BAS40 BAS40-04 BAS40-05 BAS40-06 UL94V-0

BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 Surface Mount Schottky Barrier Single/Double Diodes Schottky-Barrier Einzel-/Doppel-Dioden

BAS40 BAS40, BAS40-04 BAS40-04, BAS40-05 BAS40-05, BAS40-06 BAS40-06 BAS40 BAS40, BAS40-04 BAS40-04, BAS40-05 BAS40-05, BAS40-06 BAS40-06 Surface Mount Schottky Barrier Single/Double Diodes Schottky-Barrier Einzel-/Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2005-06-21 Power dissipation Verlustleistung 0.4 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 1.1 2.9 ±0.1 1.3 2.5 Type Code ±0.1 max 3 2 1 310 mW 40 V Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 UL94V-0 klassifiziert 1.9 Dimensions - Maße [mm] Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) per diode / pro Diode BAS40-series Power dissipation Verlustleistung 1) Ptot 310 mW 2) Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom IFAV 200 mA 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom IFRM 300 mA 2) IFSM 0.6 A VRRM 40 V Tj TS -55.+150°C -55.+150°C Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp 1 s Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature Sperrschichttemperatur Storage temperature Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) 3 Forward voltage ) Durchlass-Spannung 3) IF = 1 mA IF = 10 mA IF = 40 mA VF VF VF < 380 mV < 500 mV < 1.00 V Leakage current Sperrstrom VR = 30 V VR = 40 V IR IR < 200 nA < 10 µA Max. junction capacitance Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT 5 pF Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 5 ns RthA < 400 K/W 2) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft 1 2 3 Total power dissipation of both diodes - Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS40 BAS40, BAS40-04 BAS40-04, BAS40-05 BAS40-05, BAS40-06 BAS40-06 Pinning Anschlussbelegung 3 1 Single Diode Einzeldiode 1=A 2 3 1 1 = A1 3 3=C 2 = C2 BAS40-04 BAS40-04 = 44 3 = C1/A2 Dual diode, common cathode Doppeldiode, gemeinsame Katode 1 = A1 2 3 1 2 = n.c./frei BAS40 BAS40 = 43 Dual diode, series connection Doppeldiode, Reihenschaltung 2 1 Marking Stempelung 2 = A2 BAS40-05 BAS40-05 = 45 3 = C1/C2 Dual diode, common anode Doppeldiode, gemeinsame Anode 1 = C1 2 2 = C2 BAS40-06 BAS40-06 = 46 3 = A1/A2 120 1 [%] [A] 100 10-1 80 60 10-2 40 10-3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-4 Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1) 2 http://www.diotec.com/ Tj = 25°C 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG