC 239 is grouped in two classes of DC gain B — C Le transistor BC 239 est subdivisé en deux classes de gain statique B-C 2/10 358 BC 237 , classes de gain dynamique A — B The transistor BC 238 is grouped in three classes of small signal current gain A — B — C La transistor BC 238 est subdivisé en trois classes de gain dynamique A — B ... OCR Scan
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transistor bc icbo nA npn transistor Bc 7 TRANSISTOR BC 239 F of bc 237 b transistor bc 238 b TRANSISTOR BC 239 transistor BC 238 transistor bc 103 TRANSISTOR BC bc 330 transistor TRANSISTOR BC 239 c TRANSISTOR BC 237 transistor C238 bc 103 transistor transistor bc 102 bc 106 transistor transistor BC 55 bc 357 transistor TEXT
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Abstract: grouped in two classes of OC gain VI - A La transistor BC 307 est subdivisé en deux classes de gain , two classes of DC gain A - B Le transistor BC 309 ast subdivisé en deux classes de gain statique A - , small signal current gain A - B La transistor BC 309 ast subdivisé an daux classas de gain dynamique A , -100 -100 mA Peak collector current Courant de crête de collecteur 'cm -200 -200 -200 mA Base current Courant base 'b -50 -50 -50 mA Power dissipation Dissipation de puissance Ptot 300 300 300 mW ... OCR Scan
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transistor 309 bc 851 BC 307 transistor bc 100 transistor BC 110 transistor bc 851 transistor BC 368 transistor CB 308 308 transistor TRANSISTOR BC SC 309 transistor da 307 bc 309 b transistor BC307 transistor BC 55 BC307 transistor 307 BC307 bc 106 transistor BC307 transistor BC 307 BC307 transistor sc 308 BC307 transistor BC 308 BC307 BC307 BC307 TEXT
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Abstract: Courant base 'b 10 10 A Power dissipation Dissipation de puissance toase = 25°C Ptot 200 200 W Junction , 20 20 A Base current Courent base ■B 10 10 10 10 A Power dissipation Dissipation de puissance , 25 25 A Base current Courant base ■b 10 10 10 10 A Power dissipation Dissipation de puissance , collecteur 'cm 5 A Base current Courant base 'b 0,5 A Power dissipation Dissipation de puissance tambâ , current Courant collecteur 'c 4 4 A Base current Courant base 'b 2 2 A Power dissipation Dissipation de ... OCR Scan
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Thomson-CSF THOMSON-CSF PRODUCTS Thomson-CSF Power Transistor 1975 Thomson Power Transistor 1975 Transistor bdy 71 Transistor bdy 58 transistor 3055 out hv equivalent of transistor bul 38 da transistor ST TYN 616 amplificateur BF transistor 2n 892 X1 D 5038 Transistor Horizontal TEXT
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Abstract: ©passant les limites conventionnelles, ont été obtenues par application des formules de base. Elles , SILICON SIGNAL TRANSISTORS TRANSISTORS DE SIGNAL AU SILICIUM FIELD EFFECT TRANSISTORS TRANSISTORS A EFFET , : Amplificateurs opérationnels 1974 (2&me édition) (published in French only) Tome 2 : Régulateurs de tension , d'application des transistors à effet de champ 1975 (published in French only) Recueil : Transistors de , catalogues et manuels sont à votre disposition, soit chai le distributeur "SESCOSEM" de votre région, soit ... OCR Scan
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yg 2822 4392 ic equivalent BF198 equivalent kd 2060 transistor sescosem lr 2905 transistor BU 2905 transistor BF 178 TO-39 CASE connection pj 929 diode picture equivalente transistor BC 141 SESCOSEM transistor equivalent of transistor bc212 bc 214 LB 124 transistor equivalente brochage des circuits integres TEXT
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Abstract: SEMICON INDEXES volume: i INTERNATIONAL TRANSISTOR INDEX 23nd EDITION 1997/8 ■\ 1 .5 â , Renseignements des constructeurs Transistors bipolaires Transistors digital I. G. B. T. Transistors a effet de , transistores a effet de champ (FET) A - Z 4.005 1 — 4.059 _Liste des transistores unijonction , numeros CV adoptes par (’Institution des Normes Britanniques sont indiques. Les schemas de brochages se trouvent a la Section 8. Ils sont references £ partir des numeros de la colonne "N" de la Section 3 et ... OCR Scan
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2sc1946 Ericsson RBS 6102 Ericsson SPO 1410 2N6058 2n396 sgs marking code CIE SMD Transistor MGF1102 mospower fet ms 1307 2sk1645 Silec Semiconductors 1RFP140 BD559 e420 dual jfet elektronische bauelemente rft G20N40 General Instrument data book TEMIC 6017 weltrend motor semefab 051 smd diode marking WU1 TEXT
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Abstract: every part with the same base number at a glance. Parts w ith the same base number, it should be kept , Guide IN TRO DUCTIO N A U X IN TERFA CES Le Guide General de Selection fournit suffisamment de , , a la fois dans la Premier Guide de Selection et dans les feuilles de donnees, sont inclus dans tous , produits de cette Section, notamment les convertisseurs d'analogue a digital et de digital a analogue , appareil avec selection complete de temperatures imposees par l'Armee (—5 5 °C a 125°C) est indique ... OCR Scan
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6502 microprocessor BLS100 dp7303 HEF4752 xr-3527 INTECH OP AMP LG cs560 Circuit Diagram schematics M51841 MC145156 MSM5219 siemens semiconductor manual SI9553 sfc 2824 ec sed1300 RD5106 philips ecg master replacement guide MSM5219 equivalent vtl 3829 A-C4 7 segment display RL S5220 TEXT
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grâce à ses quatre circuits appariés :1) le seul processeur en bande de base d'étalement du spectre en RF/FI (radiofréquences/fréquences intermédiaires) à 2,4 GHz; et 4) un amplificateur de puissance RF disponibles assure une utilisation optimale du spectre. Harris a conçu le processeur en bande de base DSSS bande de base), qui permettent à l'utilisateur de s'adapter rapidement à toute évolution mineure de la modem FI/Q, d'un convertisseur RF/FI à 2,4 GHz et d'un amplificateur de puissance RF. Le modem FI/Q et
/datasheets/files/harris/whatsnew/prism/prismf.htm
Harris 15/08/1997 32.71 Kb HTM prismf.htm
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