FP35R12KS4C BSM15GP120 BSM10GP120 B25/50 - Datasheet Archive

 

IGBT-Module IGBT-Modules FP35R12KS4C G Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte /

 

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP35R12KS4C FP35R12KS4C G Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage VRRM 1600 V Durchlaßstrom Grenzeffektivwert RMS forward current per chip IFRMSM 40 A Id 35 A IFSM 315 A Dauergleichstrom DC forward current TC = 80°C Stoßstrom Grenzwert tP = 10 ms, Tvj = surge forward current tP = 10 ms, Tvj = 150°C Grenzlastintegral tP = 10 ms, Tvj = 2 I t - value 25°C 260 A 500 As 340 As VCES 1200 V IC,nom. 35 A IC 40 A ICRM 70 A Ptot 230 W VGES +/- 20V V IF 35 A IFRM 70 A I2 t 310 A2s VCES 1200 V TC = 80 °C IC,nom. 17,5 A TC = 25 °C IC 35 A 2 25°C It tP = 10 ms, Tvj = 150°C 2 2 Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Tc = 55 °C TC = 25 °C Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC = 25°C TC = Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage 55 °C Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Tc = 55 °C Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms Grenzlastintegral I2t - value VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 35 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC = 25°C Ptot 180 W VGES +/- 20V V IF 10 A IFRM 20 A Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Tc = 55 °C Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms prepared by: A.Schulz date of publication: 2001-11-28 approved by: M.Hierholzer revision: 2 1/11 DB-PIM-S_IGBT_V2.xls 2001-11-28 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP35R12KS4C FP35R12KS4C G Modul Isolation/ Module Isolation Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. NTC connected to Baseplate VISOL 2,5 kV Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. VF - 1,15 - V Tvj = 150°C V(TO) - - 0,8 V Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = 150°C rT - - 10,5 m Sperrstrom reverse current Tvj = 150°C, IR - 2 - mA RAA'+CC' - 4 - m min. typ. max. - 3,75 4,35 V - 4,5 - V VGE(TO) 4,5 5,5 6,5 V Cies - 1,5 - nF ICES - - 5 mA IGES - - 400 nA Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Durchlaßspannung forward voltage Tvj = 150°C, Schleusenspannung threshold voltage IF = VR = 35 A 1600 V Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip TC = 25°C lead resistance, terminals-chip Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter VGE = 15V, Tvj = 25°C, Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC = 35 A IC = 35 A IC = 1 mA Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage VCE = VGE, Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz, Tvj = 25°C VCE = 25 V, VGE = 0 V Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VGE = 0V, Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE =20V, Tvj =25°C Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Tvj = 25°C, Tvj = 25°C, VCE = IC = INenn, VCC = 1200 V 600 V VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = 22 Ohm VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) 22 Ohm IC = INenn, 600 V VCC = VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = 22 Ohm VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = INenn, VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = 22 Ohm VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = 22 Ohm ns ns - 50 - ns 50 - ns - 340 - ns - IC = INenn, td,off 22 Ohm 400 - ns 600 V VCC = VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = 22 Ohm VCC = IC = INenn, tf - 50 - ns - 60 - ns Eon - 4,5 - mWs Eoff - 2,3 - mWs ISC - 160 - A 50 nH 600 V VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = LS = Kurzschlußverhalten SC Data - 600 V VCC = LS = Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse 60 60 - 22 Ohm IC = INenn, tr - 600 V VCC = VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse td,on 22 Ohm VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) VCE sat 22 Ohm 50 nH tP 10µs, VGE 15V, RG = Tvj125°C, VCC = 720 V dI/dt = 2800 A/µs 2/11 22 Ohm DB-PIM-S_IGBT_V2.xls 2001-11-28 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP35R12KS4C FP35R12KS4C G Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. LCE - - 100 nH RCC'+EE' - 7 - m min. typ. max. - 1,95 2,35 V - 1,8 - V - 40 - A - 45 - A Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip TC = 25°C lead resistance, terminals-chip Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current VGE = 0V, Tvj = 25°C, IF = 35 A VGE = 0V, Tvj = 125°C, IF = 35 A IF=INenn, - diF/dt = 1400A/µs VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 600 V VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = Sperrverzögerungsladung recovered charge 600 V IF=INenn, 1400A/µs - diF/dt = VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 600 V IF=INenn, IRM 600 V VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy VF Qr 1400A/µs µAs µAs - 1,3 - mWs - 2,5 - mWs typ. max. - 2,3 2,75 V - 2,7 - V VGE(TO) 4,5 5,5 6,5 V - 1,0 - nF ICES - 1,0 500 µA - 1,2 - mA - - 300 nA min. typ. max. - 2,7 3,05 V - 2,6 - V min. typ. max. R25 - 5 - k R/R -5 5 % 20 mW 600 V VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = - Cies VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 3,5 7,5 min. - diF/dt = - 600 V Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper VGE = 15V, Tvj = 25°C, Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC = 17,5 A IC = 17,5 A IC = 0,6mA ERQ Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage VCE = VGE, Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz, Tvj = 25°C VCE = 25 V, VGE = 0 V Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VGE = 0V, Tvj = 25°C, VCE = 1200 V VGE = 0V, Tvj = 125°C, VCE = VCE sat 1200 V Tvj = 25°C, Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C Schaltverluste und -bedingungen Switching losses and conditions siehe Datenblatt (Wechselrichter) see datasheet (inverter) Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Tvj = 25°C, Durchlaßspannung forward voltage Tvj = 125°C, Schaltverluste und -bedingungen Switching losses and conditions IGES BSM15GP120 BSM15GP120 IF = 17,5 A IF = 17,5 A siehe Datenblatt (Wechselrichter) see datasheet (inverter) NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor Nennwiderstand rated resistance TC = 25°C Abweichung von R100 deviation of R100 TC = 100°C, R100 = 493 Verlustleistung power dissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T1)] VF BSM10GP120 BSM10GP120 P25 3/11 B25/50 B25/50 3375 K DB-PIM-S_IGBT_V2.xls 2001-11-28 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP35R12KS4C FP35R12KS4C G Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. RthJC max. - - 1 K/W Trans. Wechsr./ Trans. Inverter - - 0,55 K/W Diode Wechsr./ Diode Inverter - - 0,8 K/W Trans. Bremse/ Trans. Brake - - 0,7 K/W Diode Bremse/ Diode Brake Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Gleichr. Diode/ Rectif. Diode typ. - - 2,3 K/W - 0,04 - K/W - 0,02 - K/W - 0,04 - K/W Übergangs-Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode Paste =1W/m*K thermal resistance, case to heatsink Trans. Wechsr./ Trans. Inverter grease=1W/m*K RthCK Diode Wechsr./ Diode Inverter Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj max - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Tvj op -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Innere Isolation internal insulation Al2O3 CTI comperative tracking index 225 M Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque 3 Nm ±10% Gewicht weight G 4/11 300 g DB-PIM-S_IGBT_V2.xls 2001-11-28 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP35R12KS4C FP35R12KS4C G Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical) IC = f (VCE) VGE = 15 V 70 60 Tj = 25°C Tj = 125°C 50 IC [A] 40 30 20 10 0 0 1 2 3 4 5 6 5 6 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) IC = f (VCE) Output characteristic Inverter (typical) Tvj = 125°C 70 VGE = 20V 60 VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V 50 VGE = 8V IC [A] 40 30 20 10 0 0 1 2 3 4 VCE [V] 5/11 DB-PIM-S_IGBT_V2.xls 2001-11-28 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP35R12KS4C FP35R12KS4C G Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) IC = f (VGE) Transfer characteristic Inverter (typical) VCE = 20 V 70 60 Tj = 25°C 50 Tj = 125°C IC [A] 40 30 20 10 0 0 2 4 6 8 10 12 14 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) Forward characteristic of FWD Inverter (typical) IF = f (VF) 70 60 Tj = 25°C 50 Tj = 125°C IF [A] 40 30 20 10 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 VF [V] 6/11 DB-PIM-S_IGBT_V2.xls 2001-11-28 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP35R12KS4C FP35R12KS4C G Schaltverluste Wechselr. (typisch) Eon = f (IC), Eoff = f (IC), Erec = f (IC) Switching losses Inverter (typical) Tj = 125°C, VGE = ±15 V, VCC = 600 V 22 Ohm RGon = RGoff = 14 12 Eon Eoff E [mWs] 10 Erec 8 6 4 2 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 IC [A] Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) Eon = f (RG), Eoff = f (RG), Erec = f (RG) Tj = 125°C, VGE = +-15 V , Ic = Inenn , 600 V VCC = 7 Eon 6 Eoff Erec E [mWs] 5 4 3 2 1 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 RG [] 7/11 DB-PIM-S_IGBT_V2.xls 2001-11-28 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP35R12KS4C FP35R12KS4C G Transienter Wärmewiderstand Wechselr. Transient thermal impedance Inverter ZthJC = f (t) 1 Zth-IGBT ZthJC [K/W] Zth-FWD 0,1 0,01 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) IC = f (VCE) Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA) Tvj = 125°C, VGE = ±15V, RG = 22 Ohm 80 70 60 IC,Modul IC [A] 50 IC,Chip 40 30 20 10 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] 8/11 DB-PIM-S_IGBT_V2.xls 2001-11-28 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP35R12KS4C FP35R12KS4C G Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) IC = f (VCE) Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical) VGE = 15 V 35 30 Tj = 25°C Tj = 125°C 25 IC [A] 20 15 10 5 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 VCE [V] Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) IF = f (VF) Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical) 35 30 25 Tj = 25°C Tj = 125°C IF [A] 20 15 10 5 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 VF [V] 9/11 DB-PIM-S_IGBT_V2.xls 2001-11-28 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP35R12KS4C FP35R12KS4C G Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical) IF = f (VF) 70 60 50 Tj = 25°C Tj = 150°C IF [A] 40 30 20 10 0 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 100 120 140 160 VF [V] NTC- Temperaturkennlinie (typisch) R = f (T) NTC- temperature characteristic (typical) 100000 Rtyp R[] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 TC [°C] 10/11 DB-PIM-S_IGBT_V2.xls 2001-11-28 Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FP35R12KS4C FP35R12KS4C G Schaltplan/ Circuit diagram 21 8 22 20 1 2 3 7 14 23 18 19 13 4 12 24 9 16 17 5 15 6 NTC 11 10 Gehäuseabmessungen/ Package outlines Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 11/11 DB-PIM-S_IGBT_V2.xls 2001-11-28 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved.