KBPC3500I KBPC3510I UL94V-0 E175067 KBPC3501I KBPC3502I KBPC3504I KBPC3506I

KBPC3500I . KBPC3510I Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2009-06-09 28.6 ±0.2 7.3 + ~

KBPC3500I KBPC3500I . KBPC3510I KBPC3510I KBPC3500I KBPC3500I . KBPC3510I KBPC3510I Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2009-06-09 28.6 ±0.2 7.3 + ~ Type Ø 5.2 Alternating input voltage Eingangswechselspannung 35.700 V 28.6 x 28.6 x 7.3 [mm] Weight approx. Gewicht ca. = ±0.5 17 5 35 A Case Gehäuse ~ = 5 Nominal current Nennstrom 5 2.0 Ø 1.2 Dimensions - Maße [mm] 17 g Compound has classification UL94V-0 UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Recognized Product Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 E175067 Anerkanntes Produkt Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 E175067 Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) KBPC3500I KBPC3500I 35 50 KBPC3501I KBPC3501I 70 100 KBPC3502I KBPC3502I 140 200 KBPC3504I KBPC3504I 280 400 KBPC3506I KBPC3506I 420 600 KBPC3508I KBPC3508I 560 800 KBPC3510I KBPC3510I 700 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 80 A 2) Peak forward surge current 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 375 A Peak forward surge current 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 400 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Operating junction temperature Sperrschichttemperatur Storage temperature Lagerungstemperatur 1 2 Tj TS 660 A2s -50.+150°C -50.+150°C Valid per diode Gültig pro Diode Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 KBPC3500I KBPC3500I . KBPC3510I KBPC3510I Characteristics Kennwerte 1 Max. current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 35 A 28 A Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 17.5 A VF < 1.1 V 2) Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 25 µA Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse VISO > 2500 V Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht Gehäuse RthC < 1.5 K/W Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment 10-32 UNF M5 120 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm 103 [%] [A] 100 102 80 Tj = 125°C Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10-1 0 TA 50 100 150 [°C] 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 375a-(17.5a-1.1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird Valid per diode Gültig pro Diode 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG