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TMS-90-SCE-1/4-6

Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

HM66WP18100BP-40

Abstract: HM66WP18100FP-40 SCE t HCE *1 *2 tSD tHD D D (A1) tOHZ D (A2) D (A3) D (A3+1) D (A3 , HM66WP18100/HM66WP36512 18M Pipelined Zero Bus Latency (ZBL) SRAM (HM66WP18100) 1-Mword × 18 , HM66WP18100 is a synchronous fast static RAM organized as 1-Mword × 18-bit. The HM66WP36512 is a synchronous , / A18 A17 A8 A9 VDD VSS CLK CE2 100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 , V DD (1) V DD V DD V SS DQd8 DQd7 V DDQ V SSQ DQd6 DQd5 DQd4 DQd3 V SSQ V DDQ 80
Hitachi Semiconductor
Original
HM66WP18100BP-40 HM66WP18100FP-40 HM66WP18100FP-50 HM66WP18100FP-60 HM66WP36512FP-40 HM66WP36512FP-50 512-K ADE-203-1298C D-85622

Hitachi DSA00279

Abstract: t HA A1 Address A2 A3 A4 t SW tHW t SCE t HCE *1 *2 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; tSD tHD D , 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 , DQc8 V DD (1) V DD V DD V SS DQd8 DQd7 V DDQ V SSQ DQd6 DQd5 DQd4 DQd3 V SSQ V DDQ DQd2 DQd1 , 45 46 47 48 49 50 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 DQb0 DQb1 DQb2 V DDQ V SSQ DQb3 DQb4 DQb5 DQb6 V SSQ V DDQ DQb7 DQb8 V SS V DD (1) V DD ZZ DQa8 DQa7 V
Hitachi Semiconductor
Original
Hitachi DSA00279 HM66WP18512/HM66WP36256 HM66WP18512 HM66WP36256 256-K ADE-203-1284C D-85619
Abstract: TMS-SCE and TMS-SCE 2X TMS-SCE (Black) TMS-90-SCE STANDARD RIBBON 1966-RIBBON TMS-RJS-RIBBON , HLXNEL* HPK HT-SCE HT-SCE (Black) HX-SCE* NBC-SCE RPS TMS-SCE and TMS-SCE 2X TMS-SCE (Black) TMS-90-SCE , -T200 1330-3300-101TT 1330-0607-T200 * HX-SCE, HLXNEL & TMS-90-SCE for T212M only Note: T208M-Printer has been , ) TMS-90-SCE UV-SCE STANDARD RIBBON 1330-3300-10 1966-RIBBON TMS-RJS-RIBBON-4DSCE (For Optimal , and TMS-SCE 2X TMS-SCE (Black) TMS-90-SCE UV-SCE STANDARD RIBBON 1330-3300-10 1966 TE Connectivity
Original
T208M T212M-P T200- A72722-000 18910000-OKI380-RIBBON TTDS-257

Hitachi DSA00160

Abstract: HM66WP18513BP-65 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ADV/ *1 t SCE t HCE HM66WP18513, HM66WP36257 Read-Write Cycle t CYC CLK , / NC A17 A8 A9 VDD VSS CLK CE2 100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 , V SS (1) V DD V DD V SS DQd8 DQd7 V DDQ V SSQ DQd6 DQd5 DQd4 DQd3 V SSQ V DDQ 80 , SS V SS (1) V DD ZZ DQa8 DQa7 V DDQ V SSQ DQa6 DQa5 DQa4 DQa3 V SSQ V DDQ DQa2 DQa1 , DQd1 DQd0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25
Hitachi Semiconductor
Original
Hitachi DSA00160 HM66WP18513BP-65 HM66WP18513FP-65 HM66WP18513FP-85 HM66WP36257FP-65 HM66WP36257FP-75 HM66WP18513/HM66WP36257 ADE-203-1285C

HM66WP18512FP-60

Abstract: HM66WP36256FP-40 SCE t HCE *1 *2 tSD tHD D D (A1) tOHZ D (A2) D (A3) D (A3+1) D (A3 , / NC A17 A8 A9 VDD VSS CLK CE2 100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 , V DD (1) V DD V DD V SS DQd8 DQd7 V DDQ V SSQ DQd6 DQd5 DQd4 DQd3 V SSQ V DDQ 80 , SS V DD (1) V DD ZZ DQa8 DQa7 V DDQ V SSQ DQa6 DQa5 DQa4 DQa3 V SSQ V DDQ DQa2 DQa1 , DQd1 DQd0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25
Hitachi Semiconductor
Original
HM66WP18512FP-60 HM66WP36256FP-40 HM66WP36256FP-50 HM66WP36256FP-60 a22t HM66WP18512FP-40

