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Part Manufacturer Description Datasheet BUY
TPD4E004DSFR Texas Instruments UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE visit Texas Instruments
TPD3E001DRY Texas Instruments UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE visit Texas Instruments
TPD2E001YFPR Texas Instruments DIODE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, LEAD FREE, DSBGA-4, Transient Suppressor visit Texas Instruments
ISL99135BDRZ-T Intersil Corporation 35A DrMOS Module with Diode Emulation and PS4; QFN24; Temp Range: 0° to 70° visit Intersil
ISL99125BDRZ-T Intersil Corporation 25A DrMOS Module with Diode Emulation and PS4; QFN24; Temp Range: 0° to 70° visit Intersil
UC1610J/883B Texas Instruments SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE visit Texas Instruments

aeg diode

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SSIE1420

Abstract: SSiE1210 Teccor Elec Teccor Elec AEG Aktien Teccor Elec AEG Aktien AEG Aktien AEG Aktien AEG Aktien AEG Aktien AEG Aktien AEG Aktien AEG Aktien AEG Aktien AEG Aktien AEG Aktien AEG Aktien SldStElecll Siemens Akt Siemens , Semicon Diodes Inc See Index Genrl Diode Genrl Diode CnmsonSemi Sld St Dvcs Space Power Renard Mfg Renard
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Original

AEG T 25 N 1100

Abstract: AEG T45F 0029426 AEG CORP T45F AEG CORP 81C 05811 D ~ öl DE J OaSTHEb â¡â¡â¡Söll â¡ J , £800V 82 2177 Bâ'"02 0029426 AEG CORP AEG CORP 81C .05812 D T~ /J "fil DE|DG2T42t. 0 â¡ â¡ S fi 15 S , Diode, Freiwerdezeit t, gemäà 4. Kennbuchstaben, Steuergenerator: ul = 10 V, ig = 0,75 A, ta = 1 (is , with inverse paralleled fast diode, circuit commutated turn-off time t, according to 4th code letter , 0029426 AEG CORP J45 p A E G CORP 81C 05813 D fll iMrjaoa^ab â¡â¡â¡S013 4 Bilder 4,5,6
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AEG T 51 N 1200

Abstract: t31f aeg 0029426 AEG CORP aeg corp 81C 05804 0 y-eZS'O flï dit| doe^sk 000söd4 3 j^jÃ-jp Typenreihe , after turn-off time 3) UDrm£800V 2170 a-09 0029426 AEG CORP QIC 05805 D > -j-g-j p aeg corp fll , schneller Diode, Freiwerdezeit t, gemäà 4. Kennbuchstaben, Steuergenerator: uL = 10 V, ¡g = 0,75 A, ta = , reverse voltage dun/dt s 100 V/jis or operation with inverse paralleled fast diode, circuit commutated , tp Qus] -â'" ) i jl f Bild/Flg. 3 200 400 600 1000 tp &»] -â'" 76 2171 Aâ'"10 0029426 AEG CORP
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BYT 12 DIODE

Abstract: T35 diode AEG CORP «g» 17E J> OOE^Sb GDOTÃ"GT Q rilLllROTIKl electronic Creative Techno'og es BYT 86 Ultra Fast Recovery Silicon Power Diode Application: Fast switched mode power supplies, freeweeiing and snubber diode in motorcontrol circuits T-o 3-/? Features: â'¢ Multiple diffusion â'¢ High , -65.4-150 °C Maximum thermal resistance Junction case 2.4 K/W T1.2/1541.0588 E 99 AEG CORP BYT 86 , . T J 4 i Wt VF Fig. 2 Test circuit 100 AEG CORP 17E D 40 80 120 C° ^mb-'caseâ'"*" OOCHflll Ã
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aeg B 17 V

Abstract: T80F 0029426 AEG CORP T80F A E G C0RP 81C 058 25 0 y ~/*9 "fil DE Jâ¡â¡STMSb DOQSöaS Q , after turn-off time 96 2lgl c-02 0029426 AEG CORP AEG CORP 81C 05829 X -o , mit antiparalleler schneller Diode oder dUR/dt s 100 V/(is und Anstieg auf Uhm s 50 V. o 1 'tm c , account for operation at f0 a 1 kHz, But valid for operation with inverse paralleld fast diode or dUn/dt , 30 40 60 100 t so f6 Bild/Flg. 2 200 /US - 400 600 10 â'"I 2192 C-03 97 0029426 AEG CORP
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aeg diode Si 11 K

Abstract: aeg t 188 0029426 AEG CORP 81C 05861 D J'^S ~ tj T188 F ^ E G C0RP ^ ^IeJI DOE11]MEt, â¡â¡â¡Sfibl 4 , '"10 _0029426 AEG CORP_ _ 81C 05862 D T^-^S''9 E G CORP 01 81C 05862 D '¿9 DE I ODETHSti OOOSflbE t, I^y-jgg , antiparalleler schneller Diode oder dUÃ/dt s 100 V/(is und Anstieg auf uBM S 50 V. â'"10â'"I 1 'tm 10' 8 , for operation at f0 > 1 kHz. But valid for operation with inverse paralleled fast diode or dUs/dt < 100 v/[is and rise up to Uhm < 50 V. 228 E-ll 133 0029426 AEG CORP 81C 05863 " D J T188 FA E G
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T188F aeg diode Si 11 K aeg t 188 aeg T188 FAG 28 diode aeg diode Si 11 AEG T 250 N 700

diode T128

Abstract: 05852 paralleled fast diode or duH/dt < 100 V/[is and rise up to uRM s 50 V. 118 2213 D-10 0029426 AEG CDRP AEG , 0029426 AEG CORP AEG CORP 81C 05846 D T~(J-5~/9 "aï deT| Goawb oDQsaMt a |~r-|28F , ) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit/Immediateiy after turn-off time 2212 0-09 117 0029426 AEG CORP 81C 05847 , schneller Diode oder duR/dt s 100 V/jis und Anstieg auf uaM £ 50 V. i f\ 'TM 1 r â'ž â'"tp- -T=1 -⺠, : -nicht berücksichtigt. Die Kurven gelten für den Betrieb mit antiparalleler schneller Diode oder dun
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T128F diode T128 05852 SO47 aeg t128 aeg diode AEG T 25 N 1100 MI02F

AEG T 51 N 1200

Abstract: aeg t12f _0029426 AEG CORP AEG CORP 81C 05778 D T~~cZ S" ~/S~ flï Dlf| DDa^Sh DDDS77Û b ^ ^ , after turn-off time 3) UdrmS 1000 V 2144 Fâ'"11 0029426 AEG CORP T 12 F aï DÌT| Doa^ab DOOS?^ à , Diode, Freiwerdezeit t, gemäà 4. Kennbuchstaben, Steuergenerator: Ul = 8 V, is = 0,2 A, ta = 1 (is , voltage duR/dt < 100 Wns or operation with inverse paralleled fast diode, circuit commutated turn-off , AEG CORP Bilder 4,5,6 Höchstzulässige Strombelastbarkeit in Abhängigkeit von der Stromsteilheit
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AEG T 51 N 1200 aeg t12f aeg t 130 N AEG T 25 N 1000 AEG T 51 N 400 DIN41892-201C3

T102F1

Abstract: T102F fast diode or duR/dt , 0029426 AEG CORP T "oIS 8IC 05837 E G CORP _81C 05832 D Tj "aï DE| â¡â¡Ecì42b D0DSA3S fl , after turn-off time 2198 Câ'"09 103 0029426 AEG CORP T "oIS 8IC 0583 7 T102F A E G C0RP fll DE I , mit antiparalleler schneller Diode oder dun/dt < 100 V/[ts und Anstieg auf unM s 50 V. i nf r - , berücksichtigt. Die Kurven gelten für den Betrieb mit antiparalleler schneller Diode oder duH/dt 3100 V/|is bei
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T102F1 AEG 51000 T102 22JJf c13107 ATS22

