BSM35GP120 DB-PIM-10 B25/50 - Datasheet Archive

 

IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GP120 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum

 

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GP120 BSM35GP120 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage VRRM 1600 V Durchlaßstrom Grenzeffektivwert RMS forward current per chip I FRMSM 40 A Id 35 A I FSM 315 A Dauergleichstrom DC forward current TC = 80°C Stoßstrom Grenzwert tP = 10 ms, Tvj = surge forward current tP = 10 ms, Tvj = 150°C Grenzlastintegral tP = 10 ms, Tvj = 2 I t - value 25°C 260 A 500 As 340 As VCES 1200 V I C,nom. 35 A IC 45 A I CRM 70 A Ptot 230 W VGES +/- 20V V IF 35 A I FRM 70 A I 2t 310 A2s VCES 1200 V TC = 80 °C I C,nom. 17,5 A TC = 25 °C IC 35 A 2 25°C I t tP = 10 ms, Tvj = 150°C 2 2 Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Tc = 80 °C TC = 25 °C Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC = 25°C TC = 80 °C Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Tc = 80 °C Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms Grenzlastintegral I 2t - value VR = 0V, tp = 10ms, Tvj = 125°C Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C I CRM 35 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC = 25°C Ptot 180 W VGES +/- 20V V IF 10 A I FRM 20 A Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Tc = 80 °C Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms prepared by: Andreas Schulz date of publication:29.03.2001 approved by: Robert Severin revision: 5 1(11) DB-PIM-10 DB-PIM-10 (2).xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GP120 BSM35GP120 Modul Isolation/ Module Isolation Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. NTC connected to Baseplate VISOL 2,5 kV Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. VF - 1,15 1,2 V Tvj = 150°C V(TO) - - 0,8 V Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = 150°C rT - - 10,5 m Sperrstrom reverse current Tvj = 150°C, IR - 2 - mA Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip TC = 25°C RAA'+CC' - 5 - m min. typ. max. - 2,4 2,85 V - 2,9 - V VGE(TO) 4,5 5,5 6,5 V Cies - 1,5 - nF Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier Durchlaßspannung forward voltage Tvj = 150°C, Schleusenspannung threshold voltage IF = 35 A VR = 1600 V Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter VGE = 15V, Tvj = 25°C, Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC = 35 A IC = 35 A IC = 1 mA Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage VCE = VGE, Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz, Tvj = 25°C VCE = 25 V, VGE = 0 V Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VGE = 0V, Tvj = 25°C, VCE = 1200 V VGE = 0V, Tvj =125°C, VCE = VCE sat 1200 V Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Tvj = 25°C, VCC = 22 Ohm I C = INenn, VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = 22 Ohm I C = INenn, VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = - 300 nA td,on - 50 - ns - 50 - ns - 55 - ns - 55 - ns 22 Ohm I C = INenn, tr 22 Ohm 600 V VCC = VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = 22 Ohm I C = INenn, td,off - 290 - ns - 320 - ns - 50 - ns - 70 - ns Eon - 4,5 - mWs Eoff - 4,3 - mWs I SC - 160 - A 22 Ohm 600 V VCC = VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = 22 Ohm VCC = I C = INenn, tf 75 nH 600 V VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = LS = Kurzschlußverhalten SC Data - 600 V VCC = LS = Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse mA 22 Ohm VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse µA - 600 V VCC = VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) 500 22 Ohm VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) 1,5 2,0 600 V VGE = ±15V, Tvj = 25°C, RG = VGE = ±15V, Tvj = 125°C, RG = Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) - I GES VCE = 0V, VGE =20V, Tvj =25°C I C = INenn, I CES 22 Ohm 75 nH tP 10µs, VGE 15V, RG = Tvj125°C, VCC = 720 V dI/dt = 2800 A/µs 22 Ohm 2(11) DB-PIM-10 DB-PIM-10 (2).xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GP120 BSM35GP120 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values min. IF = 35 A VGE = 0V, Tvj = 125°C, IF = 100 nH - 7 - m typ. max. - 1,95 2,45 V - 1,8 - V - 40 - A - 45 - A - 3,5 - µAs - 7,5 - µAs - 1,3 - mWs - 2,5 - mWs typ. max. - 2,3 2,75 V - 2,7 - V VGE(TO) 4,5 5,5 6,5 V Cies VGE = 0V, Tvj = 25°C, - min. Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Durchlaßspannung forward voltage - min. TC = 25°C max. RCC'+EE' Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip typ. LCE Modulinduktivität stray inductance module - 1,0 - nF 35 A Rückstromspitze peak reverse recovery current I F=INenn, - diF/dt = 1400A/µs VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 600 V VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = Sperrverzögerungsladung recovered charge 600 V I F=INenn, 1400A/µs - diF/dt = VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 600 V VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy VF 600 V I F=INenn, I RM 1400A/µs - diF/dt = VGE = -10V, Tvj = 25°C, VR = 600 V VGE = -10V, Tvj = 125°C, VR = Qr 600 V Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper VGE = 15V, Tvj = 25°C, Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage VGE = 15V, Tvj = 125°C, IC = 17,5 A IC = 17,5 A IC = 0,6mA ERQ Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage VCE = VGE, Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz, Tvj = 25°C VCE = 25 V, VGE = 0 V Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VGE = 0V, Tvj = 25°C, VCE = 1200 V VGE = 0V, Tvj = 125°C, VCE = VCE sat 1200 V Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Tvj = 25°C, I CES 500 µA - mA - - 300 nA typ. max. - 2,7 3,05 V - 2,6 - V min. typ. max. R25 Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Tvj = 25°C, Durchlaßspannung forward voltage Tvj = 125°C, 1,0 1,2 min. VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C - - 5 - k R/R -5 5 % 20 mW I GES IF = 17,5 A IF = 17,5 A NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor Nennwiderstand rated resistance TC = 25°C Abweichung von R100 deviation of R100 TC = 100°C, R100 = 493 Verlustleistung power dissipation TC = 25°C B-Wert B-value R2 = R1 exp [B(1/T2 - 1/T1)] VF P25 B25/50 B25/50 3375 K 3(11) DB-PIM-10 DB-PIM-10 (2).xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GP120 BSM35GP120 Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. RthJC max. - - 1 K/W Trans. Wechsr./ Trans. Inverter - - 0,55 K/W Diode Wechsr./ Diode Inverter - - 0,8 K/W Trans. Bremse/ Trans. Brake - - 0,7 K/W Diode Bremse/ Diode Brake Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Gleichr. Diode/ Rectif. Diode typ. - - 2,3 K/W - 0,08 - K/W - 0,04 - K/W - 0,08 - K/W Übergangs-Wärmewiderstand Gleichr. Diode/ Rectif. Diode Paste=1W/m*K thermal resistance, case to heatsink Trans. Wechsr./ Trans. Inverter grease=1W/m*K RthCK Diode Wechsr./ Diode Inverter Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Tvj - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Top -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Innere Isolation internal insulation Al2O3 CTI comperative tracking index 225 M Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque 3 Nm ±10% Gewicht weight G 180 g 4(11) DB-PIM-10 DB-PIM-10 (2).xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GP120 BSM35GP120 Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) IC = f (VCE) Output characteristic Inverter (typical) VGE = 15 V 70 60 Tj = 25°C 50 Tj = 125°C IC [A] 40 30 20 10 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 5 4 4,5 5 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) IC = f (VCE) Output characteristic Inverter (typical) Tvj = 125°C 70 VGE = 17V 60 VGE = 15V VGE = 13V 50 VGE = 11V VGE = 9V IC [A] 40 30 20 10 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 VCE [V] 5(11) DB-PIM-10 DB-PIM-10 (2).xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GP120 BSM35GP120 Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) IC = f (VGE) Transfer characteristic Inverter (typical) VCE = 20 V 70 60 50 Tj = 25°C Tj = 125°C IC [A] 40 30 20 10 0 0 2 4 6 8 10 12 14 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) Forward characteristic of FWD Inverter (typical) IF = f (VF) 70 60 50 Tj = 25°C Tj = 125°C IF [A] 40 30 20 10 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 VF [V] 6(11) DB-PIM-10 DB-PIM-10 (2).xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GP120 BSM35GP120 Schaltverluste Wechselr. (typisch) Eon = f (IC), Eoff = f (IC), Erec = f (IC) Switching losses Inverter (typical) Tj = 125°C, VGE = ±15 V, VCC = RGon = RGoff = 600 V 22 Ohm 14 12 Eon Eoff Erec E [mWs] 10 8 6 4 2 0 0 10 20 30 40 50 60 70 80 IC [A] Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) Eon = f (RG), Eoff = f (RG), Erec = f (RG) Tj = 125°C, VGE = +-15 V , Ic = Inenn , VCC = 600 V 7 Eon 6 Eoff Erec E [mWs] 5 4 3 2 1 0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 RG [ ] 7(11) DB-PIM-10 DB-PIM-10 (2).xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GP120 BSM35GP120 Transienter Wärmewiderstand Wechselr. Transient thermal impedance Inverter ZthJC = f (t) 1 Zth-IGBT ZthJC [K/W] Zth-FWD 0,1 0,01 0,001 0,01 0,1 1 10 t [s] Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) IC = f (VCE) Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA) Tvj = 125°C, VGE = ±15V, RG = 22 Ohm 80 70 60 IC,Modul 50 IC [A] IC,Chip 40 30 20 10 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] 8(11) DB-PIM-10 DB-PIM-10 (2).xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GP120 BSM35GP120 Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical) IC = f (VCE) VGE = 15 V 35 30 Tj = 25°C Tj = 125°C 25 IC [A] 20 15 10 5 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 VCE [V] Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) IF = f (VF) Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical) 35 30 25 Tj = 25°C Tj = 125°C IF [A] 20 15 10 5 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 VF [V] 9(11) DB-PIM-10 DB-PIM-10 (2).xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GP120 BSM35GP120 Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical) IF = f (VF) 70 60 50 Tj = 25°C Tj = 150°C IF [A] 40 30 20 10 0 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 120 140 160 VF [V] NTC- Temperaturkennlinie (typisch) R = f (T) NTC- temperature characteristic (typical) 100000 Rtyp R[ ] 10000 1000 100 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 10(11) DB-PIM-10 DB-PIM-10 (2).xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM35GP120 BSM35GP120 Schaltplan/ Circuit diagram 21 8 22 20 1 2 3 23 19 7 14 18 13 24 4 12 9 16 17 5 15 6 NTC 11 10 Gehäuseabmessungen/ Package outlines Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 11(11) DB-PIM-10 DB-PIM-10 (2).xls Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produkte s für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale besch rieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließl ich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaft en keinesfalls übernommen. 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Wir we isen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Q ualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung v on der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produkt datenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data s heet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical dep artments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. 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