E7800 Q62702-Q1745 OHR01457 OHR01869 OHR01870 OHR01462 OHR01872 OHR01871 - Datasheet Archive

 

GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features · Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren

 

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features · Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren · Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden · Hohe Zuverlässigkeit · Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger · Hermetisch dichtes Metallgehäuse · Gehäusegleich mit BP 103, LD 242 · · · · · · Anwendungen Applications · Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb · IR-Gerätefernsteuerungen · Sensorik · Lichtgitter · · · · Fabricated in a liquid phase epitaxy process Cathode is electrically connected to the case High reliability Matches all Si-Photodetectors Hermetically sealed package Same package as BP 103, LD 242 Photointerrupters IR remote control of various equipmet Sensor technology Light-grille barrier Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package SFH 464 E7800 E7800 Q62702-Q1745 Q62702-Q1745 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10''), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden 18 A3 DIN 870 (TO -18), clear epoxy resin, lead spacing 2.54 mm (1/10''), anode marking: projection at package bottom 2001-02-22 1 SFH 464 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg ­ 40 . + 80 °C Sperrspannung Reverse voltage VR 3 V Durchlaßstrom Forward current IF 50 mA Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current IFSM 1 A Verlustleistung Power dissipation Ptot 140 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA RthJC 450 160 K/W K/W Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 50 mA, tp = 20 ms peak 660 nm Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 50 mA 25 nm Abstrahlwinkel1) Half angle1) ± 23 Grad deg. Aktive Chipfläche Active chip area A 0.106 mm2 Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area L×B L×W 0.325 × 0.325 mm 0.3 . 0.7 mm 100 ns Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Abstand Chipoberfläche bis Gehäuseoberfläche H Distance chip front to case surface Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf 10%, bei IF = 50 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90% to 10%, IF = 50 mA, RL = 50 2001-02-22 tr, tf 2 SFH 464 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics (cont'd) Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz Capacitance Co 30 pF Durchlaßspannung, IF = 50 mA, tp = 20 ms Forward voltage VF 2.1 ( 2.8) V Sperrstrom, VR = 3 V Reverse current IR 0.01 ( 10) µA Gesamtstrahlungsfluß, IF = 50 mA, tp = 20 ms Total radiant flux e 11 mW Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, TCI ­ 0.4 %/K Temperaturkoeffizient von VF, IF = 50 mA Temperature coefficient of VF, IF = 50 mA TCV ­3 mV/K Temperaturkoeffizient von , IF = 50 mA Temperature coefficient of , IF = 50 mA TC + 0.16 nm/K IF = 50 mA Temperature coefficient of Ie or e, IF = 50 mA 1) Funote siehe Seite 4. 1) Footnote see Page 4. 2001-02-22 3 SFH 464 Strahlstärke Ie in Achsrichtung1) gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Radiant Intensity Ie in Axial Direction1) at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Symbol Werte Values Einheit Unit Strahlstärke1) Radiant intensity1) IF = 50 mA, tp = 20 ms Ie 1 mW/sr 1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4 mm). Dadurch wird sichergestellt, da bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken groer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gröe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag ,E 7800", der an die Typenbezeichnung angehängt ist. 1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by "E 7800" added to the type designation. Radiation Characteristics Irel = f ()1) 40 30 20 10 0 OHR01457 OHR01457 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 2001-02-22 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120 4 SFH 464 Relative Spectral Emission Irel = f () Radiant Intensity Single pulse, tp = 20 µs OHR01869 OHR01869 100 Ie = f (IF ) Ie 50 mA rel % 10 2 OHR01870 OHR01870 OHR01462 OHR01462 120 F mA e e 50 mA 80 Max. Permissible Forward Current IF = f (TC), RthJC = 160 K/W 100 10 1 80 60 10 0 60 40 40 10 -1 20 20 0 600 650 700 nm Forward Current IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs F 10 -2 750 10 0 F 10 3 mA F OHR01872 OHR01872 10 4 mA tP D= 10 3 10 2 10 2 Permissible Pulse Handling Capability IF = f (), TA = 25 °C, duty cycle D = parameter OHR01871 OHR01871 10 3 mA 10 1 0.1 tP T F 0 20 40 60 80 °C 100 TA Max. Permissible Forward Current IF = f (TA), RthJA = 450 K/W OHR01461 OHR01461 120 F mA 100 T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 80 60 0.2 10 2 0.5 10 1 0 40 DC 20 10 0 0 2 4 6 8 V 10 10 1 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 VF 2001-02-22 s tP 5 10 1 0 0 20 40 60 80 °C 100 TA SFH 464 Maßzeichnung Package Outlines ø4.1 (0.161) 2.54 (0.100) spacing ø0.45 (0.018) ) 43 Chip position ø4.3 (0.169) 2.7 (0.106) 1.1 0.9 1.1 (0 12.5 (0.492) 3.0 (0.118) Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464) Cathode (SFH 483) ( (0 .04 5) 3.6 (0.142) 0.9 5) 3 0.0 1 .03 14.5 (0.571) .0 (0 3) ø5.5 (0.217) ø5.2 (0.205) GETY6625 GETY6625 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Wernerwerkstrasse 2, D-93049 D-93049 Regensburg © All Rights Reserved. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you ­ get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1 , may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered. 2001-02-22 6