Hitachi DSA00279

Abstract: HM66WP18101/HM66WP36513 18M Flow Through Zero Bus Latency (ZBL) SRAM (HM66WP18101) 1-Mword × 18 , HM66WP18101 is a synchronous fast static RAM organized as 1-Mword × 18-bit. The HM66WP36513 is a synchronous , A17 A8 A9 VDD VSS CLK CE2 100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 A6 A7 DQc0 DQc1 DQc2 V DDQ V SSQ DQc3 DQc4 DQc5 DQc6 V SSQ V DDQ DQc7 DQc8 V SS (1) V DD V DD V SS DQd8 , A16 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
Hitachi Semiconductor
Original
ADE-203-1299D

Hitachi DSA002734

Abstract: ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; tSD tHD D (A1) A2 D (A2) D (A2+1) D (A2+2) D (A2+3) D (A2) A3 tCYC t SCE , -LQFP 100-pin LQFP ADV/ NC A17 A8 A9 VDD VSS CLK CE2 100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 A6 A7 DQc0 DQc1 DQc2 V DDQ V SSQ DQc3 DQc4 DQc5 DQc6 V SSQ V DDQ DQc7 DQc8 V SS (1) V , 50 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 80 79 78 77 , V SSQ DQb3 DQb4 DQb5 DQb6 V SSQ V DDQ DQb7 DQb8 V SS V SS (1) V DD ZZ DQa8 DQa7 V DDQ V SSQ DQa6
Hitachi Semiconductor
Original
Hitachi DSA002734

HM66WP18101BP-65

Abstract: HM66WP18101FP-75 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ADV/ *1 t SCE t HCE HM66WP18101, HM66WP36513 Read-Write Cycle t CYC CLK , HM66WP18101/HM66WP36513 18M Flow Through Zero Bus Latency (ZBL) SRAM (HM66WP18101) 1-Mword × 18 , HM66WP18101 is a synchronous fast static RAM organized as 1-Mword × 18-bit. The HM66WP36513 is a synchronous , / A18 A17 A8 A9 VDD VSS CLK CE2 100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 , V SS (1) V DD V DD V SS DQd8 DQd7 V DDQ V SSQ DQd6 DQd5 DQd4 DQd3 V SSQ V DDQ 80
Hitachi Semiconductor
Original
HM66WP18101BP-65 HM66WP18101FP-75 HM66WP36513FP-65 HM66WP36513FP-75 HM66WP36513FP-85 ADE-203-1299C

Hitachi DSA00279

Abstract: Address A2 A3 A4 t SW tHW t SCE t HCE *1 *2 ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; ; tSD tHD D (A1) D D , HM66WP18100/HM66WP36512 18M Pipelined Zero Bus Latency (ZBL) SRAM (HM66WP18100) 1-Mword × 18 , HM66WP18100 is a synchronous fast static RAM organized as 1-Mword × 18-bit. The HM66WP36512 is a synchronous , 54 53 52 51 100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 VDD VSS CLK CE2 A6 A7 DQc0 DQc1 DQc2 V DDQ V SSQ DQc3 DQc4 DQc5 DQc6 V SSQ V DDQ DQc7 DQc8 V DD (1) V DD V DD V
Hitachi Semiconductor
Original
ADE-203-1298D

MSP430F5438IPZ

Abstract: SMD PJ 77 USB C43 100nF C44+ 10uF/6.3V/T ANT NA C48 NA P_OUT HN1x2 2 1 2 1 #LCD_RES EXT1-28 A_OUT MSP430F5438IPZ P8.7 P8.6/TA1.1 P8.5/TA1.0 P8.4/TA0.4 P8.3/TA0.3 P8.2/TA0.2 P8.1/TA0.1 P8.0/TA0.0 P9.7 P9.6 P9.5/UCA2RXD/UCA2SOMI P9.4/UCA2TXD/UCA2SIMO P9.3/UCB2CLK/UCA2STE P9.2/UCB2SOMI/UCB2SCL P9.1/UCB2SIMO/UCB2SDA P9.0/UCB2STE/UCA2CLK P10.7 P10.6 P10.5/UCA3RXD/UCA3SOMI P10.4/UCA3TXD/UCA3SIMO P10.3/UCB3CLK/UCA3STE P10.2/UCB3SOMI/UCB3SCL P10.1/UCB3SIMO
OLIMEX
Original
QCT32768 SMD PJ 77 7/A15 6/A14 5/A13 4/A12 EXT2-33