AEG F10 M 600

Abstract: TT 2206 after turn-off time 110 2205 Dâ'"02 0029426 AEG CORP AEG CORP _81c 05840 d , t-jl5r/f fil DE J , Betrieb mit antiparalleler schneller Diode oder duâ'ž/dt < 100 V/[iS und Anstieg auf uRM S 50 V. â , fast diode or duR/dt s 100 V/(1S and rise up to Urm £ 50 V. 10» 8 [A] 'TM/ 103 8 6 10 2 , 40 60 100 T 120 F 6 Bild/Fig. 2 200 -/JS - 400 600 10 2206 d-03 ut 0029426 AEG CORP T12CA E , Betrieb mit antiparalleler schneller Diode oder duâ'ž/dt < 100 V/|is bei Anstieg auf Uaw < 50 V
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T120F AEG F10 M 600 TT 2206 aeg tt 18 n 1200 aeg tt 18 n 800 aeg tu

aeg diode

Abstract: RG201 AEG CORP 17E D 0Q5ci45Ã3 0QQTÃ"77 b TTilLIlPMKIM electronic Creative Technologies LL4154 Silicon Epitaxial Planar Diode Applications: Extreme fast switches Features: â'¢ Electrical data , 500 200 â 65.+200 500 V V A mA mA mA mW °C °C K/W I T1.2/393.0588 E 167 AEG CORP , Diode capacitance yR = o, f = 1 MHz, VHF = 50 mV Reverse recovery time /F=/R = 10 mA,/R = 1 mA Min , 1.2 V 0.01 11-jr=0.01, ip = 0.3 ms 168 AEG CORP 17E D â  QQETHEb DQOTÃTT T â  LL 4154
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RG201 diode aeg DIODE WITH SOD CASE ir 0588 GG2T42

DDD5773

Abstract: S100 0029426 AEG CORP ' öl DET| â¡ DSIM5fc. DGOS?! 3 f 17 F Typenreihe/Type ränge T7F 100* 200 , Liefertermin erfragen/Oelivery for larger quantities on request 42 2137 Fâ'"04 0029426 AEG CORP 81C 05772 D , schneller Diode, Freiwerdezeit t, gemäà 4. Kennbuchstaben, Steuergenerator: Ul = 8 V, ¡g = 0,2 A, U = 1 , with inverse paralleled fast diode, circuit commutated turn-off time t, according to 4th code letter , p AEG CORP öl DF|GDamat. DDD5773 7 Bilder 4,5,6 Hochstzulässige Ctrombeiastbarkeit in
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S100 0G0S77S

AEG T 178

Abstract: AEG T 178 N _0029426 AEG CORP AEG CORP 81C 05854 D y ~ / 9 aï i>F| â¡â¡awt, DGGSfiSM ? "JT178F , '"03 125 0029426 AEG CORP -A E G CORP F 81C 05855 0 -¡C) ~fll DF|DGBT4Sb OOOSflSS I Bilder 1,2,3 , schneller Diode oder dUn/dt , account for operation at f0 a 1 kHz. But valid for operation with inverse paralleled fast diode or duR/dt
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T178F AEG T 178 AEG T 178 N ic pt 2223 t1ls AEG T 1900

AEG T17

Abstract: AEG T 25 N 1100 T17F 0029426 AEG CORP AEG CORP fll 81C 05789 D > ^ if DE| â¡02c]4Sti â , antiparalleler schneller Diode oder dun/dt ä 100 V/ns und Anstieg auf uâ"¢ < 50 V. i 'TM I r _ â'"tp- T-> X , paralleld fast diode or duâ'ž/dt < 100 V/[is and rise up to uâ"¢ < 50 V. Biid/Fig. 1 Bild/Rg. 2 Bild/Rg. 3 15 6 fiâ'"09 61 0029426 AEG CORP 81C 05791 D y.-^S'O T17P A E G CORP fll â¡D^TMSb â , Ausschaltveriustleistung: - nicht berücksichtigt. Die Kurven gelten für den Betrieb mit antiparalleler schneller Diode
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AEG T17 201B T17F S7C11

aeg t 290 f

Abstract: T290 0029426 aeg corp fll DÃ'j| OQS^Sb 00DSÃ7S 4 r-^i-'/f T290F Typenreihe/Type range_T290F , /page 256 0029426 aeg corp "öl ¡>r|[]02T4ab DOOSflVk. h T290F Bilderl, 2,3 Hochstzulässige , 1 kHz. Jedoch gültig für Betrieb mit antiparalleler schneller Diode oder dua/dt , operation with Inverse paralleled fast diode or dun/dt < 100 V/fis and rise up to uBH s 50 V. 10« 8 [A , 40 60 100 200 400 600 1 U-.us -4- T M0F7 Blld/Fig. 3 6 10 2242 Fâ'"11 147 0029426 AEG CORP
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aeg t 290 f T290 AEG v 300 10ITIS

T195F

Abstract: aeg diode 0029426 AEG CORP 81C 05868 T'AS'fi G CORP ai DE |aosci4ab ooDsflta 7 Tt195F Typenreihe , after turn-off time 2234 F-03 139 t 0029426 AEG CORP T195F Bilderl, 2,3 Höchstzulässige , f0 s 1 kHz. Jedoch gültig für Betrieb mit antiparaileler schneller Diode oder duB/dt < 100 V/(is , valid for operation with inverse paralleled fast diode or duH/dt
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25CC W101

varo r634

Abstract: SSIE1440 Inc See Index See Index Teccor Elec SldStElecll Genrl Diode Siemens Akt Siemens Akt Rectron Ltd St Semicon See Index SldStElecll Genrl Diode Fagor Rectron Ltd Generallnst St Semicon Diodes Inc See Index , Genrl Diode See Index Edal Indus See Index See Index Genrl Diode Edal Indus Genrl Diode Edal Indus See Index Edal Indus Edal Indus Edal Indus Edal Indus Edal Indus Edal Indus AEG Aktien AEG Aktien AEG Aktien AEG Aktien AEG Aktien Lansdale Lansdale Lansdale Lansdale Lansdale Semicon Com Nihon Inter See Index
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SSIE1230 SSIE1140 SSIE1440 TR152 TR252 R4100040 varo r634 varo diode Varo r624 ssie1240 siemens ssie1440 FB3504 RA354 35SP04 DD716 ST4-40 NCR35-400

aeg diode Si 11 K

Abstract: aeg rectifier AEG CORP i7E ]> fiy UM electronic Creain/e Technologies Silicon Mesa Diode Application: Rectifier Features: â'¢ Glass passivated junction Dimensions in mm QQHci45b DQQ^äöS S â  S 380 D â'¢ S 38t D T"ôl-/sr Hermetically sealed package Si 26 _ Marking: By letters Absolute maximum , . 1.2 5 50 V V A A °C °C K/W K/W ma ma I T1.2/417.0588 E 175 AEG CORP 17E D â  Ã , g. 5 0.11 11 11 11 0 50 100 150 °C 177 AEG CORP 17E D â  aGSmSfc. GQDTñññ 0 B _ 3949 8-10
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aeg rectifier AEG TT marking B_Y aeg tt 100 RB1A C177 0ST45L

15- 05819

Abstract: AEG T72F fast diode or duR/dt < 100 V/(is and rise up to Ua« s 50 V. 90 2135 Bâ'"10 _0029426 AEG CORP , AEG CORP 0029426 AEG CORP 81C 05818 D ^ OJLU UDOIO U j -/y fil DeT| DOS^Et, DOGSfilfl 3 | j^p , after turn-off time 2184 8-09 89 0029426 AEG CORP 81C 05819 D 7*^^-/9 772 F A E G CORP fll ¡>T , mit antiparalleler schneller Diode oder duR/dt S100 V/(1S und Anstieg auf uRM < 50 V. i f\ 'tm 1 r _ , Kurven gelten für den Betrieb mit antiparalleler schneller Diode oder duR/dt s 100 V/jis bei Anstieg
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15- 05819 AEG T72F um 44 diode T72F DUB H4 circuit

AEG T24F

Abstract: AEG T24F 600 0029426 AEG CORP T24Fa e g corP 81C 05797 o ^r-^s-) fll DE|a02ci4Eb DDOSTT? D | Typenreihe , after turn-off time' 68 2163 Aâ'"O 2 0029426 AEG CORP_81C 05798 0 ' 7"-«S.S'- / 7 A E G CORP äl , . Jedoch gültig für Betrieb mit antiparalleler schneller Diode oder duR/dt £ 100 V/ns und Anstieg auf , f0 a 1 kHz. But valid for operation with Inverse paralleld fast diode or du,/dt £ 100 V/[is and rise up to uRM s 50 V. 2164 Aâ'"03 0029426 AEG CORP T24 F A E G CORP 81C 05799 0 "flï DT
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AEG T24F AEG T24F 600 v 2164 ft06 A-04 DIN41892 D5T42
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