SCF 5784

Abstract: 5583A 5744Q HEG* SCE 5745Q orange 4.7 19.91 x 10.54 Serial with 90 degree form single inline , , etc.) Löten · Max. Löttemperatur: 260 °C · Max. Lötzeit: 5 s · Min. Lötabstand: > 1,59 mm , ASCII character ROM, 16 user definable characters, PDSP 1884 HEG* SCE 5781 yellow SCE 5782 super red SCE 5783 green SCE 5784 HEG* SCE 5786 InGaAIP Q68000A9107 7 Q68000A9108 Q68000A9109 8 4.7 42.93 x 4.57 Parallel SCE 5780 hyper red Q68000A9106 ±55/ ±65 deg
OSRAM
Original
SCF 5784 5583A DLG 2416 5542Q SLG 2016 D SCF 5741 SCF5740 PD3537 PD243X PD4437 HDSP211XS DLO4135

TE3112-PRINTER

Abstract: cable marker Markers & Labels Product TMS-SCE, RPS HT-SCE, HTCM-SCE-TP D-SCE HX-SCE, HX, HLX, HXTM-FB TMS-90-SCE , -228 Issue 1 PRODUCT dimension : Physical Characteristics · Depth : 446mm (17.5 inches) · Height : 274mm , : Netherlands: China: +1 (800) 522-6752 +1 (905) 470-4425 +52 (0) 55-1106-0814 +55 (0) 11-2103-6000 +49 (0
Tyco Electronics
Original
TE3112-PRINTER cable marker TE3112-P 240VAC TTDS-228 CR2120-000 TMS-90-SCE

SCD3851

Abstract: ACT-SF41632 Flash Vcc Active Current for Read (1) ICC1 FCE = VIL, OE = VIH, SCE = VIH 260 mA Flash , Diagrams Write Cycle (SWE Controlled, OE = VIH) Read Cycle 1 (SCE = OE = VIL, SWE = VIH) tWC , ­18 Address Inputs FWE1-4 OE A0­A18 SCE FCE Flash Write Enables SWE1-4 SRAM Write Enables I , Supply GND 128K X 8 SRAM 512K X 8 FLASH SCE VCC 128K X 8 SRAM 512K X 8 FLASH , Current ILI VCC = Max, VIN = 0 to VCC 10 µA Output Leakage Current ILO FCE = SCE =
Aeroflex Circuit Technology
Original
ACT-SF41632 SCD3851 MIL-PRF-38534 ACT-SF41632N 37P1X 39P1X 26F2X

ACT-SF512K32

Abstract: Flash Vcc Active Current for Read (1) ICC1 FCE = VIL, OE = VIH, SCE = VIH 260 mA Flash , Cycle (SWE Controlled, OE = VIH) Read Cycle 1 (SCE = OE = VIL, SWE = VIH) tWC tRC A0-18 A0 , ­18 Address Inputs FWE1-4 OE A0­A18 SCE FCS Flash Write Enables SWE1-4 SRAM Write Enables I , Supply GND 512K X 8 SRAM 512K X 8 FLASH SCE VCC 512K X 8 SRAM 512K X 8 FLASH , Current ILI VCC = Max, VIN = 0 to VCC 10 µA Output Leakage Current ILO FCE = SCE =
Aeroflex Circuit Technology
Original
ACT-SF512K32 ACT-SF512K32N 26P1X 37F2X 39F2X MIL-STD-883

smd code F18

Abstract: for Read (1) ICC1 FCE = VIL, OE = VIH, SCE = VIH 130 mA Flash Vcc Active Current for , Read Cycle Timing Diagrams Write Cycle (SWE Controlled, OE = VIH) Read Cycle 1 (SCE = OE = VIL , / Program Cycles Block Diagram ­ PGA Type Packages (P3 & P7) & CQFP (F18) Pin Description SWE 1 SCE1 , , VIN = 0 to VCC 10 µA Output Leakage Current ILO FCE = SCE = VIH, OE = VIH, VOUT = 0 to VCC 10 µA 325 mA SRAM Operating Supply Current x 16 I x16 SCE = VIL, OE = VIH, f = 5MHz
Aeroflex Circuit Technology
Original
smd code F18 SF2816 512KX8 SF2816N 37P7Q 39P7Q 26F18Q
Abstract: Flash Vcc Active Current for Read (1) ICC1 FCE = VIL, OE = VIH, SCE = VIH 130 mA Flash Vcc Active Current for Program or Erase (2) ICC2 FCE = VIL, OE = VIH, SCE = VIH 150 mA , Controlled, OE = VIH) Read Cycle 1 (SCE = OE = VIL, SWE = VIH) tWC tRC A0-18 A0-18 tAA tAW , SCE = VIH, OE = VIH, VOUT = 0 to VCC 10 µA 260 mA SCE = VIL, OE = VIH, f = 5MHz, VCC = SRAM Operating Supply Current x 16 ICCx16 Max, FCE = VIH Mode Standby Current ISB FCE = SCE = Aeroflex Circuit Technology
Original
SF512K16 SF512K16N 37F18Q 39F18Q SCD1663
Abstract: Flash Write Enables SWE1-4 SRAM Write Enables FCE SCE OE NC Vcc GND 1/00-7 1/08-15 1/016-23 1/024-31 , VCC 3.2 4.2 FCE = V|L, OE = V|H, SCE = V,H FCE = V|L, OE = V|H, SCE = V,H Iqi_ = 1 2 rnA, V qq = Min, SCE = V|_| Ioh = "2.5 rnA, , V qq = Min, SCE = V|_| mA mA V V V Notes: 1) The Icc current , Diagrams - SRAM Read Cycle Timing Diagrams Read Cycle 1 (SCE = OE = V il , SWE = V ih) ÍR C Write , FCE SCE I/03 1/015 1/014 1/013 1/012 Pin # 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 Function -
OCR Scan
1512K I/O0-31 AO-18 ACT-SF512K32N-26P1X ACT-SF512K32N-37P1X ACT-SF512K32N-39P1X
Abstract: Specifications PTF PH PCE / SCE 2.21675 MHz 41.001 MHz 2.21675 MHz to 41.000 MHz to 70.000 MHz to 40.000 , condition OE=GND ST =GND(SCE) CMOS load:50 % VCC level TTL load: 1.4 V level IOH=-8 mA(PTF)/-4 mA(PH,SCE,PCE), /-3.2 mA(PDE) IOL=16 mA(PTF)/4mA(PH,SCE,PCE) /3.2 mA(PDE) 20 pF Max.(≤55 MHz) 30 pF , Terminal, ST Terminal (SCE) CMOS load:20 % VCC to 80 % VCC level TTL load:0.4 V to 2.4 V level Time at , Oscillation start up time Frequency aging F_aging *1 tOSC 2.7 V to 3.6 V Stored as bare product Epson Toyocom
Original
4320C PTF9352A

SF128

Abstract: Active Current for Read (1) ICC1 FCE = VIL, OE = VIH, SCE = VIH 100 mA Flash Vcc Active Current for Program or Erase (2) ICC2 FCE = VIL, OE = VIH, SCE = VIH 130 mA Flash Output , = VIH) Read Cycle 1 (SCE = OE = VIL, SWE = VIH) tWC tRC A0-18 A0-18 tAA tAW tCW , SCE = VIH, OE = VIH, VOUT = 0 to VCC 10 µA SCE = VIL, OE = VIH, f = 5MHz, VCC = Max, FCE = , SCE = VIH, OE = VIH, f = 5MHz, VCC = Max 40 mA SRAM Output Low Voltage VOL IOL = 8 mA
Aeroflex Circuit Technology
Original
SF128 SF128K16 SF128K16N SCD1677
Abstract: 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 6 5 4 3 2 1 < m . < W x -I 0 D , discontinue these products without notice. - P i* ^ 1 r .X A ^S C opyright © 1994, Texas Instrum ents , 655303 · Da l l a s , t e x a s 75265 5 -1 3 5 PRODUCT PREVIEW SN54LVT18646, SN54LVT182646 , 63 62 61 60 59 58 57 56 55 54 53 52 51 50 49 48 ] 1 B 4 47 ] 1B5 46 ] 1B6 45 ] G N D 44 ] 1B7 43 ] 1B , ] 2 B 7 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 s «*< 1A 3 C 1 1A 4 C 2 1A5 C 3 GND C 4 -
OCR Scan
SN74LVT18646 SN74LVT182646 18-BIT SCBS311A LVT182646
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